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等离子体刻蚀的多目标优化设计研究
一、引言
等离子体刻蚀作为半导体制造等领域的关键技术，对芯片性能与制造精度有着决定性影响。随着行业对器件尺寸不断减小、性能持续提升的需求，传统单目标优化的刻蚀工艺已难以满足复杂的生产要求。多目标优化设计旨在同时优化刻蚀过程中的多个性能指标，如刻蚀速率、刻蚀均匀性、选择比等，为提升等离子体刻蚀工艺水平开辟新途径。
二、等离子体刻蚀原理概述
（一）等离子体产生
通过射频电源等手段，在刻蚀气体中施加电场，使气体分子电离，形成包含电子、离子和中性粒子的等离子体。例如，在常见的电容耦合等离子体（CCP）刻蚀系统中，射频电源加载在电极上，引发气体电离。
（二）刻蚀过程
等
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