《半导体外延用碳化硅涂层石墨基座技术规范》.pdf

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半导体外延用碳化硅涂层石墨基座技术规范

1范围

本文件规定了半导体外延用碳化硅涂层石墨基座的基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包

装、运输和贮存等内容。

本文件适用于以高纯硅烷、高纯等静压石墨等为主要原料，经精密加工、纯化、化学气相沉积、表

面处理、清洗等工艺过程制备的超高纯半导体外延用碳化硅石墨基座制品。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T2828.1—2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划

GB/T3634.2氢气第2部分：纯氢、高纯氢和超纯氢

GB/T4842氩

GB/T8718炭素材料术语

GB/T16534精细陶瓷室温硬度试验方法

GB/T16535精细陶瓷线热膨胀系数试验方法顶杆法

GB/T17991精细陶瓷术语

GB/T22588闪光法测量热扩散系数或导热系数

GB/T25995精细陶瓷密度和显气孔率试验方法

GB/T30903无机化工产品杂质元素的测定电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）

GB/T31541精细陶瓷界面拉伸和剪切粘结强度试验方法十字交叉法

GB/T37246精细陶瓷抗热震性能试验方法

ISO/TS15338表面化学分析辉光放电质谱测定法

3术语和定义

GB/T17991和GB/T8718界定的术语和定义适用于本文件。

3.1

维氏硬度Vickershardness

假设无变形维氏压头在试样表面加载形成压痕，载荷除以根据压痕对角线长度平均值计算出的压痕

表面积所得的值就是维氏硬度。

注1：维氏硬度可以用两种单位表示：GPa和（维氏硬度数值）无量纲单位，其中以无量纲单位表示的维氏硬度数值

2

为荷载（以kgf为单位）与压痕表面积（以mm为单位）之比。

注2：建议优先采用GPa单位。

3.2

结合强度bondingstrength

镀层与基体结合力的大小，即单位表面积的镀层从基体(或中间涂层)上剥落下来所需的力。结合强

度单位：MPa。

3.3

颗粒particle

碳化硅涂层表面出现的外形为凸点或凸起状的形貌缺陷。颗粒缺陷的典型形貌为：沙丘状微型凸起，

一般呈散点状分布，肉眼可明显分辨的为大颗粒，肉眼不能明显分辨的为微型颗粒。

3.4

碎屑fragment

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碳化硅涂层沉积过程中，崩落的碳化硅碎片，落到基材或涂层表面，经过碳化硅生长后局部或全部

陷于碳化硅涂层中，形成大小不一、形状各异的形貌缺陷。碎屑缺陷典型的形貌为：有明显菱角的不规

则形状碎片，在碳化硅涂层表面有肉眼可见的明显凸起。

3.5

划痕scratch

碳化硅涂层表面一种浅的细沟槽，其长宽比大于5:1。

3.6

漏石墨leakygraphite

石墨基材表面在沉积碳化硅涂层后，导致局部点状区域的石墨基材没有覆盖碳化硅涂层而产生的漏

基材缺陷。

注：漏石墨缺陷另外一种典型来源为：碳化硅涂层表面存在颗粒或碎屑，在打磨处理过程中导致碳化硅涂层破损，

导致石墨基材漏出。

3.7

涂层脱落coatingshedding

石墨基材表面在沉积碳化硅涂层后，碳化硅涂层从表面脱落或剥落。涂层脱落缺陷的典型形貌为：

呈较大面积，且涂层脱落或剥落后漏出石墨基材。

4基本要求

4.1原材料要求

制备半导体外延用碳化硅涂层石墨基座的主要原材料包括但不限于等静压石墨（各向同性石墨）、

四氯化