《数字电子技术基础教学课件》上课用第七章-清华.pptx

《数字电子技术基础》（第五版）教学课件

刘伯恕福州大学电气工程与自动化学院电工电子教学中心

第七章半导体存储器

概述半导体存储器：存储大量二值信息（或称为二值数据）的半导体器件。只能读出不能写入,断电不失有时往里写数，有时往外读数,断电即失

详细分类：掩模ROM可编程ROM（PROM）可擦除可编程ROM（EPROM）随机存储器RAM静态存储器SRAM动态存储器DRAMUVEPROMEEPROM只读存储器ROMFlashMemory电可擦除紫外线擦除快闪存储器生产出来内容固定用户无法改变只可以一次编程，现在不大用可多次编程，用得多

No.1只读存储器(ROM)No.27.2.1掩模ROM又称为固定ROM。工厂按用户要求生产出来后，用户不能改动。

一、结构存储矩阵：分为N行，M列，交点是存储单元（下面会讲），存储单元里可以存1或0地址译码器：是二进制译码器。输入是”地址输入”，n位，输出是N=2n位,每一个输出对应着存储矩阵的一行。对应于不同的地址，输出中就有一根有效（有效可以是低电平也可以是高电平）。输出线是存储矩阵的输入线，称为字线。选中了一根字线，就选中了这根字线上的存储单元。存储矩阵的输出，称为位线。选中的存储单元的数，通过位线送出去。

工作过程：来一组地址码，选中一根字线，字线所对应的存储单元的数据，从位线上送出来。输出是什么，取决于各个存储单元存的数。如果地址n＝10位，数据输出8位，ROM矩阵的容量？存储器的容量：“字数?位数”二、存储器的容量

存储单元：图中的存储矩阵有四条字线和四条位线。共有十六个交叉点，每个交叉点都可看作一个存储单元。01如：字线W0与位线有四个交叉点，其中与位线d0和d2交叉处接有二极管。当选中W0（设为高电平）字线时，两个二极管导通，使位线d0和d2为“1”，这相当于接有二极管的交叉点存“1”。02储存单元：除了可由二极管构成外，还可由双极性三极管或MOS管构成。03

ROM中的存储数据:交叉点处接有二极管时，相当于存“1”；交叉点处没有接二极管时，相当于存“0”；ROM中的存储数据表W0W1W2W3d0d1d2d300010101001010110100010010001110数据利用存储器件的导通或截止来存储一位二进制数。

简化的ROM存储矩阵阵列图：存储矩阵的点阵图W3=A1A0W2=A1A?0W1=A?1A0W0=A?1A?0A1A0地址译码器d3d2d1d0从点阵图得输入输出关系：不关心内部怎么构成，只关心存0还是存1：点个“?”，存入1；没有“?”，存入0A0A1d0d1d2d30001011011101111100110010011

A0A1d0d1d2d3000101011011100100111110若给的是存储器的真值表，能写出输出表达式吗？（竖看表）以上我们学习了从“点阵图”?“输入输出关系表”（真值表）

W3=A1A0W2=A1A?0W1=A?1A0W0=A?1A?0A1A0地址译码器d3d2d1d0ROM点阵图与矩阵或矩阵地址译码器相当于“与”矩阵，提供最小项存储矩阵相当于“或”矩阵，将所得与项有选择地相加与矩阵固定或矩阵可编程的。“?”可以点在不同位置

举例：地址译码器二极管与门阵列组成的二进制译码器“与”逻辑

三MOS场效应管构成的存储矩阵负载管，相当于电阻100000111100选中选中导通导通

7.2.2可编程ROM（PROM）总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同

7.2.3可擦除的可编程ROM（EPROM）总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同UVEPROM－－－用紫外线擦除的PROM最早出现的EPROM。通常说的EPROM就是指这种。

N沟道增强型MOS管；有两个栅极。构造：在控制栅GC上