TCASME-半导体外延用碳化硅涂层石墨基座技术规范.pdf

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团体标准

T/XXXXXXX—XXXX

半导体外延用碳化硅涂层石墨基座技术规

范

TechnicalSpecificationforSiliconCarbideCoatedGraphiteSubstratefor

SemiconductorEpitaxy

（征求意见稿）

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

  发布

T/XXXXXXX—XXXX

目次

前言II

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4基本要求2

5技术要求3

6试验方法4

7检验规则5

8包装、运输和贮存6

9质量保证错误！未定义书签。

I

T/XXXXXXX—XXXX

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由××××提出。

本文件由中国中小商业企业协会归口。

本文件起草单位：×××、×××、×××。

本文件主要起草人：×××、×××、×××。

II

T/XXXXXXX—XXXX

半导体外延用碳化硅涂层石墨基座技术规范

1范围

本文件规定了半导体外延用碳化硅涂层石墨基座的基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包

装、运输和贮存等内容。

本文件适用于以高纯硅烷、高纯等静压石墨等为主要原料，经精密加工、纯化、化学气相沉积、表

面处理、清洗等工艺过程制备的超高纯半导体外延用碳化硅石墨基座制品。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

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