磁控溅射法制备PZT薄膜研究的中期报告.docx

磁控溅射法制备PZT薄膜研究的中期报告 通过磁控溅射技术制备PZT薄膜具有良好的可控性和重复性，在微电子学、声波器件、传感器等领域具有广泛的应用。本篇报告主要介绍了利用磁控溅射技术制备PZT薄膜的方法以及进行的实验结果。 实验方法： 1.制备基片：采用p-Si（100）基片，通过高压氧化制备氧化硅薄膜作为衬底。 2.制备PZT薄膜：采用磁控溅射技术，使用PZT陶瓷为靶材，制备厚度为350纳米的PZT薄膜。 3.表征：使用原子力显微镜（AFM）对薄膜表面形貌进行表征；使用X射线衍射仪（XRD）对薄膜结构进行分析；使用Hall效应测试仪对PZT薄膜的导电性进行测量。 实验结果： 1.通过调整溅射时间和功率，成功制备出厚度为350纳米的PZT薄膜。 2.利用AFM观测到PZT薄膜表面比较平整，平均粗糙度为2.5纳米左右。 3.用XRD测试薄膜晶体结构，确定PZT薄膜主要为四方相PZT（001）方向生长。 4.通过Hall效应测试仪测量，PZT薄膜的电导率为1.8×10-3S/cm。 结论： 本实验成功制备出了良好的PZT薄膜，其结构和导电性能指标达到了预期目标。通过对制备过程的调整，未来将继续优化制备工艺，进一步提高PZT薄膜的品质和性能。