数字电子技术基础第五版第七章.pptx

第七章半导体存储器

7.1概述半导体存储器:能存储大量二值信息的器件。特点:1.单元数庞大；2.输入/输出引脚数目有限。输入/输出电路I/O输入/输出控制一、一般结构形式

从工艺分：双极型MOS型随机读/写（RAM,Random-Access-Memory）从存/取功能分：分类只读存储器(ROM,Read-Only-Memory）掩模ROM可编程PROM可擦除的可编程EPROM

ROM掩模ROM结构

举例字线输出W0-W3位线输出d3-d0

A0~An-1W0W(2n-1)D0Dm地址数据A1A0D3D2D1D0000101011011100100111110

两个概念：存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0”。存储器的容量：“字数x位数”。

掩模ROM的特点：出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产。简单，便宜，非易失性。

7.2.2可编程ROM（PROM）总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同。1.熔丝由易熔合金制成；2.出厂时，每个结点上都有熔丝；3.编程时，将某些熔丝烧断；4.是一次性编程，不能改写。

可编程ROM（PROM）总体结构与掩模ROM一样，但交叉点上都制作有存储元件，即都存1。写入时，要使用编程器写0时，使Vcc和选中的字线提高到编程所要求的高电平，同时在编程单元的位线上加入编程脉冲（幅度约20V，持续时间约十几微秒）将相应的熔丝熔断。通过电阻接地

7.2.3可擦除的可编程ROM（EPROM）总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同。用紫外线擦除的PROM（UVEPROM）

叠栅注入MOS管

电可擦除的可编程ROM（E2PROM）总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同。

经上拉电阻接VDD

快闪存储器（FlashMemory）为提高集成度，省去T2（选通管），改用叠栅MOS管（类似SIMOS管）。作业：P3837.1，7.2，7.7

7.3随机存储器RAM7.3.1静态随机存储器（SRAM）结构与工作原理

A9164行264列364列分为16*41024X4位RAM（2114）的结构框图4

六管N沟道增强型MOS管

7.3.2*动态随机存储器（DRAM）动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理

7.4存储器容量的扩展7.4.1位扩展方式适用于每片RAM、ROM字数够用而位数不够时。接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可。例：用八片1024x1位1024x8位的RAM

7.4.2字扩展方式适用于每片RAM、ROM位数够用而字数不够时。1024x8RAM例：用四片256x8位→1024x8位RAM。片选信号：CS’CS

000111011011101101111110(2)(3)(4)

字扩展方式

7.5用存储器实现组合逻辑函数一、基本原理从ROM的数据表可见： 若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数。地址数据A1A0D3D2D1D0000101011011100100111110A0~An-1W0W(2n-1)

二、举例

作业：P383，7.3，5，7.8用ROM实现的八段显示译码器