微机原理及接口技术第5章存储器02解析.ppt

微机原理及接口技术 第5章 存储器 5.3 只读存储器（ROM） ROM： 在微机系统的在线运行过程中，只能对其进行读操作，而不能进行写操作的一类存储器。 非易失性存储器，存放不经常修改的数据、程序等。 外存平均访问时间ms级： 硬盘：9～10ms 光盘：80～120ms 内存平均访问时间ns级： SRAM Cache：1～5ns SDRAM内存：7～15ns EDO内存：60～80ns EPROM存储器：100～400ns 5.3 只读存储器（ROM） 一、EPROM 2764芯片：8K×8bit 引线 A12～A0 D7～D0 CE：片选 OE：数据输出允许 PGM编程时：编程脉冲输入读时：“1” 5.3 只读存储器（ROM） 一、EPROM 连接 5.3 只读存储器（ROM） 一、EPROM 编程 5.3 只读存储器（ROM） 一、EPROM 编程 5.3 只读存储器（ROM） 一、EPROM 编程 【例】利用2732和6264构成从00000H～02FFFH的ROM存储区和从03000H～06FFFH的RAM存储区。画出与8088系统总线的连接图。（不考虑板内总线驱动） 【分析】 ROM区：（2FFF＋1）/ 400 ＝ C，共12KB → 需3片 RAM区：4000 / 400 ＝ 10，共16KB → 需2片 5.3 只读存储器（ROM） 二、E2PROM － 电擦除 引线 A12～A0、D7～D0 CE 片选 0 0 OE 输出允许 0 1 WE 写允许 1 0 Ready/Busy 漏极开路 5.3 只读存储器（ROM） 二、E2PROM 工作过程 读 写：① 按字节；② 按页 5.3 只读存储器（ROM） 二、E2PROM 5.3 只读存储器（ROM） 二、E2PROM 连接使用P160，图5.25，将55H写满98C64的程序。 START： MOV AX，lE00H ;段地址 MOV DS，AX ;地址范围：1E000～1FFFFH MOV SI，0000H ;地址指针 MOV CX，2000H ;共2000H个字节（8KB） ;（循环次数） GOON： MOV AL，55H ;要写入的内容55H MOV ［SI］，AL ;写入 CALL T20MS ;延时20ms INC SI ;地址指针加1 LOOP GOON HLT 5.3 只读存储器（ROM） 三、Flash memory 5.3 只读存储器（ROM） 三、Flash memory 引线：与27C040兼容。 5.3 只读存储器（ROM） 三、Flash memory 工作过程 读某单元的数据，同EPROM；其它情况：先写命令序列，按具体命令的要求进行操作，必要时还要读内部状态寄存器以判断其工作状态。 注意某些工作状态需要的电平。数据写入 → Vpp＝＋12V 5.3 只读存储器（ROM） 三、Flash memory 5.3 只读存储器（ROM） 三、Flash memory 5.3 只读存储器（ROM） 三、Flash memory 5.3 只读存储器（ROM） 三、Flash memory 5.3 只读存储器（ROM） 三、Flash memory 5.3 只读存储器（ROM） 三、Flash memory 5.3 只读存储器（ROM） 三、Flash memory 5.3 只读存储器（ROM） 三、Flash memory 5.3 只读存储器（ROM） 三、Flash memory 5.3 只读存储器（ROM） 三、Flash memory 5.3 只读存储器（ROM） 三、Flash memory 微机原理及接口技术 第5章 存储器 5.4 外存储器简介 5.4 外存储器简介 5.4 外存储器简介 5.4 外存储器简介 一、磁盘 5.4 外存储器简介 二、光盘 5.4 外存储器简介 二、光盘 5.4 外存储器简介 三、存储卡 NAND技术：Samsung、TOSHIBA、Fujistu 阵营单位容量价格比NOR低。高数据存储密度，需要特殊接口。适合纯数据存储和文件存储：Flash Disk、MP3、数码相机、手机、…… 65％ 80％市场 NAND技术：Samsung、TOSHIBA、Fujistu 阵营 特点： 以页（256或512B）为单位读/编程；以块（4K、8K、16K）为单位擦除（最多4ms）。 擦除时间快（N