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一种半导体器件电容结构及其制作方法--第1页

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN111200061A

(43)申请公布日2020.05.26

(21)申请号CN201911327244.X

(22)申请日2019.12.20

(71)申请人厦门市三安集成电路有限公司

地址361000福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号

(72)发明人林鑫王勇魏鸿基

(74)专利代理机构厦门市首创君合专利事务所有限公司

代理人张松亭

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种半导体器件电容结构及其制作

方法

(57)摘要

本发明公开了一种半导体器件电容

结构及其制作方法，是在半导体基底上依

次形成下极板和介电质层后，先形成第一

金属层，再依次覆盖第一保护层和绝缘层

后，依次蚀刻第一金属层顶部的绝缘层和

第一保护层形成电容通孔，再形成第二保

护层覆盖绝缘层表面及电容通孔内壁，然

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后制作第二金属层，第二金属层通过电容

通孔与第一金属层接触以形成上极板，通

过本发明的设置改善电容中电荷集中区域

的结构，避免三种材料交界，减少应力作

用，有效隔离制作过程中和使用过程中的

水汽等污染，提高可靠度以及器件使用寿

命。本发明的方法工艺步骤少，成本低。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

2023-03-17授权发明专利权授予

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权利要求说明书

1.一种半导体器件电容结构的制作方法,其特征在于包括以下步骤:

1)于一半导体基底的预设区域上形成下极板金属层;

2)沉积电容介电质层;

3)于下极板金属层上方形成第一金属层;

4)沉积第一保护层;

5)涂覆有机物绝缘材料形成绝缘层;

6)依次去除所述第一金属层顶部的绝缘层和第一保护层,形成电容通孔;

7)沉积第二保护层,去除所述电容通孔底部的第二保护层;

8)于所述电容通孔之内形成第二金属层,所述第二金属层与所述第一金属层相接触

并构成上极板金属层。

2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于:所述第一金属层的材料是

Ti/Pt/Au/Ti叠层,通过蒸镀或溅镀形成。

3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于:所述第一保护层的材料是与所述电

容介电质层或所述介电质层表层相同的绝缘材料。

4.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于:步骤6)中,所述绝缘层和所述第一保

护层在同一道光阻下进行蚀刻形成所述电容通孔。

5.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于:步骤6)中,通过涂布光阻,进行曝光和

显影形成预设蚀刻窗口,首先通过干法蚀刻去除所述预设蚀刻窗口之内的绝缘层,然