DB13T 1632-2012 太阳能级多晶硅块.pdf

ICS29.045

H82

DB13

河北省地方标准

DB13/T1632—2012

太阳能级多晶硅块

Solargradepolycrystallinesoliconblock

2012-09-28发布2012-10-15实施

河北省质量技术监督局发布

DB13/T1632—2012

前言

本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。

本标准起草单位：英利集团有限公司。

本标准起草人：张晓芳、李英叶、刘学峰、鲁晓辉。

I

DB13/T1632—2012

太阳能级多晶硅块

1范围

本标准规定了太阳能级多晶硅块的产品分类、要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮

存。

本标准适用于太阳能级P型多晶硅块。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文

件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T191-2008包装储运图示标志

GB/T1550-1997非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1551-2009硅单晶电阻率测定方法

GB/T1553-2009硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

GB/T1557-2006硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB/T1558-2009硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

3分类

产品按照外形尺寸（长×宽）分为125mm×125mm和156mm×156mm，且有效高度应≥40cm，或由供需

双方协商。

4要求

4.1外观

太阳能级多晶硅块外观在有效高度内要求无目视可见裂纹、崩边、崩块、缺口。

4.2性能

太阳能级多晶硅块的性能要求，见表1。在表中未列出的规格要求由供需双方协商。

表1太阳能级多晶硅块性能要求

项目要求

氧含量O/(atoms/cm3)O≤1.0×1018

317

碳含量C/(atoms/cm)C≤8.0×10

电阻率ρ/(Ω·cm)0.5≤ρ≤4

少子寿命τ/μsτ≥1

1

DB13/T1632—2012

4.3尺寸

4.3.1太阳能级多晶硅块侧面表面粗糙度Ra≤0.8μm。

4.3.2太阳能级多晶硅块相邻两面角度为90°±0.3°,