GaN HEMTs器件研究的开题报告.docx

浮空场板AlGaN/GaNHEMTs器件研究的开题报告

开题报告

论文题目：浮空场板AlGaN/GaNHEMTs器件研究

申请人姓名：xxx

申请人学号：xxxx

第一部分：研究背景

AlGaN/GaNHEMTs是一种新型的高功率射频器件，在雷达、通信、卫星等领域有着广泛的应用。由于其特殊的材料结构和优秀的性能特点，AlGaN/GaNHEMTs具有很高的开关速度、大功率密度和高温性能。目前，浮空场板(FAE)的使用已被广泛研究，其可以提高器件的继电比，降低漏电流和提高热稳定性，有望成为下一代高功率射频器件的重要方向。

第二部分：研究目的

本文旨在研究浮空场板对AlGaN/GaNHEMTs器件性能的影响，探究浮空场板的优化设计，以实现更高的性能和更稳定的工作。

第三部分：研究方法

1.制备：采用分子束外延技术制备AlGaN/GaN材料，同时通过光刻和湿法刻蚀制备出浮空场板结构。

2.测试：采用半导体参数分析测试，对HEMTs器件进行电特性测试，研究浮空场板对器件的影响。

3.优化：基于测试结果，进行浮空场板的优化设计，以提高器件性能和稳定性。

第四部分：研究意义

通过研究浮空场板对AlGaN/GaNHEMTs器件的影响，可以为下一代高功率射频器件的设计和制备提供重要的理论基础和实验基础。同时，可以为高功率射频器件的应用开拓更广阔的前景。

第五部分：研究计划

1.研究时间安排：2022年3月至2023年3月。

2.研究步骤：

阶段一：研究浮空场板AlGaN/GaNHEMTs器件制备技术。

阶段二：研究浮空场板对AlGaN/GaNHEMTs器件电性能的影响。

阶段三：优化浮空场板结构设计，以提高器件性能和稳定性。

3.研究成果预期：

1.获得浮空场板AlGaN/GaNHEMTs器件的制备工艺，获得器件的电性能特征曲线。

2.探究浮空场板对器件性能的影响，分析其作用机理。

3.通过优化设计，提高器件性能和稳定性，为高功率射频器件的应用提供理论基础和实验基础。