多晶硅工艺流程讲解.pptx

多晶硅铸锭工艺流程讲解.pdf 铸定工艺讲解铸定工艺讲解阶段步骤时间/H Heat 5 4 Melt 12 12 Growth 7 25 Anneal 3

2017-08-26 约9.97千字 19页立即下载

多晶硅制作工艺流程简介.pdf 多晶硅制作工艺流程简介 1、改良西门子法是目前主流的生产方法 多晶硅是由硅纯度较低的冶金级硅提炼而来，由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、硅烷法和流化床法。改良西门子法是目前主流的生产方法，采用此方法生产的多晶硅约占多晶硅全球总产量的 85％。但这种提炼技术的核心工艺仅仅掌握在美、德

2017-05-19 约3.64千字 4页立即下载

铸锭多晶硅的工艺流程.docx -- -- -- -- 铸锭多晶硅的工艺流程 铸锭多晶硅工艺和直拉单晶工艺都属于定向凝固过程，不过后者不需要籽晶。当硅料完全溶化后，缓慢下降坩埚,通过热交换台进展热量交换，使硅熔液形成垂直的，上高低低的温度梯度，保证垂直方向散热，此温度梯度会使硅在锅底产生很多自发晶核，自下而上的结晶,同时要求固液界面水平,这些自发晶核开头长大,由下而上地生长，直到整锅熔体结晶完毕，定向凝固就完成了，当全部的硅都固化之后,铸块再经过退火,冷却等步骤最终生产出高质量的铸锭。冷却到规定温度后，开炉出锭。铸锭多晶硅的优缺点相对于直拉单晶来说,铸锭多晶硅有如下优点１、备制造简洁,简洁实现全自动掌握。

2025-04-19 约5.95千字 12页立即下载

单晶、多晶硅片生产工艺流程详解.doc 　　在【技术应用】单晶、多晶硅片生产工艺流程详解（上）中，笔者介绍了单晶和多晶硅片工艺流程的前半部分，概述了一些工艺流程和概念，以及术语的相关知识。而本文则是从切片工艺开始了解，到磨片和吸杂，看硅片如何蜕变。　　切片　　切片综述　　当单晶硅棒送至硅片生产区域时，晶棒已经过了头尾切除、滚磨、参考面磨制的过程，直接粘上碳板，再与切块粘接就能进行切片加工了。　　为了能切割下单个的硅片，晶棒必须以某种方式进行切割。切片过程有一些要求：能按晶体的一特定的方向进行切割；切割面尽可能平整；引入硅片的损伤尽可能的少；材料的损失尽量少。　　碳板　　当硅片从晶棒上切割下来时，需要有某样东西能防止硅片松

2017-06-07 约9.52千字 11页立即下载

2018-05-28 约3.29万字 17页立即下载

硅片多晶硅切割工艺及流程设计.doc Xinyu College 毕业设计（论文）题目硅片（多晶硅）切割工艺及流程所属系太阳能科学与工程系专业光伏材料加工与应用技术硅片（多晶硅）切割工艺及流程摘要随着能源短缺和环境污染等问题的日益加剧，利用可再生、无污染的能源已成为现代社会的一个趋势，太阳能的开发与利用越来越被人们所重视。未来太阳的大规模应用主要是用来发电，目前实用太阳能发电方式主要为“光—电转换。其基本原理是利用将太阳辐射能直接转换为电能，它的基本装置是太阳能电池。关键词：；Abstract As the shortage of energy

2017-06-26 约1.57万字 36页立即下载

多晶硅清洗工艺2.ppt KOH的动力设施要求 Pressure: 3bar Temperature: 20 ℃ Max Flow: 1.5 Nm3/h 碱洗槽： KOH溶液，主要去除制绒后形成的多孔硅反应如下： Si+2KOH+H2O =K2SiO3+2H2 此反应相当激烈红棕色的多孔硅多孔硅的反射率是很低的，但如果不去除，对后道的扩散和丝网印刷不利，电池效率受严重影响。酸洗工位（HF+HCl） HCl 的动力设施要求 Pressure: 3bar Temperature: 20 ℃ Max Flow: 1.5 Nm3/h 一次清洗酸洗槽： HF去除硅片在清洗过程中形成的很薄

2017-12-12 约3.66千字 50页立即下载

多晶硅的工艺原理.ppt 第一部分 多晶硅工艺原理教学内容及目的使初次接触多晶硅的学生能够对多晶硅的生产工序构成有初步的了解; 初步掌握各生产工序的原理和内容; 初步了解多晶硅生产的装置名称、设备构成了解并掌握多晶硅生产的原料、中间产品和产品的物理、化学和安全特性主要工序目录主工艺 (1)液氯贮存及汽化工序 (2)合成工序这一工序包括氯化氢合成工序和三氯氢硅合成工序 (3)氯硅烷提纯工序这一工序包括粗提纯、精提纯、废体净化和蒸馏釜残液处理工序 (4)多晶硅工序这一工序包括多晶硅制取工序和四氯化硅氢化工序 (5)氢气制备及净化工序 (6)工艺废料处理工序 (7)成品整理工序(包括实验室检验分析

2020-12-18 约1.38千字 57页立即下载

多晶工艺流程及晶炉简介.ppt 硅烷料成训练 1.光伏产业的认 2.原材料的认识 3.产品外观形态的感性认识 4.工艺流程的了解 5.多晶硅锭的制成 2017/7/18 Valadon onry. ch Asposeslides for NET 4o dient P Evaluation only. Created with Aspose Slides for NET 4.0 dient Profilo 71 Copyright 2004-2017Aspose Pty L 1.光伏产业的认知口1)能源产业口2)绿色产业口3)产业链结构及我们公司在产品中所处的位置新能源和再生能源技术是二一世纪经济发展中最具有决定性

2020-12-22 约2.39千字 32页立即下载

多晶炉的生产新工艺流程试题.ppt 多晶炉的生产工艺流程 什么是多晶炉、多晶硅？通俗的说，多晶炉就是生产多晶硅的炉子。 多晶硅是单质硅的一种形态。当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的芯片，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的芯片，则形成多晶硅。 多晶硅的用途因为多晶硅是极为重要的半导体材料其主要用途： 1.太阳能电池板的原料 2.电子产品半导体 3.应用于光伏产业 4.制造单晶硅的基础材料生产多晶硅的方法常见的多晶硅生产方法有三种：三氯氢硅-氢还原法（西门子法）、四氯化硅氢还原法和硅烷裂解法。多晶炉（西门子法）生产多晶硅的原理高纯石英

2017-03-22 约2.03千字 14页立即下载

多晶硅原生硅料的讲解.ppt 原生硅料的讲解工艺技术中心张小东本次培训准备从以下几个方面来讲述原生硅料的物理特性硅料的电学特性硅料的种类、以及清洗对硅锭的影响氮化硅和坩埚对硅料铸锭的影响硅料的铸锭对下游硅片的影响母合金的性质以及参杂原则硅料中的杂质对硅片的电学性能的影响硅片的电学性能的要求以及影响硅片电学性能的因素原生硅料的物理特性纯净的硅为灰色并有金属光泽的晶体，在固体时密度为2.33g/cm3，在液体时的密度为2.55g/cm3，熔点为1414℃，沸点在2350 ℃上下。原生硅料的生产流程大致为石英砂在高温电弧炉内进过电弧放电时和碳元素发生还原反应生成粗硅，然后粗硅再

2017-02-04 约2.49千字 23页立即下载

1500吨多晶硅工艺说明.doc 1500吨多晶硅工艺说明 1,制H（H2O=H2+O2）电解得到氢和氧，冷却分离再除氧；干燥以后到贮藏，得到纯氢去三方，氧冷分离去氧仓，最后氧气是瓶装。2，HCL合成（H2+CL2=HCL）两股氢气去混仓，然后引至燃烧枪；氯气也到燃烧枪，合成炉设防爆墙；反应生成氯化氢，空冷降温送下场。为了安全有保障，吸收处理不能忘，盐酸循环吃气相，酸碱中和除氯忙。3，SIHCL3合成（SI+HCL=SIHCL3+SICL4+SIH2CL2+H2+X）硅粉来自硅粉仓，脱水HC去炉旁，二者炉内起反应，三氯氢硅藏中央。5种附品也跟上，处理起来人心伤。干法除尘先上场，湿法紧跟来邦忙，增湿洗涤加反应

2017-12-14 约8.64千字 9页立即下载

多晶硅车间工艺培训.doc 还原氢化工序工艺讲义第一节工序划分及主要设备一、三氯氢硅还原的工序划分单元号工序名称 T1100/T1101 三氯氢硅(TCS)蒸发 T1200/T1201 四氯化硅(STC)蒸发 T100/T101 还原 T200/T201 氢化 T300 硅芯拉制 T400 硅芯腐蚀 T500 破碎、分级 T600 超纯水制取 T700 实验室(分析检测中心) T800/801 钟罩清洗 T900 冷却水循环系统 T1000 HF洗涤二、主要原辅材料及质量要求物质纯度料三氯氢硅 TCS≥99%（B≤0.1ppb;P≤0.1ppb）四氯化硅 STC≥98%

2017-03-05 约6.84千字 24页立即下载

多晶硅生产工艺学..doc 多晶硅生产工艺学绪论一、硅材料的发展概况半导体材料是电子技术的基础，早在十九世纪末，人们就发现了半导体材料，而真正实用还是从二十世纪四十年代开始的，五十年代以后锗为主，由于锗晶体管大量生产、应用，促进了半导体工业的出现，到了六十年代，硅成为主要应用的半导体材料，到七十年代随着激光、发光、微波、红外技术的发展，一些化合物半导体和混晶半导体材料：如砷化镓、硫化镉、碳化硅、镓铝砷的应用有所发展。一些非晶态半导休和有机半导休材料（如萘、蒽、以及金属衍生物等）在一定范围内也有其半导休特性，也开始得到了应用。半导休材料硅的生产历史是比较年青的，约30年

2017-01-09 约3.51万字 74页立即下载

多晶硅片切片工艺介绍.ppt 切割原理切片的原理及过程：利用切割钢丝带动砂浆，利用砂浆中SiC微粒与晶棒进行摩擦，达到切割的目的。并不是钢丝切割晶棒，钢丝的摩尔硬度为5.5左右，单晶硅的摩尔硬度为6.5左右，而SiC的摩尔硬度为9.25-9.5左右，因此钢丝是切割不了晶棒的，这也是解释当砂浆流量异常及砂浆中SiC含量过低时容易断线的原因。切割的过程就是将晶棒固定于进给台，进给台按一定的下压速度将晶棒与高速运动的线网接触，利用线网带动砂浆中的SiC切割晶棒，根据不同主辊槽距和钢丝线径将晶棒切割成0.2mm左右厚的硅片。切割原理示意图： 多晶硅片生产流程铸锭切片单晶硅片生产流程粘胶：硅片参数

2017-06-20 约1.19千字 26页立即下载