继电器和半导体设备.pdf

JSBXC850型半导体时间继电器.doc 页眉值得一读 JSBXC-850型半导体时间继电器 阻容盒的测试方法、步骤、标准及安全注意事项第一部分：JSBXC-850型半导体时间继电器 信号继电器是铁路信号设备中的主要器件之一，它在运用中的可靠和安全是各种自动控制和远程控制信号设备正常使用的必要条件。一、概述 继电器可分为三级： 1、一级继电器，绝对不允许发生前接点与动接点之间的熔接；衔铁落下与前接点的断开由衔铁及可动部分的重量来保证；当任意一组前接点闭合时所有后接点必须全部断开，反之亦然；衔铁处于落下位置时，应稳定地工作，后接点压力主要由重力作用产生；有较高的返还系数，轨道继电器不小于50%，一般继电器不小于30%。 2、二级继电

2017-04-22 约7.84千字 12页立即下载

电阻电容电感半导体器件继电器型号,类型归纳.doc 一、电阻导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号R 表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ 表示。一、电阻的型号命名方法：国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R 表示电阻，W 表示电位器。第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、 X-线绕。第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高

2018-02-28 约2.15万字 50页立即下载

信号基础设备-继电器.ppt 7．熄灭接点电弧当电路中的电流较大时，接点断开过程中，由于在强大电场作用下从负极发出的电子具有足够大的能量使气体电子发生强烈游离，就在接点间产生电弧。电弧温度很高，会引起接点材料的蒸发与喷溅，更增加了接点的电腐蚀，同时还引起接点表面的氧化。必须设法熄灭接点电弧。电弧在接点间燃烧时，对电路来说具有一定的电阻值，使电路继续保持接通状态。要使电弧自行熄灭就必须使电流值的增长率小于零，电流逐渐减小至零。要保证这一点有两条途径：限制电路功率（可使电流值达不到临界电流，但不是任何情况下都能采用）和增大接点间隙距离（熄弧效果有限）。于是在接点组数有多余的情况下，可采用几组接点串联的方法。串联几组接点增大了接

2025-02-04 约1.48万字 10页立即下载

第4章信号基础设备-继电器.ppt 按照工作的可靠程度，信号继电器可分为三级：一级继电器：绝对不允许发生前接点与动接点之间的熔接；衔铁落下与前接点的断开由衔铁及可动部分的重量来保证；当任意一组前接点闭合时，所有后接点必须全部断开，反之亦然；衔铁处于落下位置时，应该稳定的工作，后接点压力主要由重力作用产生；有较高的返还系数：轨道继电器不小于50%，一般继电器不小于30％。二级继电器：衔铁依靠本身重量或接点弹片反作用力返还；返还系数不小于20%；当任意一组前接点闭合时，所有后接点必须全部断开，反之亦然。三级继电器（电码型和电话型）：衔铁返还与后接点的压力均由动接点弹片的反作用力产

2015-08-08 约2.1万字 119页立即下载

一种继电器基座生产设备.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114551158 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210360673.2 (22)申请日 2022.04.07 (71)申请人厦门三次元科技有限公司地址 36

2023-05-06 约2.49万字 27页立即下载

半导体设备和制造半导体设备的方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114464623 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202110670110.9 H01L 27/24 (2006.01)

2023-05-07 约2.08万字 31页立即下载

继电器（一）热继电器和速度继电器.pptx 西京学院电气工程教研室张晓娟《电气控制技术与PLC》 -继电器（一）热继电器中间继电器速度继电器继电录 PART01继电器根据某一种输入信号，可以是电气量（电压、电流等）或者非电量（温度、压力、转速、时间等）的变化，接通或断开控制电路的自动切换电器。在电路中起控制、放大、联锁、保护和调节作用。作用分类电压继电器中间继电器时间继电器速度继电器电流继电器按输入信号分分类按工作原理分电磁式继电器感应式继电器热继电器电子式继电器…… PART02热继电器 1.热继电器的作用利用双金属片受热弯曲去推动杠杆使触头动作利用电阻值随温度变化而变化的特性制成利用过载电流发热使易熔合金熔化而使继电器动作型

2024-03-13 约1.92千字 23页立即下载

半导体制造设备.pdf 半导体制造装置支撑IC产业发展的基石 Mark Ding, TOKYO ELECTRON (SHANGHAI) LIMITED Lihung Chen, TOKYO ELECTRON LIMITED 2014/09/25 Contents • Recent Chinese Market and Technology Challenge • State-of-the-art WFE Technology • Outlook of the New Era • Summary

2017-10-02 约4.56万字 44页立即下载

半导体清洗设备.pdf 清洗机特点： ◆ 本设备为浸泡式清洗机，用于半导体行业扩散炉石英管清洗 ◆ 槽体材料为进口聚丙烯（PP ）塑料或 PVDF 材料，支架采用不锈钢，耐腐蚀性能好 ◆ 管件、泵、电磁阀均选用的是进口产品，性能稳定可靠 ◆ 触摸屏 PLC 控制，流量及温度，超纯净泵的压力、流量可设置 ◆ 选配气体喷枪 ◆ 可根据用户要求

2018-05-17 约1.13万字 13页立即下载

半导体光刻设备.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112925174 B (45)授权公告日 2022.03.22 (21)申请号 202110118289.7 审查员王春萌 (22)申请日 2021.01.28

2023-06-08 约1.13万字 10页立即下载

半导体工艺与设备.doc ICP电感耦合等离子体inductively coupled。ECR电子回旋共振electron cyclotron resonance。APCVD常压cvd，atmospheric。Cmos互补金属氧化半导体complementary metal-oxide-semiconductor。SMT,manufacturing。LED,emission diode。PSG磷硅玻璃phosphorus。RF射频radio frequency why silicon?abundant cheap,silicon dioxide dielectric grow thermal,band gap,oper

2017-12-18 约9.21千字 4页立即下载

半导体测试设备.pdf (19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号CN220272429U (45)授权公告日2023.12.29 (21)申请号202321849248.6 (22)申请日2023.07.13 (73)专利权人矽电半导体设备（深圳）股份有限

2023-12-26 约1.15万字 12页立即下载

半导体加工设备.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114875384 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210444943.8 (22)申请日 2022.04.26 (71)申请人江苏微导纳米科技股份有限公司地址

2023-05-15 约9.45千字 11页立即下载

晶舟及半导体设备.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883229 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210325021.5 (22)申请日 2022.03.29 (71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司地址

2023-05-17 约8.81千字 8页立即下载

半导体装置和设备.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112928152 A (43)申请公布日 2021.06.08 (21)申请号 202011400660.0 (22)申请日 2020.12.04 (30)优先权数据 2019-2214

2023-06-07 约3.12万字 25页立即下载