微机原理与接口技术朱弘第5章存储器.ppt

*;*;*;*;*;*; 双极型半导体存储器 　　　　　　　 MOS存储器（静态、动态） 主存储器 掩膜型只读存储器MROM 可编程只读存储器PROM 可擦除可编程只读存储器 (EPROM，EEPROM) 快擦型存储器 存储器 磁盘(软盘、硬盘、盘组)存储器 辅助存储器 ;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;;;;*;*;*;*;*;*;由单管T1构成,信息存放在极间 电容C1上,以其是否充电来表示 两种信息状态(有电荷为1) T1还担负行选通任务. T2为列选通管. 当T1.T2均选通时,数据线开通 数据可以读出或写入. 1）读出时， T1.T2均导通，C1上存储的电荷经T1.T2送上数据线。 2）写入时， T1.T2均导通，数据线上的信息对C1进行充放电;动态RAM基本存储单元;*;; 锁存在行地址锁存器中的7位行地址RA6-RA0同时加到4个存储矩阵上，在每个矩阵中都选中一行，则共有512个存储电路被选中，它们存放的信息被选通至512个读出再生放大器，经过输出、放大和重写（刷新操作）。锁存在列地址锁存器中的7位列地址CA6-CA0（地址总线上的A14-A8），在每个存储矩阵中选中一列，则共有4个存储单元被选中。最后经过1/4 I/O门电路（由RA7与CA7控制）选中一个单元，可以对这个单元进行读写。; Intel 2164A的外部结构： Intel 2164A是具有16个引脚的双列直插式芯片。 ? A0 - A7 ：地址信号的输入引脚； ? ：行地址选通信号 输入引脚； ? ：列地址选通信号 输入引脚； ? ：写允许控制信号输入引脚； ? DIN ：数据输入引脚； ? DOUT ：数据输出引脚； ? VDD ：+5V电源引脚； ? Vss ：地； ;*;*; 出厂时，所有存储单元的熔丝都是完好的。编程时，通过字线选中某个晶体管。若准备写入1，则向位线送高电平，此时管子截止，熔丝将被保留；若准备写入0，则向位线送低电平，此时管子导通，控制电流使熔丝 烧断。换句话说， 所有存储单元 出厂时均存放信息1， 一旦写入0使熔丝烧断， 就不可能再恢复。;1．基本存储单元电路 可擦除可编程的ROM又称为EPROM。这种EPROM电路在N型的基片上扩展了两个高浓度的P型区，分别引出源极（S）和漏极(D)，在源极与漏极之间有一个由多晶硅做成的栅极，但它是浮空的，被绝缘物SiO2所包围。出厂时浮空栅极上没有电荷，管子内没有导电沟道，源极与漏极之间不 导电，此时表示 该存储单元保存 的信息为“1”； ;*;*;2．EPROM 芯片 Intel 2716 Intel2716是一种2K×8的EPROM存储器芯片，双列直插式封装，24个引脚。其它的典型芯片有Intel 2732、 Intel 2764、 Intel 27256等。 芯片的内部结构 ? 存储阵列；存储阵列由2K×8个浮动栅MOS管构成；128×16个单元，每个单元8b ? 7位行地址译码器； ? 4位列地址译码器； ? 输出允许OE*、片选 和编程逻辑CE*； ? 8位数据输出缓冲器； ;*;*;*;*;;*;　　电可擦除可编程序的ROM也称为EEPROM即E2PROM。其工作原理与EPROM类似