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扩散 扩散工艺概念 单选题 扩散工艺改变了晶片内部的（A）和表面层的导电类型。 （A）杂质分布 （B）位错分布 （C）表面形态 （D）缺陷分布 判断题 高温下进行扩散工艺和离子注入原理相同是先把杂质注入到晶体内部，然后再进行扩散的。（×） 一般来讲扩散工艺需要超过2000℃才可以把杂质扩散到半导体晶体的内部。（×） 人们研究了各种利用扩散往硅中引入掺杂剂的方法，其目的是为了控制杂质浓度、均匀性和重复性。（√） 多选题 扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（A E），所以晶片才能被人们所使用。 （A）内部的杂质分布 （B）表面的杂质分布 （C）整个晶体的杂质分布 （D）内部的导电类型 （E）表面的导电类型 扩散工艺主要用途 多选题 扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（A C D）。 （A）埋层 （B）外延 （C）PN结 （D）扩散电阻 （E）隔离区 判断题 在许多器件的制作中，离子注入已经代替扩散工艺，但是扩散工艺现在还广泛应用于PN结的制作。（√） 在集成电路的制作中，扩散工艺用于制作扩散电感和扩散电阻。（×） 单选题 扩散工艺现在广泛应用于制作（D）。 （A）晶振 （B）电容 （C）电感 （D）PN结 对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（D）方法引入到硅片中。 （A）离子注入 （B）溅射 （C）淀积 （D）扩散 固体中的扩散模型 单选题 固体中的扩散模型主要有填隙机制和（C）。 （A）自扩散机制 （B）杂质扩散机制 （C）空位机制 （D）菲克扩散方程机制 在空位扩散中，如果迁移到空位的原子是基质原子，扩散属于（D）。 （A）推挤扩散 （B）杂质扩散 （C）填隙扩散 （D）自扩散 在空位扩散中，如果迁移的空位的原子是杂质原子，扩散称为（B）。 （A）填隙扩散 （B）杂质扩散 （C）推挤扩散 （D）自扩散 判断题 固体中的扩散可以看作是扩散物质在晶格中以空位机制和填隙机制的原子运动。（×） 以空位机制扩散的时候，基质原子离开产生空位后，只有临近的杂质原子才能迁移到空位位置。（×） 多选题 在固体中，根据杂质的运动方式不动，主要有以下几种模型：（A B）。 菲克一维扩散模型和原子扩散机理 单选题 菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质（A）。 （A）传输率 （B）载流子浓度 （C）扩散梯度 （D）扩散系数 一般分析扩散系数，考虑两种条件，即恒定表面浓度条件和（A）。 （A）恒定总掺杂剂量 （B）不恒定总掺杂剂量 （C）恒定杂志浓度 （D）不恒定杂志浓度 恒定表面浓度的条件下，在整个扩散期间，（A）保持恒定表面浓度。 （A）源蒸气 （B）杂质和惰性气体混合物 （C）水蒸气和杂志混合物 （D）杂质、惰性气体、水蒸气混合物 判断题 菲克简单扩散方程的成立条件就是扩散系数是随温度变化的。（×） 菲克第一扩散定律中局部传输速率和溶质的浓度梯度的比例常数就是溶质的扩散系数。（√） 菲克的第一扩散定律是建立在稀释液体或者不存在对流的气体溶液的假设之上的。（√） 在VLSI技术中，可以继续用再分布扩散对浅结进行扩散。（×） 扩散率的测量 判断题 扩散结果可以用结深和平均扩展电阻两种简单的方法来检查。（×） 阳极氧化法生长二氧化硅，然后测量去除二氧化硅后硅片的方块电阻也可以测量结深。（√） 单选题 我们可以通过简单的结深测量和（C）测量来获得扩散层的重要信息。 （A）横向电阻 （B）平均电阻率 （C）薄层电阻 （D）扩展电阻 在确定扩散率的测结深实验中，结深的测量是采用HF和（D）的混和液对磨斜角进行化学染色的。 （A）乙醇 （B）HCL （C）H2SO4 （D）HNO3 在确定扩散率的实验中，扩散层电阻的测量可以用（D）测量。 （A）SIMS技术 （B）扩展电阻技术 （C）微分电导率技术 （D）四探针技术 用电容－电压技术来测量扩散剖面分布是用了（A）的原理。 （A）pn结理论 （B）欧姆定律 （C）库仑定律 （D）四探针技术 二氧化硅中的扩散、快扩散杂质和多晶硅掺杂 单选题 如果磷在二氧化硅中扩散，对扩散率影响最大的因素是：（D）。 （A）扩散剂总量 （B）压强 （C）温度 （D）浓度 He，OH，Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s,这些元素称为（B）。 （A）活跃杂质 （B）快速扩散杂质 （C）有害杂质 （D）扩散杂质 下列哪些元素在硅中是快扩散元素：（A）。 （A）Na （B）B （C）P （D）As 判断题 由于III，V族元素都是二氧化硅中玻璃的构成者，他们使氧化膜的熔化温度降低。（√） 对磷在二氧化硅中的扩散而言，对湿氧形成二氧化硅的扩散比干氧形成的二氧