集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件 绪论.pptx

集成电路制造技术集成电路制造技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺 绪论绪论JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 集成电路制造技术 1.1 集成电路制造技术主要内容1.2 IC制造技术的发展历程目 录CONTENTS 一、集成电路制造技术狭义上就是介绍硅片上制造集成电路的工作、方法和技术。广义上应包含半导体集成电路和分立器件芯片制造及测试封装的工作、方法和技术。 一、集成电路制造技术硅基集成电路芯片的生产过程 一、集成电路制造技术n+npn+ebcnpn晶体管芯片的工艺流程由5个单项工艺：按照一定的顺序排列而成。 一、集成电路制造技术必须有隔离工艺有金属布线互连系统工艺是在分立器件工艺基础上发展起来的同一单项工艺基本相同，但是要求会更高与分立器件工艺最大不同：此外，集成电路工艺更复杂。集成电路芯片工艺与分立器件工艺的异同 二、集成电路制造技术的发展历程飞乐729老晶体管收音机晶体管计算机微电子产品的高速发展是以集成电路的进步为基础的 二、集成电路制造技术的发展历程2.1晶体管的诞生1947年贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管 二、集成电路制造技术的发展历程2.2集成电路的诞生1958年德州仪器公司的 J.kilby研制出第一个集成电路 二、集成电路制造技术的发展历程2.2集成电路的诞生仙童半导体公司的R. Noyce提出：用蒸发淀积金属代替焊接导线的方法，解决了集成电路元件相互连接的难题。1959年，德州仪器和仙童半导体公司分别申请了集成电路发明专利。基尔比被誉为“第一块集成电路的发明家”。诺依斯被誉为“提出了适合于工业生产的集成电路理论”的人。1969年法院确认集成电路是一项同时的发明。 二、集成电路制造技术的发展历程硅平面工艺主要有氧化、光刻、扩散掺杂、蒸镀金属四个基本单项工艺。 1960年代初，出现了硅外延工艺；1970年代，离子注入工艺成为超大规模集成电路标准掺杂工艺；1980年代，新工艺，新技术，不断出现，推动微电子业高速发展；1987年成立的台湾积体电路公司是全球第一个集成电路标准加工厂（Foundry）；1990年代之后IC制造高度专业化，形成设计、芯片制造、测试、封装4个相对独立行业；2000年铜多层互连工艺被普遍采用；二、集成电路制造技术的发展历程2.3集成电路制造技术的高速发展N+-SiN--Si 二、集成电路制造技术的发展历程2.3集成电路制造技术的高速发展摩尔定律摩尔定律是由英特尔(Intel)创始人之一戈登·摩尔(Gordon Moore)提出来的。其内容为:当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18-24个月翻一倍以上。这一定律揭示了信息技术进步的速度。 第一代电子产品--真空电子管二、集成电路制造技术的发展历程2.4IC芯片制造技术的未来电子产品的发展趋势：更小、更快、更冷。集成电路制造已进入纳米尺度，将面临着重大技术挑战第二代微电子产品--集成电路第三代纳电子产品--单电子器件 一、 概述2.2离子注入相关理论基础1. 核碰撞四级标题字体：正文中文：思源黑体 CN Medium思源黑体 CN Normal 英文： Times New RomanCambria Math 基础字号：28 色调：一级标题二级标题三级标题请老师确认模板中使用的元素是否符合需求可用使用四级标题备注：封面为了效果更突出，用了思源宋体，如果不需要可以直接更换为思源黑体即可 集成电路制造技术集成电路制造技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺 集成电路制造技术集成电路制造技术工艺基本要求JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 集成电路制造技术工艺基本要求1.1超净环境超净环境应包括工作室、操作者、操作过程三方面的超净 集成电路制造技术工艺基本要求1.1超净环境 集成电路制造技术工艺基本要求1.1超净环境 集成电路制造技术工艺基本要求1.2超纯材料SiGe 集成电路制造技术工艺基本要求1.2超纯材料我国电子级水质技术分为五个等级：18MΩ.cm；15MΩ.cm；10MΩ.cm；2MΩ.cm；0.5MΩ.cm 集成电路制造技术工艺基本要求1.3批量复制4英寸晶圆8英寸MOS IC 集成电路制造技术工艺基本要求1.3批量复制 一、 概述2.2离子注入相关理论基础1. 核碰撞四级标题字体：正文中文：思源黑体 CN Medium思源黑体 CN Normal 英文： Times New RomanCambria Math 基础字号：28 色调：一级标题二级标题三级标题请老师确认模板中使用的元素是否