SJ 21130-2016 等离子体刻蚀机通用规范.pdf
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等离子体刻蚀机(至圣)培训.ppt
等离子刻蚀培训射频功率反射功率特气流量真空压力DCAB主程序的主要步骤一、主程序的主要步骤1、Pumpdown这步主要是预抽，抽掉一些杂质气体。这时压力降到10，000mt，大约是十分之一个大气压。蝶阀处在位置模式，固定开合度，使压力快速降到设定值。2、Flowgas往反应室充入反应气体。压力进一步降到5，000mt。蝶阀仍处在位置模式。3、Servo此步主要起稳压的作用，让反应气体均匀充满整个反应室。压力进一步降到230mt，达到辉光放电所需的真空条件。蝶阀处在压力模式，通过控制蝶阀的开合度，精确控制真空压力大小。开启射频源，产生等离子体，反应开始。开启旋转体，让硅片每边都有均等机会接触到等
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深亚微米刻蚀与等离子体源.pdf
DOI: 10. 16262 /j .cnki . 1000 -8217. 1996.01.008
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114551194 A
(43)申请公布日 2022.05.27
(21)申请号 202210153343.6
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(71)申请人 四川大学
地址 610065 四川
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114464517 A
(43)申请公布日 2022.05.10
(21)申请号 202210054707.5
(22)申请日 2022.01.18
(71)申请人 胡德立
地址 246000 安徽
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SJT 11339-2016 数字电视等离子体显示器通用规范.pdf
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《等离子体刻蚀技术研究》课件.ppt
等离子体刻蚀技术研究;课题背景与研究意义;等离子体技术的发展历程;等离子体刻蚀在半导体制造中的重要性;等离子体基本物理概念;等离子体的形成与特性;等离子体电离过程;等离子体能量分布;刻蚀技术发展简介;干法刻蚀与湿法刻蚀的比较;等离子体刻蚀的基本原理;离子轰击机制;化学反应与物理溅射;刻蚀速率影响因素;等离子体参数控制;气体压力对刻蚀的影响;电极间距的作用;射频功率与刻蚀质量;常用等离子体刻蚀设备;平行板反应腔;感应耦合等离子体源;电子回旋共振等离子体源;不同刻蚀工艺比较;硅片刻蚀工艺;金属薄膜刻蚀技术;介质层刻蚀方法;深硅刻蚀技术;MEMS器件制造中的等离子体刻蚀;微电子领域应用;光电子器件制
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基于胶体刻蚀的等离子体共振.doc
基于可转移手性HNVA薄膜的柔性手性装置
摘要
胶体刻蚀（CL）作为一种新型纳米加工技术，可被应用于低成本，大面积制备多种纳米结构阵列中，而这些纳米结构在等离子体共振领域展现出了良好性能。由于贵金属表面等离子体共振对光的选择性吸收、产生光学近场增强等物理效应，其在手性等离子体超材料的构筑及应用方面具有较大潜力。从胶体刻蚀开始，通过等离子体纳米结构，向手性超材料进发，展示了一个开发所有这三个研究领域的强大战略。
由Au、Ag纳米壳组成的空心纳米火山口阵列膜，可通过低成本且高效的胶体刻蚀技术制备出来。通过控制Au和Ag纳米壳的相对位置，可以产生不同的手性不对称性。由于不对称的电流振荡和电场分布，
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金刚石等离子体刻蚀技术发展.docx
金刚石等离子体刻蚀技术发展
目录
内容概览．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．3
1.1研究背景．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．3
1.2金刚石等离子体刻蚀技术的重要性．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4
1.3文献综述．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4
金刚石等离子体刻蚀技术原理．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．6
2.1等离子体刻蚀基本原理．．．．．．．．．．．．．．
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一种具备除尘功能的等离子体刻蚀机.pdf
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214133107 U
(45)授权公告日 2021.09.07
(21)申请号 202022292626.8
(22)申请日 2020.10.15
(73)专利权人 江苏金圣硅基新材料研究院有限
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5第五章+真空等离子体与刻蚀技术.pdf
第五章 真空、等离子体
与刻蚀技术
5.1 真空与等离子体
主要内容
5.1.1 真空压力范围与真空泵结构
5.1.2 真空密封与压力测量
5.1.3 等离子产生
微电子工艺除了之前介绍的常压工艺外，还有的工艺需要在
真空腔室内进行，例如等离子体刻蚀。这里将介绍一些用于产生、
容纳、测量真空的基本设备。
5.1.1 真空压力范围与真空泵结构
初真空
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等离子体刻蚀的多目标优化设计研究.docx
等离子体刻蚀的多目标优化设计研究
一、引言
等离子体刻蚀作为半导体制造等领域的关键技术，对芯片性能与制造精度有着决定性影响。随着行业对器件尺寸不断减小、性能持续提升的需求，传统单目标优化的刻蚀工艺已难以满足复杂的生产要求。多目标优化设计旨在同时优化刻蚀过程中的多个性能指标，如刻蚀速率、刻蚀均匀性、选择比等，为提升等离子体刻蚀工艺水平开辟新途径。
二、等离子体刻蚀原理概述
（一）等离子体产生
通过射频电源等手段，在刻蚀气体中施加电场，使气体分子电离，形成包含电子、离子和中性粒子的等离子体。例如，在常见的电容耦合等离子体（CCP）刻蚀系统中，射频电源加载在电极上，引发气体电离。
（二）刻蚀过程
等
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