使用增强扩散工艺的膜沉积.pdf

磷扩散工艺方案.ppt 磷扩散 PN结——太阳电池的心脏扩散的目的：形成PN结 PN结的制造制造一个PN结并不是把两块不同类型（p型和n型）的半导体接触在一起就能形成的。必须使一块完整的半导体晶体的一部分是P型区域，另一部分是N型区域。也就是在晶体内部实现P型和N型半导体的接触。扩散装置示意图气路图扩散炉总体结构控制部分、推舟净化部分、电阻加热炉部分、气源部分。影响扩散的因素管内气体中杂质源的浓度扩散温度扩散时间太阳电池磷扩散方法１．三氯氧磷（POCl3）液态源扩散２．喷涂磷酸水溶液后链式扩散３．丝网印刷磷浆料后链式扩散本公司目前采用的是第一种方法。 POCl3

2017-05-12 约8.14千字 64页立即下载

扩散工艺介绍.pptx 对磷扩散的认识—半导体特性;对磷扩散的认识—半导体特性;对磷扩散的认识—半导体特性;对磷扩散的认识—半导体特性;对磷扩散的认识—半导体特性;扩散工艺介绍;扩散工艺目的介绍;太阳电池磷扩散方法;扩散装置示意图;开管扩散炉结构示意图;热扩散化学反应方程式 ;扩散的两种模型;影响扩散的因素;扩散层薄层电阻;扩散层薄层电阻的测试;常见问题及对策;常见问题及对策;POCl3 简介;POCl3应急处置 ;POCl3应急处置

2020-02-22 约小于1千字 20页立即下载

扩散工艺文件.doc 机密等级: 机密磐石吉阳恒基新能源有限公司Controlled Document（受控） Confidential level: Confidential Document Title(文件名称) : 扩散工艺文件Document Number(文件编号): XY(C)-GY-02-BZ01 A/0 Revision(文件版本): A/0 Revise Date(修订日期): 2010-09-05 Prepared by(撰写者): 吴军兰 Create by which Unit(制定单位) : 工艺部

2017-03-21 约7.94千字 16页立即下载

扩散工艺学习课件.pptx 第三章扩散工艺;掺杂技术就是将所需要的杂质，以一定的方式（合金、扩散或离子注入等）加入到硅片内部，并使在硅片中的数量和浓度分布符合预定的要求。利用掺杂技术，可以制作P-N结、欧姆接触区、IC中的电阻、硅栅和硅互连线等等。; 合金法是早期产生半导体器件常用的形成p-N结的方法。自从硅平面技术问世以后，合金法已经被扩散法取代了。扩散技术是一种制作P-N结的好方法。随着集成电路的飞速发展，扩散工艺已日臻完善，其设备和操作也大多采用电子计算机进行控制了。; 扩散是微观粒子的一种极为普遍的热运动形式，运动结果使浓度分布趋于均匀。集成电路制造中的固态扩散工艺，是将一定数量的某种杂质掺入到硅晶体或其他半导

2025-03-10 约5.62千字 75页立即下载

【2017年整理】扩散工艺知识.doc 第三章 扩散工艺 在前面“材料工艺”一章，我们就曾经讲过一种叫“三重扩散”的工艺，那是对衬底而言相同导电类型杂质扩散。这样的同质高浓度扩散，在晶体管制造中还常用来作欧姆接触，如做在基极电极引出处以降低接触电阻。除了改变杂质浓度，扩散的另一个也是更主要的一个作用，是在硅平面工艺中用来改变导电类型，制造PN结。扩散原理扩散是一种普通的自然现象，有浓度梯度就有扩散。扩散运动是微观粒子原子或分子热运动的统计结果。在一定温度下杂质原子具有一定的能量，能够克服某种阻力进入半导体，并在其中作缓慢的迁移运动。一．扩散定义在高温条件下，利用物质从高浓度向低浓度运动的特性，将杂质原子以一定的可控性掺入到

2017-06-04 约字 10页立即下载

扩散扩散工艺概念单选题扩散工艺改变了晶片内部的（A）和表面层的.doc 扩散 扩散工艺概念单选题 扩散工艺改变了晶片内部的（A）和表面层的导电类型。（A）杂质分布（B）位错分布（C）表面形态（D）缺陷分布判断题高温下进行扩散工艺和离子注入原理相同是先把杂质注入到晶体内部，然后再进行扩散的。（×）一般来讲扩散工艺需要超过2000℃才可以把杂质扩散到半导体晶体的内部。（×）人们研究了各种利用扩散往硅中引入掺杂剂的方法，其目的是为了控制杂质浓度、均匀性和重复性。（√）多选题 扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（A E），所以晶片才能被人们所使用。（A）内部的杂质分布（B）表面的杂质分布（C）整个晶体的杂质分布（D

2017-08-26 约3.29千字 4页立即下载

新编磷扩散工艺文件(标准规范).doc 工艺文件 Φ50mm双极IC芯片生产线名称磷扩散通用工艺规范编号批准磷扩散 1 工序目的在硅片上定域地扩散所需的磷杂质,形成磷穿透制作晶体管的发射区等。 2 工序工艺流程图 2.1 磷桥扩散流程图

2018-04-10 约4.74千字 14页立即下载

变温扩散工艺实验报告.pptx 党纪东王虎 2010-7-19日变温扩散工艺实验报告整理人王永伟 2010年11月24日内容概述定义分凝系数k为： 1.在高温恒温扩散情况下，金属杂质沉淀溶解的速率加快，但在多晶硅衬底里和在重磷扩散的区域内的分凝系数差别不大，使得溶解的杂质不能被全部有效地分凝吸杂到重磷扩散的区域，且此时复合体扩散系数比磷原子扩散系数大，导致多晶硅体内的金属杂质重新形成更高密度的复合中心。另一方面，长时间的恒温过程引起的平衡偏聚使得溶质原子浓度分布不均，导致扩散均匀性较差。 2.在变温扩散工艺中，采取先低温（760℃左右）、再高温（850℃左右

2016-08-21 约2.02千字 28页立即下载

chap3 扩散工艺3.3,3.4,3.5.ppt §3.3 扩散杂质的分布扩散方式有两种：恒定表面源扩散和有限表面源扩散。 1.恒定表面源扩散扩散过程中，硅片表面杂质浓度始终不变，这种类型的扩散称为恒定表面源扩散。其扩散后杂质浓度分布为余误差函数分布。特点：（1)杂质分布形式：在表面浓度一定的情况下，扩散时间越长，杂质扩散的就越深，扩到硅内的杂质数量也就越多。（2）结深（3）杂质浓度梯度：在CS和CB一定的情况下P-N结越深，在结处的杂质浓度梯度就越小 2. 有限表面源扩散扩散前在硅片表面先淀积一层杂质，在整个过程中，这层杂质作为扩散源，不再有新源补充，杂质总

2017-05-08 约2.82千字 31页立即下载

第二章扩散工艺ppt.ppt (1) 气态源： AsH3，PH3，B2H6 (2) 固态源：四、扩散工艺和设备 1、目前的扩散工艺已基本被离子注入取代，只有在进行重掺杂时还用扩散工艺进行。 2、 扩散工艺的分类主要取决于杂质源的形态，常见的杂质源形态包括：单磷酸铵 (NH4H2PO4) 砷酸铝 (AlAsO4) 硼源：BBr3(沸点90℃) 磷源：POCl3(沸点107℃) (3) 液态源 * 第二章 扩散工艺 (Diffusion process) ■ 概述 ■ 扩散原理(模型与公式) ■ 实际扩散分布的分析 ■ 扩散工艺和设备 ■ 扩散工艺质量检测 扩散工艺(Diff

2016-06-28 约4.11千字 47页立即下载

微电子制造技术扩散工艺.PPT 微电子制造技术第 17 章掺杂概述本征硅的导电性能很差，是不能直接用于芯片制造的，只有在硅中加入一定的杂质，使电导率发生明显变化时，硅才可以用于半导体制造。在硅中加入杂质的过程称为掺杂。掺杂是制造半导体器件的基础，掺杂的方式有热扩散和离子注入。常用的杂质是Ⅲ族和Ⅴ族元素中的硼（B）和磷（P）。芯片特征尺寸的不断减小和集成度的不断增加，迫使各种器件尺寸不断缩小。特别是MOS器件沟道长度的减小要求源漏结的掺杂区更浅，现在最小的结深是30nm。本章重点 1. 解释掺杂在芯片制造过程中的目的和应用； 2. 讨论杂质扩散的原

2017-08-29 约字 79页立即下载

太阳能电池片扩散工艺[精品].doc 2.2.2扩散制结制结过程是在一块基体材料上生成导电类型不同的扩散层，它和制结前的表面处理均是电池制造过程中的关键工序。制结方法有热扩散，离子注入，外延，激光及高频电注入法等。本节主要介绍热扩散法。扩散是物质分子或原子运动引起的一种自然现象，热扩散制p—n结法为用加热方法使V族杂质掺入P型或族杂质掺入n型硅。硅太阳电池中最常用的V族杂质元素为磷，族杂质元素为硼。硅太阳电池所用的主要热扩散方法有涂布源扩散，液态源扩散，固态源扩散等2.2.2.2液态源扩散液态源扩散有三氯氧磷液态源扩散和硼的液态源扩散，它是通过气体携带法将杂质带入扩散炉内实现扩散。其原理如图3.6：图3.6 三氯氧磷扩

2018-04-20 约小于1千字 7页立即下载

《晶体硅扩散工艺的研究》-毕业论文.doc 江西渝州科技职业学院光伏专业（专科）毕业论文 PAGE 1 PAGE 1 江西渝州科技学院光伏专业(专科)毕业论文论文题目晶体硅太阳能电池扩散工艺研究学院:新能源工程学院专业:光伏材料加工与应用班级:09级光伏（12）班姓名: 　指导老师: 完成日期: 2011-10-10 2011年 10月目录 TOC \o 1-3 \h \z \u HYPERLINK \l _Toc2763

2018-11-11 约2.07万字 32页立即下载

第三章扩散工艺6报告.ppt 第三章 扩散工艺 扩散是微观粒子（原子、分子等）的一种极为普遍的热运动形式，运动结果使浓度分布趋于均匀。条件：浓度差热运动存在集成电路制造中的固态扩散工艺简称扩散，是将一定数量的某种杂质掺入到硅晶体中或其他半导体晶体中去，以改变电学性质，并使掺入的杂质数量、分布形式和深度等都满足要求。扩散是掺杂的一种方法。 3.1 杂质的扩散机构主要可分为以下两种机构，替位式式扩散和间隙式扩散。存在于晶格间隙的杂质称为间隙式杂质间隙式杂质从一个间隙位置到另一个间隙位置上的运动称为间隙式扩散占据晶体内晶格格点上的正常位置的杂质原子，称替位杂质替位杂质从一

2017-01-18 约8.03千字 57页立即下载

太阳能扩散工艺基础原理说课.ppt 背面四周边缘烧焦宏观、微观照片及原因分析背面四周边缘烧焦（发黄）宏观微观200倍微观400倍微观600倍背面四周边缘烧焦，大部分为清洗后未烘干所致。正常绒面烧焦片清洗原理杂质的分类有机物沾污：包括切、磨、抛工艺中的润滑油脂；石蜡、松香等粘合剂；手指分泌的油脂及光刻胶、有机溶剂的残留物等。金属离子、氧化物及其他无机物质：包括腐蚀液中重金属杂质离子的残留；各种磨料中的氧化物或金属离子；使用的容器、镊子、水中金属离子的沾污；各种气体、人体汗液等引入的杂质离子。其他可溶性杂质。清洗的思路清洗硅片的一般工艺程序为: 去分子→去离子→去原子→去离子水冲洗另外, 为去除硅

2017-03-24 约字 107页立即下载