SiGe异质结器件研究的开题报告.pdf
高速/高性能应变Si/SiGe异质结器件研究的开题报
告
一、研究背景和意义
在信息技术的发展中,无线通信、高速计算机和射频微波应用对高
速/高性能器件的需求越来越高。而Si/SiGe异质结器件因其具有优良的
电学性能和生长技术优势,已成为其中一种备受关注的研究对象。
本课题将基于Si/SiGe异质结器件,开展高速/高性能应变效应研究,
目的是探究Si/SiGe异质结器件在高速/高性能领域具有的应用潜力。
二、研究内容
本课题将主要开展以下三个方面的研究内容:
(1)Si基异质结器件制备技术:通过改变化学气相沉积(CVD)反应
条件等方法,制备出具有不同厚度、不同应变等特性的Si/SiGe异质薄膜。
(2)异质结器件性能研究:对制备出来的Si/SiGe异质薄膜进行性能
测试,观察其在不同温度等条件下的电学性能,包括载流子迁移率、漂
移区域宽度等参数。
(3)高速/高性能应变Si/SiGe异质结器件制备及性能研究:基于已有
结果,进一步设计制备出具有高速/高性能特性的Si/SiGe异质结器件,
并对其性能进行测试和分析。
三、技术路线
1.Si/SiGe异质结薄膜制备技术:采用低压化学气相沉积(LPCVD)
制备出Si/SiGe异质结薄膜,并通过控制不同反应条件,制备不同厚度、
不同应变的异质结薄膜。
2.异质结器件性能测试技术:利用光学和电学测试手段对Si/SiGe
异质薄膜进行测试,包括载流子迁移率、漂移区域宽度等参数的测试。
3.高性能应变Si/SiGe异质结器件制备:采用镀膜、光刻、等离子
体腐蚀等工艺制备Si/SiGe异质结器件,并对其进行性能测试,包括开关
特性、速度、噪声等参数。
四、预期目标
预计通过实验研究,可制备出具有高速/高性能特性的Si/SiGe异质
结器件,并对其性能进行测试和分析。为未来高速/高性能应变Si/SiGe
异质结器件的应用提供技术支持和理论依据。
五、研究难点
1.Si/SiGe异质结薄膜制备技术的优化;
2.异质结器件性能测试方法的建立和完善;
3.高性能应变Si/SiGe异质结器件的制备过程控制。
六、研究意义
1.探究Si/SiGe异质结器件在高速/高性能领域的应用潜力;
2.提高高速/高性能应变Si/SiGe异质结器件制备技术的水平;
3.拓展Si/SiGe异质结器件在微电子领域的应用范围。