DB13T 1632-2012 太阳能级多晶硅块.docx

ICS29.045H82

DB13

河北省地方标准DB13/T1632—2012

太阳能级多晶硅块

Solargradepolycrystallinesoliconblock

2012-09-28发布2012-10-15实施

河北省质量技术监督局发布

I

DB13/T1632—2012

前言

本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。本标准起草单位：英利集团有限公司。

本标准起草人：张晓芳、李英叶、刘学峰、鲁晓辉。

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DB13/T1632—2012

太阳能级多晶硅块

1范围

本标准规定了太阳能级多晶硅块的产品分类、要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存。

本标准适用于太阳能级P型多晶硅块。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T

191-2008

包装储运图示标志

GB/T

1550-1997

非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T

1551-2009

硅单晶电阻率测定方法

GB/T

1553-2009

硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

GB/T

1557-2006

硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB/T

1558-2009

硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

3分类

产品按照外形尺寸（长×宽）分为125mm×125mm和156mm×156mm，且有效高度应≥40cm，或由供需双方协商。

4要求

4.1外观

太阳能级多晶硅块外观在有效高度内要求无目视可见裂纹、崩边、崩块、缺口。

4.2性能

太阳能级多晶硅块的性能要求，见表1。在表中未列出的规格要求由供需双方协商。表1太阳能级多晶硅块性能要求

项目

要求

氧含量O/(atoms/cm3)

O≤1.0×1018

碳含量C/(atoms/cm3)

C≤8.0×1017

电阻率ρ/(Ω·cm)

0.5≤ρ≤4

少子寿命τ/μs

τ≥1

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DB13/T1632—2012

4.3尺寸

4.3.1太阳能级多晶硅块侧面表面粗糙度Ra≤0.8μm。

4.3.2太阳能级多晶硅块相邻两面角度为90o±0.3o,如图1所示。

4.3.3太阳能级多晶硅块倒角长度为1.5mm±1.0mm，倒角角度为45o±10o,如图1所示。

4.3.4太阳能级多晶硅块截面中，a、b尺寸为125mm±0.5mm或156mm±0.5mm，如图1所示。

4.4太阳能级多晶硅块有效切割范围内不允许出现红外探伤可视杂质。

图1硅块截面图

5试验方法

5.1太阳能级多晶硅块的外观检验用目测检查。

5.2太阳能级多晶硅块氧含量检验按GB/T1557进行。

5.3太阳能级多晶硅块碳含量检验按GB/T1558进行。

5.4太阳能级多晶硅块电阻率检验按GB/T1551进行。

5.5太阳能级多晶硅块少子寿命检验按GB/T1553进行。

5.6太阳能级多晶硅块侧面表面粗糙度检验用粗糙度仪或相应精度的量具进行，测试点选取硅块侧面任何一点，两端面不用测量。

5.7太阳能级多晶硅块的相邻两边的角度检验用万能角度尺或相应精度的量具进行。

5.8太阳能级多晶硅块外形尺寸检验用游标卡尺或相应精度的量具进行。

5.9太阳能级多晶硅块的倒角角度检验用万能角度尺或相应精度的量具进行。

5.10太阳能级多晶硅块基体杂质阴影检测用红外探伤仪或相应测量仪器进行。

3

DB13/T1632—2012

6检验规则

6.1检验分类

检验分为出厂检验和型式检验。

6.1.1出厂检验

出厂检验项目为：外观、电阻率、少子寿命、尺寸、杂质，要求产品100%检验。

6.1.2型式检验

型式检验的项目为本标准规定的所有项目。有下列情况之一时，产品应进行型式检验：

a)生产的试验定型鉴定；

b)正式生产后，如生产工艺有较大的变动，可能影响硅块性能时；

c)停产超过一年重新恢复生产时；

d)出厂检验结果与上次型式检验有较大差异时；

e)质量监督机构提出进行型式检验的要求时。

6.2判定规则

全部项目检验合格则判定该产品合格。

7包装、标志、运输、贮存

7.1包装

根据产品的实际尺寸、质量、包装数量等参数设计防震材料进行包装，并在内部附加必要的缓冲