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y p o 半导体工艺原理 内内 容容 简简 介介 离子注入掺杂 是将掺杂剂通过离子注入机的离 第5章 离子注入掺杂 是将掺杂剂通过离子注入机的离 化化、、加速加速和和质量质量分析分析，，成为一束由所需成为一束由所需杂质离子杂质离子组成组成 的的高能离子流高能离子流而投入半导体晶片而投入半导体晶片((靶靶)) 内部内部，，并通过并通过逐逐 C 点扫描点扫描完成对整块晶片的完成对整块晶片的注入注入。。 低温掺杂技术 离子注入技术的应用: 离子注入技术的应用: — — 离子注入 MOS 型IC 双极型IC 公用工艺 1.源漏的自对准掺杂 1.形成基区 1. 增强扩散 t 2.场注入 2. 形成发射区 2. 损伤吸杂 2010·春 3.调整MOS管的阈值电压 3. 埋层 3. 增速腐蚀 4. CMOS阱的形成 4. 肖特基二极管 ((利用损伤利用损伤)) o 5.形成浅结或电阻 5. 电阻((扩散扩散)) N XAUT 西安理工大学电子工程系 王彩琳 2010-5 -12 2 5-1 离子注入系统（5.5 ） 5.1 离子注入系统简介 o 5- 1 离子注入系统 （5.5 ） 5-2 能量损失机构 （5.2 ） 5-2 能量损失机构 （5.2 ）