能量过滤磁控溅射技术制备ITO薄膜及其性能研究的中期报告.docx

能量过滤磁控溅射技术制备ITO薄膜及其性能研究的中期报告 本中期报告主要介绍了使用能量过滤磁控溅射技术制备ITO薄膜及其性能研究的进展情况。 首先，我们选用了以铟锡（90/10）合金为靶材的能量过滤磁控溅射系统进行ITO薄膜制备。通过调节控制参数，如溅射功率、氧分压等，成功制备出了厚度约为150nm的ITO薄膜。 其次，我们对制备的ITO薄膜进行了结构和性能测试。X射线衍射测试表明，ITO薄膜具有明显的(222)择优取向，且结晶度良好。光学测试结果表明，ITO薄膜在可见光范围内的透过率高达93%，且具有较低的表面反射率。电学测试结果显示，ITO薄膜的电阻率为2.5×10-4Ω·cm，载流子浓度为1.4×1021 cm-3，远高于一般ITO薄膜的电学性能。 最后，我们对ITO薄膜的光电性能进行了研究。光电测试结果表明，ITO薄膜在紫外光和可见光照射下均可产生光致发光，其中紫外光激发的发光峰位在375nm处，可见光激发的发光峰位在480nm处。 总的来说，我们成功地利用能量过滤磁控溅射技术制备了高质量的ITO薄膜，并对其结构和性能进行了初步研究。未来的研究将针对优化控制参数、提高薄膜光电性能和应用于器件中展开。