(太阳能级多晶硅)国家标准.doc

前 言 本标准为适应我国光伏产业日益发展的需要，在SEMI 16-1296《规范》标准的基础上，结合我国晶硅生产、试验、使用的实际情况制定本标准制定满足市场及用户对太阳能级多晶硅的质量要求。 本标准考虑了目前市场上的大部分多晶料，包括：棒状料、块状料、颗粒料根据不同种类的多晶加工、生产太阳能电池其转换率情况，将太阳能级多晶纯度分为三级SEMI 16-1296相比增加了基体金属杂质内容。 本标准的术语与相关标准协调一致。 本标准由中国有色金属工业提出本标准由国归口本标准起草单位：洛阳中硅高科技有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司本标准主要起草人： 太阳能级多晶硅 范围 本标准规定了太阳能级多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、运输及贮存。 本标准适用于，生产的棒状、多晶硅、。产品主要用于太阳能级单晶硅棒和多晶硅锭的生产。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T 1551 硅、锗单晶电阻率测试 探针法GB/T 1552 硅、锗单晶电阻率测试 直排四探针法GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 硅代位碳含量红外吸收方法 GB/T 4059 硅多晶气氛区熔磷检验法 GB/T 4060 硅多晶真空区熔基硼检验法GB/T 4061 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法 GB/T 14264 半导体材料术语 3.1分类 产品按外型分为棒状、块状和，根据的差别分为级。 牌号 多晶牌号表示为： SGPSi—□—□ 阿拉伯数字表示多晶等级 字母I表示棒状，N表示块状、G表示粒状 表示太阳能级多晶 技术要求 4.1等级 太阳能级多晶的应符合表1的规定表1 项目 太阳能级多晶等级 1级品 2级品 3级品 电阻率，Ω·cm ≥0 ≥40 ≥20 基硼电阻率，Ω·cm ≥500≥200 ≥100 少数载流子寿命，μs ≥100 ≥50 ≥0 氧浓度，at/cm3 ≤1.0×1017 ≤1.0×1017 ≤1.5×1017 碳浓度，at/cm3 ≤2.5×1016 ≤4.0×1016 ≤4.5×1016 项目 太阳能级多晶等级 1级品 2级品 3级品 ≤1.5 ≤5.4 ≤50.4 受主杂质浓度ppba ≤0.5 ≤2.7 ≤27 基体金属杂质，ppmw Fe、Cr、Ni、Cu、ZnTMI(Total metal impurities)总金属杂质含量：≤0.05 Fe、Cr、Ni、Cu、ZnTMI(Total metal impurities)总金属杂质含量：≤0.1 Fe、Cr、Ni、Cu、ZnTMI(Total metal impurities)总金属杂质含量：≤0.2 注： 1，基体金属杂质 4.2尺寸范围 破碎的块状多晶具有无规则的形状和随机尺寸分布，其线性尺寸最小为mm，最大为00mm。 块状多晶硅的尺寸分布范围为： ～25mm的最多占重量的15%； 25～0mm的占重量的15%～35%； 0～00mm的最少占重量的65%。～棒状多晶硅的直径、长度尺寸由供需双方商定。结构及表面质量 块状、棒状多晶结构应致密。 多晶硅免洗或经过表面清洗，都应使其达到直接使用要求。所有多晶硅的外观应无色班、变色，无可见的污染物和氧化的外表面。测试方法多晶硅导电类型检验按GB/T 1550测试 5.2多晶硅电阻率按GB/T 155测试 5.3少数载流子寿命测量按GB/T 155测试 5.4多晶硅中氧浓度测量按GB/T 155测试 5.5多晶硅中碳浓度测量按GB/T 1558测试 5.6多晶硅断面夹层检验按GB/T 4061测试多晶硅中的含量按照测试少数载流子寿命测量按测试棒状多晶硅的尺寸用游标卡尺测量，块状多晶硅粒状多晶硅的尺寸分布范围用过筛检验，或由供需双方商定的方法检验。 多晶硅的表面质量用肉眼检查 6 检验规则 检查和验收 产品应有供方质量监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准规定，并填写产品质量证明书。 需方可对收到的产品进行检验。若检验结果与本标准规定不符时，应在收到产品之日起个月内向供方提出，由供需双方协商解决。 组批 产品应成批提交验收，每批应有同一牌号，以类似工艺条件生产并可追溯生产条件的多晶组成。 检验项目 每批产品应进行电阻率、电阻率少数载流子寿命、氧碳浓度、结构、表面质量和尺寸的检验基体金属杂质由供需双方协商。 供方取样、制样应按GB4059、GB4060 、GB4061进行。 检验结果判定 多晶硅的由电阻率、电阻率少数载流子寿命、氧碳