一种半导体器件电容结构及其制作方法 .pdf
一种半导体器件电容结构及其制作方法--第1页
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN111200061A
(43)申请公布日2020.05.26
(21)申请号CN201911327244.X
(22)申请日2019.12.20
(71)申请人厦门市三安集成电路有限公司
地址361000福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
(72)发明人林鑫王勇魏鸿基
(74)专利代理机构厦门市首创君合专利事务所有限公司
代理人张松亭
(51)Int.CI
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
一种半导体器件电容结构及其制作
方法
(57)摘要
本发明公开了一种半导体器件电容
结构及其制作方法,是在半导体基底上依
次形成下极板和介电质层后,先形成第一
金属层,再依次覆盖第一保护层和绝缘层
后,依次蚀刻第一金属层顶部的绝缘层和
第一保护层形成电容通孔,再形成第二保
护层覆盖绝缘层表面及电容通孔内壁,然
一种半导体器件电容结构及其制作方法--第1页
一种半导体器件电容结构及其制作方法--第2页
后制作第二金属层,第二金属层通过电容
通孔与第一金属层接触以形成上极板,通
过本发明的设置改善电容中电荷集中区域
的结构,避免三种材料交界,减少应力作
用,有效隔离制作过程中和使用过程中的
水汽等污染,提高可靠度以及器件使用寿
命。本发明的方法工艺步骤少,成本低。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
2023-03-17授权发明专利权授予
一种半导体器件电容结构及其制作方法--第2页
一种半导体器件电容结构及其制作方法--第3页
权利要求说明书
1.一种半导体器件电容结构的制作方法,其特征在于包括以下步骤:
1)于一半导体基底的预设区域上形成下极板金属层;
2)沉积电容介电质层;
3)于下极板金属层上方形成第一金属层;
4)沉积第一保护层;
5)涂覆有机物绝缘材料形成绝缘层;
6)依次去除所述第一金属层顶部的绝缘层和第一保护层,形成电容通孔;
7)沉积第二保护层,去除所述电容通孔底部的第二保护层;
8)于所述电容通孔之内形成第二金属层,所述第二金属层与所述第一金属层相接触
并构成上极板金属层。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于:所述第一金属层的材料是
Ti/Pt/Au/Ti叠层,通过蒸镀或溅镀形成。
3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于:所述第一保护层的材料是与所述电
容介电质层或所述介电质层表层相同的绝缘材料。
4.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于:步骤6)中,所述绝缘层和所述第一保
护层在同一道光阻下进行蚀刻形成所述电容通孔。
5.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于:步骤6)中,通过涂布光阻,进行曝光和
显影形成预设蚀刻窗口,首先通过干法蚀刻去除所述预设蚀刻窗口之内的绝缘层,然