多晶硅铸锭工艺流程讲解.pdf

铸定工艺讲解 铸定工艺讲解 阶 段 步 骤 时间/H Heat 5 4 Melt 12 12 Growth 7 25 Anneal 3 3 Cool 9 10 本资料来源于网络，版权归原著作所有，禁止使用于一切商业行为，仅供交流学习用！请在下载后24小时内删除！ 加热（Heat ） 加热（Heat ） 加热的概念就是在尽可能短的时间内将石 加热的概念就是在尽可能短的时间内将石 墨块和硅料加热到尽可能高的温度 墨块和硅料加热到尽可能高的温度 因为当温度低于100℃时,温度控制就不能很 因为当温度低于100℃时,温度控制就不能很 稳定地控制温度,所以不能用来控制炉子,必 稳定地控制温度,所以不能用来控制炉子,必 须在功率模式下进行加热． 须在功率模式下进行加热． 在真空中完成加热期间的所有阶段，这样 在真空中完成加热期间的所有阶段，这样 可以烘焙石墨块和隔热层吸收的水分且从 可以烘焙石墨块和隔热层吸收的水分且从 硅料表面蒸发出去． 硅料表面蒸发出去． 本资料来源于网络，版权归原著作所有，禁止使用于一切商业行为，仅供交流学习用！请在下载后24小时内删除！ 加热（Heat ） 加热（Heat ） 利用功率控制模式加热石墨块内部件（包括加热 利用功率控制模式加热石墨块内部件（包括加热 器，坩埚板，DS-Block和隔热层的内表面）将热 器，坩埚板，DS-Block和隔热层的内表面）将热 量传送给熔体，使熔化温度达到1175℃ （TC1热 量传送给熔体，使熔化温度达到1175℃ （TC1热 电偶测量此转换温度）。功率控制模式下的硅料 电偶测量此转换温度）。功率控制模式下的硅料 仍然是黑色的，它的温度一定低于500℃且隔热层 仍然是黑色的，它的温度一定低于500℃且隔热层 外表面也很冷，所以不会很容易地排出吸收的水 外表面也很冷，所以不会很容易地排出吸收的水 分。 分。 当TC1热电偶达到转换到主参数表里“温度控制”时 当TC1热电偶达到转换到主参数表里“温度控制”时 温度后便开始执行温度控制，程序将结束加热,开 温度后便开始执行温度控制，程序将结束加热,开 始熔化过程． 始熔化过程． 本资料来源于网络，版权归原著作所有，禁止使用于一切商业行为，仅供交流学习用！请在下载后24小时内删除！ 熔化(Melt) 熔化(Melt) ●仍然在真空中完成熔化循环的第一个阶段以烘 ●仍然在真空中完成熔化循环的第一个阶段以烘 干水分。保持恒定温度（1175℃）长达1.5个小时 干水分。保持恒定温度（1175℃）长达1.5个小时 使硅料温度与石墨块温度相同且排出水分，油和 使硅料温度与石墨块温度相同且排出水分，油和 油脂。 油脂。 ●然后，在几个较短的阶段里将压力增加到规定 ●然后，在几个较短的阶段里将压力增加到规定