GaN异质结器件提升二维电子气浓度的研究的开题报告.docx
AlGaN/GaN异质结器件提升二维电子气浓度的研究的开题报告
一、研究背景
其它材料中,三五族氮化物材料基于GaN(氮化镓)的异质结器件已经引起广泛关注。AlGaN/GaN异质结器件不仅具有高载流子迁移率和低温度系数等优势,而且还可以在高功率应用中作为高电气性能的元器件使用。AlGaN/GaN异质结也是构成高频和功率器件的重要技术基础。
二、研究目的和意义
本次研究的目的在于提升AlGaN/GaN异质结器件的二维电子气浓度,具体表现为提高载流子迁移率、优化器件结构、提高器件性能等。在目前逐渐复杂的半导体器件设计中,研究这种新型器件的优化处理方法具有非常重要的学术和工程意义,这对未来高功率半导体器件的研究和开发具有重要的指导意义。
三、研究内容
本次研究将围绕以下内容展开:
1.利用薄膜生长技术获得高质量的AlGaN/GaN异质结材料。
2.设计、制备AlGaN/GaN异质结器件,并采用光刻和离子蚀刻技术刻蚀器件结构。
3.对制备好的AlGaN/GaN异质结器件进行电学特性测量,探究二维电子气浓度的提升。
4.对比分析不同处理方法,优化器件结构,提高器件的性能。
四、研究方法
1.利用分子束外延技术生长高质量AlGaN/GaN异质结材料。
2.采用光刻和离子蚀刻技术制备AlGaN/GaN异质结器件。
3.采用Hall效应等电学表征技术测试器件的电学性能。
4.对测试得到的数据进行统计分析,研究不同处理方法下二维电子气浓度的提升。
五、预期成果
本次研究预期获得AlGaN/GaN异质结器件的制备技术和电学性能的改善方法,探究提高二维电子气浓度和优化器件性能的途径,提出新型面向高功率器件的研究方向。同时,本次研究成果也将为相关企业提供参考,推动相关产业的发展和创新。