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GaN基增强型器件及AlGaNGaN二次生长的研究的开题报告

1.研究背景

随着半导体器件的广泛应用，对器件的性能要求也越来越高。其中，功率器件在领域中的地位和作用越来越重要。GaN基增强型器件以其低电阻、高电子饱和迁移率等特性，逐渐成为高性能功率器件的首选材料。同时，AlGaNGaN二次生长技术也成为制备高质量GaN基器件的重要方法之一。

2.研究目的

本研究旨在通过研究GaN基增强型器件及AlGaNGaN二次生长技术，提高GaN基器件的性能。具体研究内容包括：

（1）探究GaN基增强型器件中的电子输运机制，提高其电子饱和迁移率和电导率；

（2）研究AlGaNGaN二次生长技术中的材料生长机理，提高其材料质量和晶体结构；

（3）结合GaN基增强型器件和AlGaNGaN二次生长技术，设计制备高性能的GaN基功率器件。

3.研究内容和方法

（1）电子输运机制研究：采用自行设计的器件结构，在器件的多个不同区域进行电学测试，获得对不同区域的电子输运特性信息。结合模拟分析方法，探究电子输运机制。

（2）AlGaNGaN二次生长机理研究：采用分子束外延（MBE）技术，根据生长过程中的实验结果，研究材料生长机理和影响因素。

（3）GaN基功率器件设计制备：根据前两步的基础研究成果，结合自己的实验室实际情况，设计制备高性能的GaN基功率器件。

4.预期成果

（1）深入探究GaN基功率器件中的电子输运机制，提高其电子饱和迁移率和电导率；

（2）研究AlGaNGaN二次生长技术中的材料生长机理，在制备中获得高质量的AlGaNGaN材料；

（3）设计制备高性能的GaN基功率器件，具有广泛的应用前景。