集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件 绪论--2 集成电路制造技术工艺基本要求.pptx

特殊字体双击安装安装后重启PPT请先安装字体 集成电路制造技术集成电路制造技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺主讲/田丽王蔚 集成电路制造技术集成电路制造技术工艺基本要求JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 集成电路制造技术工艺基本要求1.1超净环境超净环境应包括工作室、操作者、操作过程三方面的超净 集成电路制造技术工艺基本要求1.1超净环境 集成电路制造技术工艺基本要求1.1超净环境 集成电路制造技术工艺基本要求1.2超纯材料SiGe 集成电路制造技术工艺基本要求1.2超纯材料我国电子级水质技术分为五个等级：18MΩ.cm；15MΩ.cm；10MΩ.cm；2MΩ.cm；0.5MΩ.cm 集成电路制造技术工艺基本要求1.3批量复制4英寸晶圆8英寸MOS IC 集成电路制造技术工艺基本要求1.3批量复制 一、 概述2.2离子注入相关理论基础1. 核碰撞四级标题字体：正文中文：思源黑体 CN Medium思源黑体 CN Normal 英文： Times New RomanCambria Math 基础字号：28 色调：一级标题二级标题三级标题请老师确认模板中使用的元素是否符合需求可用使用四级标题备注：封面为了效果更突出，用了思源宋体，如果不需要可以直接更换为思源黑体即可