具有金属氧化物半导体结构的半导体装置.pdf

单结晶金属氧化物半导体外膜生长装置.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113403682 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202011390424.5 C23C 14/08 (2006.01)

2023-06-22 约1.45万字 12页立即下载

具有增强高频性能的金属氧化物半导体场效应晶体管.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883410 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210426847.0 (22)申请日 2022.04.22 (71)申请人上海晶丰明源半导体股份有限公司地址

2023-05-16 约3.56万字 31页立即下载

分级中空结构金属氧化物半导体：构筑策略与气敏特性的深度剖析.docx 分级中空结构金属氧化物半导体：构筑策略与气敏特性的深度剖析一、引言 1.1研究背景与意义随着现代工业的飞速发展和人们对生活环境质量要求的不断提高，气体传感器在诸多领域发挥着不可或缺的作用。在环境监测方面，气体传感器能够实时检测大气中的有害气体，如二氧化硫（SO_2）、氮氧化物（NO_x）、挥发性有机物（VOCs）等污染物的浓度，为空气质量评估、环境污染预警提供关键数据支持，助力环境保护部门及时采取有效措施，改善大气环境。例如，在城市空气质量监测网络中，分布着大量的气体传感器，它们持续监测空气中各种污染物的含量，一旦污染物浓度超过阈值，便会发出警报，提醒相关部门进行治理。在工业安全领域，

2025-04-19 约3.24万字 24页立即下载

解析金属氧化物半导体层级复合结构及其传感增强机制：从基础到前沿.docx 解析金属氧化物半导体层级复合结构及其传感增强机制：从基础到前沿一、引言 1.1研究背景与意义在当今科技飞速发展的时代，传感器作为获取信息的关键器件，广泛应用于工业生产、环境监测、医疗卫生、智能家居等诸多领域，成为推动各领域技术进步和创新发展的重要基础。其中，金属氧化物半导体凭借其独特的物理化学性质，在传感器领域占据着举足轻重的地位。 金属氧化物半导体具有良好的化学稳定性、热稳定性以及丰富的晶体结构和电子特性。这些特性使得金属氧化物半导体对多种气体具有敏感响应，能够实现对目标气体的高效检测。常见的金属氧化物半导体如二氧化锡（SnO_2）、氧化锌（ZnO）、二氧化钛（TiO_2）、氧化铜（

2025-04-07 约3.36万字 26页立即下载

金属氧化物半导体场效应晶体管.ppt 金属－氧化物－半导体场效应晶体管MetalOxideSemiconductorFiledEffectTransistorMOSFET姓名：黄钰凯导师：凌智勇半导体定义：半导体(semiconductor），指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物(硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。半导体按化学成分分类P型半导体的导电特性：它是靠空穴导电，掺入的杂质越多，多子

2025-01-25 约1.25千字 19页立即下载

互补金属氧化物半导体器件.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114566466 A (43)申请公布日 2022.05.31 (21)申请号 202111402444.4 (22)申请日 2021.11.24 (30)优先权数据 10-2020-0163331

2023-05-08 约2.63万字 26页立即下载

一种金属氧化物半导体场效应管.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114784001 A (43)申请公布日 2022.07.22 (21)申请号 202210531279.0 (22)申请日 2022.05.16 (71)申请人富芯微电子有限公司地址 2300

2023-05-15 约9.9千字 12页立即下载

氧化物半导体薄膜测试装置.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112824883 A (43)申请公布日 2021.05.21 (21)申请号 202011109735.X (22)申请日 2020.10.16 (30)优先权数据 10-2019-0

2023-06-02 约3.3万字 30页立即下载

11章-氧化物半导体教案.ppt A.无机化合物许多无机物在半导体表面可以实现光分解：包括：氨，叠氮化物，铬类，氰化物，卤化物，铁类，锰类，汞，硝酸盐和亚硝酸盐，一氧化氮和二氧化氮，氧气，臭氧，钯类，铂类，铑类，银类，磺酸类等。可光催化降解的聚合物 PS-TiO2，PVC-TiO2，PP-TiO2 几种简单的氧化物和硫化物半导体有足够的带隙能量去激发或催化大量的环境污染物。如：WO3(Eg=2.8 eV), SrTiO3(Eg =3.2 eV), α-Fe2O3(Eg=3.1eV)，ZnO(Eg=3.2 eV)和ZnS (Eg = 3.6 eV)。对于有机物降解来说，好的半导体的主要的判断标准是H2O/?OH (

2017-03-22 约1万字 70页立即下载

一种多栅氧化双功函数的超结横向扩散金属氧化物半导体.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号CN117423748A (43)申请公布日2024.01.19 (21)申请号202311664516.1 (22)申请日2023.12.06 (71)申请人浙江大学杭州国际科创中心地址

2024-01-15 约6.62千字 6页立即下载

基于氧化铜金属氧化物半导体气敏性能的研究.pdf 摘要工业化的迅速发展和城市人口的增长导致空气污染越发严重。因此，开发出能够准确且实时地进行气体检测的装置是非常有必要的。金属氧化物半导体气体传感器具有效率高、可靠、低功耗、高灵敏度和体积小等优点，成为了检测有毒、有害、易燃易爆气体的最佳候选者。氧化铜(CuO)作为一种典型的p型金属氧化物半导体，具有成本低，制备方法简单，且寿命长等优点，但由于其初始电阻高，基于CuO的复合材料通常要在较高的温度下才会具有气敏性能。因此，在气体传感器领域，Cu

2024-11-25 约16.05万字 105页立即下载

半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验.docx ICS31.080.01 CCSL40 中华人民共和国国家标准 GB/TXXXXX—XXXX/IEC62417:2010 ` 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs) 的可动离子试验 Semiconductordevices—Mobileiontestsformetal-oxidesemiconductorfieldeffect transistors(MOSFETs) (IEC62417:2010,IDT) (报批稿) (本草案完成时间：2022-12-15) 在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。 XXXX-XX-XX发布 XXXX-XX-XX实施

2025-05-08 约4.75千字 13页立即下载

半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验 (1).docx ICS31.080.01 CCSL40 中华人民共和国国家标准 GB/TXXXXX—XXXX/IEC62417:2010 ` 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs) 的可动离子试验 Semiconductordevices—Mobileiontestsformetal-oxidesemiconductorfieldeffect transistors(MOSFETs) (IEC62417:2010,IDT) (报批稿) (本草案完成时间：2022-12-15) 在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。 XXXX-XX-XX发布 XXXX-XX-XX实施

2025-05-05 约4.75千字 13页立即下载

半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验.pdf ICS31.080.01 CCSL40 中华人民共和国国家标准 GB/TXXXXX—XXXX/IEC62417:2010 ` 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验 Semiconductordevices—Mobileiontestsformetal-oxidesemiconductorfieldeffect transistors(MOSFETs) (IEC62417:2010,IDT) （报批稿） 2022-12-15 （本草案完成时间：）在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。 XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

2025-05-07 约7.4千字 8页立即下载

单Halo全耗尽应变Si绝缘硅金属氧化物半导体场效应管的.pdf 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 10 (2013) 108501 单Halo 全耗尽应变Si 绝缘硅金属氧化物半导体 场效应管的阈值电压解析模型* † 辛艳辉刘红侠范小娇卓青青 ( 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071 )

2018-03-07 约2.55万字 6页立即下载