中束流离子注入机.docx
文本预览下载声明
M/C离子注入机
§1.概述
在半导体行业中，离子注入的机台主要分为高能量〔H/E〕，大束流〔H/C〕，中束流〔M/C〕三种。这里主要介绍的是中束流的离子注入机台。
中束流机台〔MediumCurrent〕一般是单个晶片进展注入，注入的剂量一般在1E11到1E14之间，而能量则在5kev到200kev之间。
我们常常用到的4种离子为：
1．B
12Kev
1.6E12
30μA
2．B
185Kev
2.254E13
156μA
3．P
20Kev
6E13
850μA
4．As
200Kev
2.7E12
50μA
§2.M/C机台介绍
型号
我们常见的
显示全部