用于制造集成电路的激光辅助外延和蚀刻.pdf

用于高级集成电路结构制造的外延源极或漏极结构.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113410233 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202110664368.8 H01L 21/311 (20

2023-06-19 约20.91万字 233页立即下载

2025-04-10 约6.03千字 79页立即下载

集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件 2.3分子束外延.pptx 集成电路制造技术集成电路制造技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺主讲/田丽王蔚外延第2章外延JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 2.1 概述目录CONTENTS2.2 气相外延2.3 分子束外延2.4 其它外延2.5 外延层缺陷及检测分子束外延分子束外延（molecular beam epitaxy, MBE）是一种物理汽相外延工艺在超高真空度下，热分子束由喷射炉喷出，射到洁净的单晶衬底表面，生长出外延层。用于外延层薄、杂质分布复杂的多层外延。硅MBE工艺流程：准备抽真空原位清洗外延

2023-06-15 约小于1千字 8页立即下载

集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件 2.2.3气相外延的掺杂部分.pptx 集成电路制造技术集成电路制造技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺主讲/田丽王蔚外延第2章外延JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 2.1 概述目录CONTENTS2.2 气相外延2.3 分子束外延2.4 其它外延2.5 外延层缺陷及检测气相外延外延掺杂采用原位气相掺杂。常用掺杂剂：PH3、B2H6、AsH3等。杂质掺入外延层浓度依赖于：外延气流中掺杂剂分压，外延温度、速率，反应器几何形状，掺杂剂自身特性。外延工艺过程中有杂质再分布现象。掺杂剂分压为0.1Pa 1. 自掺杂效应

2023-06-13 约小于1千字 9页立即下载

集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件2.5外延层缺陷及检测.pptx 集成电路制造技术集成电路制造技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺主讲/田丽王蔚外延第2章外延JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 2.1 概述目录CONTENTS2.2 气相外延2.3 分子束外延2.4 其它外延2.5 外延层缺陷及检测雾圈白雾角锥体划痕残迹外延层缺陷及检测外延缺陷类型及分析表面缺陷：云雾状表面角锥体表面突起划痕星状体麻坑等 (111)Si的三种典型层错星形线（滑移线）外延缺陷类型及分析体内缺陷：位错层错（堆积层错）外延层衬底线位错层错外延层晶格完整性用缺陷密度来衡量外

2023-06-15 约小于1千字 8页立即下载

集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件 2.2.4气相外延的设备部分.pptx 集成电路制造技术集成电路制造技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺主讲/田丽王蔚外延第2章外延JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 2.1 概述目录CONTENTS2.2 气相外延2.3 分子束外延2.4 其它外延2.5 外延层缺陷及检测外延设备与技术东芝 EGV-28/30GX卧式反应器基座控制系统控制系统气相外延 1. 低压外延指反应器内压力控制在1~20kPa的VPE可以减小自掺杂效应；缩小了过渡区，可用于多层外延；外延温度的下限有所降低；对设备要求提高了，必须防止泄漏；工艺温度降低

2023-06-16 约小于1千字 8页立即下载

集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件2.2.1气相外延-工艺部分.pptx 集成电路制造技术集成电路制造技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺主讲/田丽王蔚外延第2章外延JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 2.1 概述目录CONTENTS2.2 气相外延2.3 分子束外延2.4 其它外延2.5 外延层缺陷及检测气相外延气相外延(vapor phase epitaxy，VPE )，指含外延层材料的物质，以气相形式输运至衬底，在高温下分解或发生化学反应，在单晶衬底上生长出与衬底取向一致的单晶外延层。气相外延示意图硅的气相外延工艺SiCl4(记为

2023-06-13 约小于1千字 9页立即下载

集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件 2.4其它外延.pptx 集成电路制造技术集成电路制造技术JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺主讲/田丽王蔚外延第2章外延JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 2.1 概述目录CONTENTS2.2 气相外延2.3 分子束外延2.4 其它外延2.5 外延层缺陷及检测其它外延方法液相外延(LPE)LPE是利用溶液的饱和溶解度随温度而变化，降温使溶液过饱和，溶质结晶析出在衬底上的外延方法。硅的LPE：将硅溶入锡中，在949℃时溶液饱和，降温度0-30℃时，溶液过饱和，硅析出在衬底硅上生长出外延层。硅外延常用低熔点金属作

2023-06-15 约1.41千字 11页立即下载

集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件 2.1外延概述.pptx 主讲集成电路制造技术集成电路制造技术/田丽王蔚JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU ——原理与工艺第2章外延外延JI CHENG DIAN LU ZHI ZAO JI SHU 2.5外延层缺陷及检测2.4其它外延2.2气相外延2.3分子束外延2.1概述目录CONTENTS外延概述外延层什么是外延衬底“外延”一词来自于希腊文Epitaxy，是指“在……上排列”外延工艺，指在晶体上用化学或物理方法规则地再排列所需晶体材料。外延层与衬底晶向相同，但掺杂类型、电阻率、材料可以不同。如n-/n+-Si，n/p-Si，GaAs/Si失配率：外延概述外延工艺种类按工艺方法划

2023-06-16 约2.31千字 8页立即下载

CMOS集成电路用Φ150―200mm外延硅材料.pdf

2017-08-09 约小于1千字 5页立即下载

集成电路制造基本工艺.pdf 集成电路制造工艺华南农业大学工程学院 IC Fabrication Processing IC Fabrication Processing is a multiple-step sequence of photographic and chemical processing steps during which electronic circuits are gradually created on a wafer made of pure sem

2017-07-20 约3.16万字 93页立即下载

集成电路设计和制造合同.doc 集成电路设计和制造合同合同编号：__________ 甲方（以下简称“设计方”）：公司名称：__________ 地址：__________ 联系方式：__________ 地址：__________ 乙方（以下简称“制造方”）：公司名称：__________ 地址：__________ 联系方式：__________ 地址：__________ 第一章总则 1.1合同目的本合同旨在明确甲乙双方在集成电路设计和制造过程中的权利、义务和责任，保证双方共同完成集成电路的设计和制造任务。 1.2合同依据本合同依据《中华人民共和国合同法》、《中华人民共和国专利法》等相关法律法规制定。 1.3

2025-01-20 约3.22千字 6页立即下载

集成电路设计与制造技术.docx 集成电路设计与制造技术随着科技的不断发展，集成电路已经成为现代电子领域的核心技术之一。集成电路设计和制造技术是实现半导体集成化的重要手段。在这篇文章中，我们将探讨集成电路的设计和制造技术。一、集成电路设计技术 集成电路设计技术是制造芯片的关键。集成电路设计是一种基于半导体物理学、电路原理、计算机软件的高科技产业。集成电路设计所采用的技术包括数字电路设计、模拟电路设计、自动化设计等等。同时，集成电路设计技术的发展也早已深刻影响了整个电子电路领域。在现代芯片设计中，数字电路设计具有非常重要的地位。数字电路的发展有助于提高芯片的密度和性能，可以使芯片的集成度更高，功耗更低。近年来，数字电路的设

2024-12-09 约1.11千字 3页立即下载

集成电路设计与制造合同.doc 集成电路设计与制造合同合同编号：__________ 甲方（以下简称“设计方”）：公司名称：____________ 地址：_________________ 联系方式：_____________ 乙方（以下简称“制造方”）：公司名称：____________ 地址：_________________ 联系方式：_____________ 第一章合同主体及定义 1.1甲方：指甲方为集成电路设计业务的承担者，负责提供集成电路设计服务。 1.2乙方：指乙方为集成电路制造业务的承担者，负责提供集成电路制造服务。第二章项目描述 2.1甲方应按照乙方的要求，提供符合本合同约定的集成电路设计成果。

2025-02-16 约3.09千字 5页立即下载

第3章 集成电路制造工艺.ppt 3.7.2 工艺模拟所谓工艺模拟，就是在深入探讨各工艺过程物理机制的基础上，对各工艺过程建立数学模型，给出数学表达式，在某些已知工艺过程和参数的情况下，利用CAD技术对被设计的集成电路的每个工艺过程进行数值求解，计算出设计的集成电路在该工序后的杂质浓度分布、掺杂类型变化或者结构特性变化等。其中结构特性变化是指工艺过程引起的集成电路各层的厚度和宽度的变化等。因此，通过工艺模拟，我们可以在不经过实际流片的情况下，得到集成电路中的杂质浓度分布、器件结构变化以及氧化、薄膜淀积以及其他热过程等引起的应力变化，并可以得到与杂质浓度分布有关的电学参数如结深度、薄层电阻、MOS夹断电压等，还可以预测工艺参

2016-05-17 约5.77千字 34页立即下载