集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件 9.5 光刻-其它曝光技术.pptx

特殊字体双击安装安装后重启PPT请先安装字体 集成电路制造技术集成电路制造技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺主讲/某某某 其它曝光技术第九章 光刻技术其它曝光技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 其它曝光技术电子束光刻 X-射线光刻 离子束光刻新技术展望 其它曝光技术 1电子束光刻电子束曝光是用低功率密度的电子束直接描画或投影照射电致抗蚀剂，经显影后在抗蚀剂中产生图形的一种微细加工技术。 它的特点是分辨率高、图形产生与修改容易、制作周期短。电子束光刻已应用于制造高精度掩模版、移相掩膜版和x射线掩模版。 其它曝光技术 1电子束光刻电子束扫描方向光刻胶衬底实际光刻胶图像电子束散射效应示意图理想线CBA电子束曝光过程中的邻近效应示意图电子束的散射有前向散射和背散射，背散射角大，是造成邻近效应的主要原因 其它曝光技术 2X射线光刻以高强度的电子束轰击金属靶材，使其发射X射线，X射线作为曝光光源。掩膜版：为了X-射线能够透过，掩膜版很薄，对X射线透明的Si、SiN、BN和聚酯薄膜为基片在上面淀积金薄膜。电子束制版方法制备掩膜版。 其它曝光技术 2X射线光刻在电子抗蚀剂中加入铯、铊等，能增加抗蚀剂对X-射线的吸收能力，可以使之作为X-射线抗蚀剂。吸收体(Au,W,Ta)薄膜(BN,Si3N4,Si,SiC)衬底(Si芯片)框架IBM X射线掩膜版 其它曝光技术 2X射线光刻光源光谱掩模版圆片dDSWWrSdSdxx几何畸变X射线曝光系统图形畸变示意图　　影响分辨率的不是衍射，而是半阴影和几何畸变。 其它曝光技术 3离子束光刻利用离子本身具有的能量来实现各种工艺目的；离子束光刻采用液态原子或液态原子电离后形成的离子通过电磁场加速及电磁透镜的聚焦或准直后对光刻胶进行曝光。 离子束注入，是利用元素离子本身所具有的化学性质--掺杂效应，通过将高能杂质离子注入到半导体晶体表面，以改变晶体表面的化学性质和物理性质；离子能量在10keV以下时，离子束常被用来作为离子束刻蚀和离子束外延；当能量在几十至70keV时，则被用作离子束曝光。 其它曝光技术 3离子束光刻金属离子源质量分离器下透镜基体上透镜引流管多通道平台CVD喷嘴聚焦离子束系统截面示意图 其它曝光技术 4浸入式光刻全氟聚烷基醚油用水替代空气 一、 概述2.2离子注入相关理论基础1. 核碰撞四级标题字体：正文中文：思源黑体 CN Medium思源黑体 CN Normal 英文： Times New RomanCambria Math 基础字号：28 色调：一级标题二级标题三级标题请老师确认模板中使用的元素是否符合需求可用使用四级标题备注：封面为了效果更突出，用了思源宋体，如果不需要可以直接更换为思源黑体即可