GB/T 15653-1995金属氧化物半导体气敏元件测试方法.pdf
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Gatechargetestmethodforsiliconcarbidemetal‑oxidesemiconductorfield
effecttransistors（SiCMOSFET）
2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施
第三代半导体产业技术创新战略联盟发布
中国标准出版社出版
T/CASAS037—2024
目次
前言……………………………Ⅲ
引言……………………………Ⅳ
1范围…………………………1
2规范性引用文
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114563675 A
(43)申请公布日 2022.05.31
(21)申请号 202110428993.2 G01R 27/08 (2006.01)
(22)申请日 2021.04.
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基于氧化铜金属氧化物半导体气敏性能的研究.pdf
摘要
工业化的迅速发展和城市人口的增长导致空气污染越发严重。因此，开发出能够
准确且实时地进行气体检测的装置是非常有必要的。金属氧化物半导体气体传感器具
有效率高、可靠、低功耗、高灵敏度和体积小等优点，成为了检测有毒、有害、易燃
易爆气体的最佳候选者。氧化铜(CuO)作为一种典型的p型金属氧化物半导体，具
有成本低，制备方法简单，且寿命长等优点，但由于其初始电阻高，基于CuO的复
合材料通常要在较高的温度下才会具有气敏性能。因此，在气体传感器领域，Cu
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分级中空结构金属氧化物半导体：构筑策略与气敏特性的深度剖析
一、引言
1.1研究背景与意义
随着现代工业的飞速发展和人们对生活环境质量要求的不断提高，气体传感器在诸多领域发挥着不可或缺的作用。在环境监测方面，气体传感器能够实时检测大气中的有害气体，如二氧化硫（SO_2）、氮氧化物（NO_x）、挥发性有机物（VOCs）等污染物的浓度，为空气质量评估、环境污染预警提供关键数据支持，助力环境保护部门及时采取有效措施，改善大气环境。例如，在城市空气质量监测网络中，分布着大量的气体传感器，它们持续监测空气中各种污染物的含量，一旦污染物浓度超过阈值，便会发出警报，提醒相关部门进行治理。在工业安全领域，
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三元金属氧化物半导体赋能WO3：三乙胺气敏性能的革新与突破
一、引言
1.1研究背景与意义
在现代工业和日常生活中，三乙胺作为一种重要的有机化合物，被广泛应用于农药、染料、橡胶助剂及医药中间体的合成等领域。然而，三乙胺具有潜在毒性和易燃易爆特性。长期或高浓度暴露于三乙胺环境中，不仅会对人体健康造成严重威胁，引发呼吸道刺激、眼睛损伤、神经系统紊乱等问题，还可能因气体泄漏引发火灾或爆炸事故，对生命财产安全构成巨大隐患。因此，开发一种能够快速、准确、灵敏地检测三乙胺的技术，对于保障工业安全生产、环境保护以及人体健康具有至关重要的意义。
气敏传感器作为检测气体的重要工具，因其体积小、操作简便、成本
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半导体气敏元件.pdf
第期总第期()机械工程与自动化1
1128No1
年月1
20052MECHANICALENGINEERINGAUTOMATIONFeb
文章编号2()22
:16726413200501010503
半导体气敏元件
吴义炳
(福建农林大学机电学院福建福州,350002)
摘要首先介绍半导体气敏元件的工作原理然后从制备工艺、基材现状、测量方法三方面进行了综述。:,
关键词半导体气敏元件制备工艺:;;
中图分类号1文献标识码
:TN30492:A
0引言使电阻下降。
随着纳米技术的发展与该项技术相结合的半导,空气中的氧成分大体上是恒定的因而氧的吸附,
体气敏器件由于具有灵敏度高、响应时间和恢复时
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《纳米氧化物半导体传感器件的制作和气敏特性测试》
一、引言
随着科技的发展，传感器在各个领域的应用越来越广泛。其中，纳米氧化物半导体传感器件因其高灵敏度、快速响应和良好的选择性等优点，在气体检测、环境监测、工业控制等领域具有广泛的应用前景。本文将详细介绍纳米氧化物半导体传感器件的制作过程以及其气敏特性的测试方法。
二、纳米氧化物半导体传感器件的制备
1.材料准备
制备纳米氧化物半导体传感器件所需材料主要包括纳米氧化物半导体材料、导电材料（如银、金等）、基底材料（如氧化铝、玻璃等）以及其他辅助材料。这些材料应具有良好的化学稳定性和热稳定性，以确保传感器件的长期稳定性和可靠性。
2.制作工艺
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在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上
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引言……………………………Ⅳ
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前言……………………………Ⅲ
引言……………………………Ⅳ