晶体生长科学与技术(第二版)上下册.pdf
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《晶体生长科学与技术》记录.docx
《晶体生长科学与技术》读书笔记
目录
一、内容概要................................................2
1.1书籍简介.............................................3
1.2研究背景与意义.......................................3
二、晶体生长的基本原理......................................4
2.1晶体结构的形成.......................................6
2.2晶体生长的热力学过程.....
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晶体生长科学与技术1.ppt
晶体生长科学与技术 徐进 材料科学与工程系 参考书目 意义 材料的发展是新技术发展的基石； 晶体材料具有的特殊性能，如实现电、磁、力、光和热的交互使用以及互相转化，使其在光学、磁学、半导体和激光等诸多领域中得到应用； 是微电子、光电子、通讯、航天、宇航等高科技和现代军事领域中的关键材料； 作为装饰用的水晶，各种宝石，金刚石等都
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晶体生长科学与技术-03(共六部分).ppt
* * 在长约１米、一端封闭的玻璃管(后称托里拆利管) ，装满密度为水的13.5倍的水银汞，用手指封住管口而将管倒立于水银槽内，然后放开手指，则原来达到管顶的水银柱将下降到高于槽中水银面760毫米左右处，以与管外大气压强的作用相平衡。管的上端这一部分空间，除极稀薄的水银蒸气外，可看到真空。这是人类最早用人工方法获得的真空，曾轰动一时，至今人们还把它叫做托里拆利真空。 * 理想气体方程: vp=NRT 单位体积的分子数: n～1/cm3, p～mbar , CO分子n = p/kT * 由理想气体状态方程压强的表式. p=nkT （4.2.2）. 其中p为压强，k为玻耳兹曼 常数（k
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晶体生长科学与技术-01(共六部分).ppt
四方：简单四方 体心四方 立方：简单立方 体心立方 面心立方 晶向指数和晶面指数 晶向：晶体中原子的位置、原子列 的方向 晶面：原子构成的平面 Miller（密勒）指数统一标定晶向指数和晶面指数 晶向指数 晶向指数：[ u v w] 任意阵点P的位置可以用矢量或者坐标来表示。 OP = u + v + w 晶向指数的确定步骤 1)以晶胞的某一阵点O为原点，过原点O的晶轴为坐标轴x,y, z, 以晶胞点阵矢量的长度作为坐标轴的长度单位。 2)过原点O作一直线OP，使其平行于待定晶向。 3)在直线OP上选
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3 晶体生长.ppt
第三章 晶体生长 §3.1 晶体生长理论基础 §3.1 晶体生长理论基础 §3.1 晶体生长理论基础 §3.1 晶体生长理论基础 §3.1 晶体生长理论基础 §3.1 晶体生长理论基础 §3.1 晶体生长理论基础 §3.1 晶体生长理论基础 §3.1 晶体生长理论基础 §3.1 晶体生长理论基础 §3.1 晶体生长理论基础 §3.1 晶体生长理论基础 §3.1 晶体生长理论基础 §3.1 晶体生长理论基础 §3.1 晶体生长理论基础 §3.1 晶体生长理论基础 §3.1 晶体生长理论基础 §3.1 晶体生长理论基础 §3.1 晶体生长理论基础 §3.1 晶体生长理论基础 §3.1 晶体生长理
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4章 硅的晶体生长.ppt
目前，拉制单晶硅棒有CZ法（坩埚拉制）和区熔法两种。CZ法因使用石英坩埚而不可避免地引入一定量的氧，对大多数半导体器件来说影响不大，但对高效太阳电池，氧沉淀物是复合中心，从而降低材料少子寿命。区熔法可以获得高纯无缺陷单晶。 直拉法比用区熔法更容易生长获得较高氧含量(12～14 mg/kg)和大直径的硅单晶棒。根据现有的工艺水半，采用直拉法已可生长出6～18in(150～450 mm)的大直径硅单晶棒。1979年国外研制、生产出直径150 mm(6in)；1986年国外研制、生产出直径200mm(8in)；1996年国外研制、生产出直径300mm(12in)；1998年国外研制出直径400 mm
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【2017年整理】晶体生长技术.ppt
晶体生长技术;1.晶体生长的一般方法;(1)固相生长:固体?固体;(2)液相生长:液体?固体;(3)气相生长:气体?固体;Evaluation only.
Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0.
Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;2.液固相转变过程;硅锗单晶生长;单晶材料的生长，是物质的非晶态，多晶态，或能够形成该物质的反应物，通过一定的物理或化学手段转变为单晶状态的过程。首先将结晶的物质通过熔化或溶解方式转变成熔体或溶液。再控制其热力学条件生成晶相，并让其长大。;
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晶体生长技术的发展.pdf
1 The Development of Crystal Growth
Technology
HANS J. SCHEEL
SCHEEL CONSULTING, CH-8808 Pfaeffikon SZ, Switzerland
ABSTRACT
The industrial production of crystals started with A. Verneuil with his flame-
fusion growth method 1902. He can be regarded a
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晶体生长机理.ppt
3.晶体生长研究方法晶体生长研究方法同其它材料的研究方法相同，除了严格控制晶体生长原材料之外，对晶体的结构、晶体的生长方法和晶体的性质进行研究是晶体生长研究的重点。由此可见：研究晶体生长必然以（1）晶体生长（2）晶体物理（3）晶体化学为基础。简言之：第30页,共54页，星期六，2024年，5月晶体生长控制生长工艺生长设备生长理论生长方法晶体物理晶体化学形貌缺陷物性应用结构组成化学键相关系图1.1晶体学研究的基础内容及相互关系第31页,共54页，星期六，2024年，5月1.4材料科学研究与发展方向（1）材料复合化（2）纳米材料（3）智能材料（4）生物医学材料（5）C60系列材料非平衡材料第32页
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晶体生长和外延.ppt
磨光、标识后的晶锭切割。切割决定四个晶片参数：表面方向、厚度、倾斜度和弯曲度。切割后，用氧化铝和甘油的混合液研磨，一般研磨到2μm的平坦度。第30页,共47页，星期六，2024年，5月晶体特性－晶体缺陷点缺陷－替代、填隙、空位和弗兰克尔缺陷。第31页,共47页，星期六，2024年，5月线缺陷，亦称位错－刃形和螺旋。第32页,共47页，星期六，2024年，5月面缺陷－孪晶和晶粒间界。反映孪晶旋转孪晶小角度晶界第33页,共47页，星期六，2024年，5月体缺陷－杂质或掺杂原子的析出现象。这些缺陷的产生是由在主晶格中的固溶度引起的。第34页,共47页，星期六，2024年，5月材料特性第35页,共47
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晶体生长和缺陷.ppt
零维一维二维三维空位间隙原子置换原子各类位错各类界面，表面及层错等第二相粒子、空位团等实际晶体中常存在各种偏离理想结构的区域，即晶体缺陷。晶体缺陷对晶体的性质起着重要作用。存在于点阵式晶体结构中的缺陷，按几何特征可分为：——点缺陷——线缺陷——面缺陷——体缺陷第37页,共56页，星期六，2024年，5月1点缺陷2线缺陷3面缺陷第38页,共56页，星期六，2024年，5月FrenkelShockleyCa+2取代Na+Ca+2Na+Cl-NaCl晶体（1）Frenkel型复合型空位＋间隙（2）Shockley型复合型Na空位＋Cl空位一对空位第39页,共56页，星期六，2024年，5月2线缺陷—
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4.5晶体生长.ppt
二螺旋生长理论 弗朗克等人在研究气相中晶体的生长时，估计体系过饱和度不小于25—50％。然而在实验中却难以达到,并且在过饱和度小于2％的气相中晶体亦能生长。这种现象并不是层生长理论所能解释的。 为了解决理论与实际的矛盾,他们根据实际晶体结构的各种缺陷中最常见的位错现象，在1949年提出了晶体的螺旋生长理论。 内容: 晶体生长界面上螺旋位错露头点可作为晶体生长的台阶源，促进光滑界面上的生长。 证实了螺旋生长理论 1.晶体生长的一般方法(掌握) 晶体是在物相转变的情况下形成的。 物相有三种，即气相、液相和固相。 由气相、液相?固相时形成晶体， 固相之间也可以直接产生转变。 晶体
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晶体生长简介.pptx
结晶学及矿物学;第六章晶体生长简介
一晶体旳形成方式
1.由液相转变为固相
(1).?从熔体结晶
体系处于过冷却状态，温度低于熔点。例：金属、岩浆作用矿物旳析出。
(2).从溶液结晶
体系应处于过饱和状态。体系处于过饱和状态有三种情况：
①温度降低体系能够处于过饱和状态。例：结晶矾类矿物，岩浆期后热液矿物旳析出。
②水分蒸发体系能够处于过饱和状态。例：结晶盐类矿物；
③发生化学反应体系能够形成难溶物质。锰结核;2.由气相转变为固相（凝华）
体系需要有足够低旳蒸气压。例：火山口附近形成旳自然硫。
3.固相再结晶为固相
(1).同质多像转变例：α石英－β石英
(2).原矿物旳颗粒加大例：再结晶旳方
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Chap02 晶体生长.pdf
第二章晶体生长 微电子技术工艺原理
微电子技术工艺原理
谢生
天津大学电子信息工程学院
电子科学与技术系
第二章晶体生长 微电子技术工艺原理
内容回顾
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晶体生长课件.ppt
晶体生长概论晶体生长是材料科学和固态物理中的基础学科，研究晶体从无序状态向有序状态转变的过程。本课程将系统介绍晶体生长的基本原理、方法和应用，帮助学生理解晶体从成核到生长的全过程。晶体生长技术在现代科技中扮演着不可替代的角色，从半导体工业到药物开发，从光学材料到能源存储，晶体材料的制备与控制已成为现代科技发展的关键环节。我们将从基础理论出发，探索晶体生长的热力学和动力学原理，了解不同生长方法的特点，掌握晶体缺陷的形成机制，以及先进的表征技术与前沿研究方向。
课程目标和大纲1基础知识掌握理解晶体结构特点和生长的基本概念，掌握热力学和动力学原理，能够分析晶体生长过程中的关键影响因素。2实验技能培养