晶体生长技术的发展.pdf

无机材料晶体生长技术的发展.pdf 2015/6/8 无机材料晶体生长技术的发展及我校相关的研究工作进展江民红研究员桂林电子科技大学材料科学与工程学院 2015-6-6 Guilin University of Electronic Technology, Department of Mate

2017-09-13 约2.18万字 28页立即下载

2017-12-14 约6.13千字 48页立即下载

4章硅的晶体生长.ppt 目前，拉制单晶硅棒有CZ法（坩埚拉制）和区熔法两种。CZ法因使用石英坩埚而不可避免地引入一定量的氧，对大多数半导体器件来说影响不大，但对高效太阳电池，氧沉淀物是复合中心，从而降低材料少子寿命。区熔法可以获得高纯无缺陷单晶。直拉法比用区熔法更容易生长获得较高氧含量(12～14 mg/kg)和大直径的硅单晶棒。根据现有的工艺水半，采用直拉法已可生长出6～18in(150～450 mm)的大直径硅单晶棒。1979年国外研制、生产出直径150 mm(6in)；1986年国外研制、生产出直径200mm(8in)；1996年国外研制、生产出直径300mm(12in)；1998年国外研制出直径400 mm

2017-10-14 约1.07万字 67页立即下载

《晶体生长科学与技术》记录.docx 《晶体生长科学与技术》读书笔记目录一、内容概要................................................2 1.1书籍简介.............................................3 1.2研究背景与意义.......................................3 二、晶体生长的基本原理......................................4 2.1晶体结构的形成.......................................6 2.2晶体生长的热力学过程.....

2024-09-26 约1.59万字 33页立即下载

晶体生长科学与技术1.ppt 晶体生长科学与技术徐进材料科学与工程系参考书目意义材料的发展是新技术发展的基石；晶体材料具有的特殊性能，如实现电、磁、力、光和热的交互使用以及互相转化，使其在光学、磁学、半导体和激光等诸多领域中得到应用；是微电子、光电子、通讯、航天、宇航等高科技和现代军事领域中的关键材料；作为装饰用的水晶，各种宝石，金刚石等都

2016-12-17 约字 63页立即下载

【2017年整理】晶体生长技术.ppt 晶体生长技术;1.晶体生长的一般方法;(1)固相生长:固体?固体;(2)液相生长:液体?固体;(3)气相生长:气体?固体;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;2.液固相转变过程;硅锗单晶生长;单晶材料的生长，是物质的非晶态，多晶态，或能够形成该物质的反应物，通过一定的物理或化学手段转变为单晶状态的过程。首先将结晶的物质通过熔化或溶解方式转变成熔体或溶液。再控制其热力学条件生成晶相，并让其长大。;

2017-06-07 约小于1千字 18页立即下载

晶体生长机理.ppt 3.晶体生长研究方法晶体生长研究方法同其它材料的研究方法相同，除了严格控制晶体生长原材料之外，对晶体的结构、晶体的生长方法和晶体的性质进行研究是晶体生长研究的重点。由此可见：研究晶体生长必然以（1）晶体生长（2）晶体物理（3）晶体化学为基础。简言之：第30页,共54页，星期六，2024年，5月晶体生长控制生长工艺生长设备生长理论生长方法晶体物理晶体化学形貌缺陷物性应用结构组成化学键相关系图1.1晶体学研究的基础内容及相互关系第31页,共54页，星期六，2024年，5月1.4材料科学研究与发展方向（1）材料复合化（2）纳米材料（3）智能材料（4）生物医学材料（5）C60系列材料非平衡材料第32页

2025-02-06 约7.34千字 54页立即下载

晶体生长和外延.ppt 磨光、标识后的晶锭切割。切割决定四个晶片参数：表面方向、厚度、倾斜度和弯曲度。切割后，用氧化铝和甘油的混合液研磨，一般研磨到2μm的平坦度。第30页,共47页，星期六，2024年，5月晶体特性－晶体缺陷点缺陷－替代、填隙、空位和弗兰克尔缺陷。第31页,共47页，星期六，2024年，5月线缺陷，亦称位错－刃形和螺旋。第32页,共47页，星期六，2024年，5月面缺陷－孪晶和晶粒间界。反映孪晶旋转孪晶小角度晶界第33页,共47页，星期六，2024年，5月体缺陷－杂质或掺杂原子的析出现象。这些缺陷的产生是由在主晶格中的固溶度引起的。第34页,共47页，星期六，2024年，5月材料特性第35页,共47

2025-01-29 约5.04千字 47页立即下载

晶体生长和缺陷.ppt 零维一维二维三维空位间隙原子置换原子各类位错各类界面，表面及层错等第二相粒子、空位团等实际晶体中常存在各种偏离理想结构的区域，即晶体缺陷。晶体缺陷对晶体的性质起着重要作用。存在于点阵式晶体结构中的缺陷，按几何特征可分为：——点缺陷——线缺陷——面缺陷——体缺陷第37页,共56页，星期六，2024年，5月1点缺陷2线缺陷3面缺陷第38页,共56页，星期六，2024年，5月FrenkelShockleyCa+2取代Na+Ca+2Na+Cl-NaCl晶体（1）Frenkel型复合型空位＋间隙（2）Shockley型复合型Na空位＋Cl空位一对空位第39页,共56页，星期六，2024年，5月2线缺陷—

2025-02-06 约6.72千字 56页立即下载

4.5晶体生长.ppt 二螺旋生长理论弗朗克等人在研究气相中晶体的生长时，估计体系过饱和度不小于25—50％。然而在实验中却难以达到,并且在过饱和度小于2％的气相中晶体亦能生长。这种现象并不是层生长理论所能解释的。为了解决理论与实际的矛盾,他们根据实际晶体结构的各种缺陷中最常见的位错现象，在1949年提出了晶体的螺旋生长理论。内容: 晶体生长界面上螺旋位错露头点可作为晶体生长的台阶源，促进光滑界面上的生长。证实了螺旋生长理论 1.晶体生长的一般方法(掌握) 晶体是在物相转变的情况下形成的。物相有三种，即气相、液相和固相。由气相、液相?固相时形成晶体，固相之间也可以直接产生转变。晶体

2016-08-15 约4.46千字 34页立即下载

晶体生长简介.pptx 结晶学及矿物学;第六章晶体生长简介一晶体旳形成方式 1.由液相转变为固相 (1).?从熔体结晶体系处于过冷却状态，温度低于熔点。例：金属、岩浆作用矿物旳析出。 (2).从溶液结晶体系应处于过饱和状态。体系处于过饱和状态有三种情况： ①温度降低体系能够处于过饱和状态。例：结晶矾类矿物，岩浆期后热液矿物旳析出。 ②水分蒸发体系能够处于过饱和状态。例：结晶盐类矿物； ③发生化学反应体系能够形成难溶物质。锰结核;2.由气相转变为固相（凝华）体系需要有足够低旳蒸气压。例：火山口附近形成旳自然硫。 3.固相再结晶为固相 (1).同质多像转变例：α石英－β石英 (2).原矿物旳颗粒加大例：再结晶旳方

2024-10-02 约4.72千字 29页立即下载

Chap02 晶体生长.pdf 第二章晶体生长 微电子技术工艺原理微电子技术工艺原理谢生天津大学电子信息工程学院电子科学与技术系第二章晶体生长 微电子技术工艺原理内容回顾

2017-08-10 约1.31万字 45页立即下载

晶体生长课件.ppt 晶体生长概论晶体生长是材料科学和固态物理中的基础学科，研究晶体从无序状态向有序状态转变的过程。本课程将系统介绍晶体生长的基本原理、方法和应用，帮助学生理解晶体从成核到生长的全过程。晶体生长技术在现代科技中扮演着不可替代的角色，从半导体工业到药物开发，从光学材料到能源存储，晶体材料的制备与控制已成为现代科技发展的关键环节。我们将从基础理论出发，探索晶体生长的热力学和动力学原理，了解不同生长方法的特点，掌握晶体缺陷的形成机制，以及先进的表征技术与前沿研究方向。课程目标和大纲1基础知识掌握理解晶体结构特点和生长的基本概念，掌握热力学和动力学原理，能够分析晶体生长过程中的关键影响因素。2实验技能培养

2025-04-01 约2.29万字 10页立即下载

晶体生长方法新.docx 晶体生长方法提拉法（Czochralski,Cz）图1　提拉法晶体生长装置结构示意图晶体提拉法的创始人是J. Czochralski，他的论文发表于1918年。提拉法是熔体生长中最常用的一种方法，许多重要的实用晶体就是用这种方法制备的。近年来，这种方法又得到了几项重大改进，如采用液封的方式（液封提拉法，LEC），如图1，能够顺利地生长某些易挥发的化合物（GaP等）；采用导模的方式（导模提拉法）生长特定形状的晶体（如管状宝石和带状硅单晶等）。所谓提拉法，是指在合理的温场下，将装在籽晶杆上的籽晶下端，下到熔体的原料中，籽晶杆在旋转马达及提升机构的作用下，一边旋转一边缓慢地向上提拉，经过缩颈、扩肩、

2017-06-16 约字 6页立即下载

一种晶体生长炉.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213388971 U (45)授权公告日 2021.06.08 (21)申请号 202022050304.2 (22)申请日 2020.09.17 (73)专利权人山东天岳先进科技股份有限公司

2023-03-08 约9.35千字 9页立即下载