惠州学院计算机组成原理实验报告.doc

实验三 内存储器部件实验 一、实验目的 1、通过学习TEC-2000教学计算机的存储器系统，深入理解计算机主存储器的功能和组成； 2、学习和理解只读存储器静态存储器芯片的读写原理，掌握计算机存储器系统的扩展方法。 TEC－2000教学计算机存储器系统由ROM和RAM两个存储区组成。ROM存储区由2个EEPROM芯片58C65（8192×8）组成，容量为8192×16。RAM存储区由2RAM芯片6116（2048×8）组成，容量为2048×16。TEC－2000教学计算机中还了2个存储器插座，插上相应存储器芯片存储器容量扩展的教学实验。 TEC-2000教学计算机存储器系统组成结构图 三、实验内容 1、完成存储器容量扩展实验，为扩展存储器选择一个地址，注意读写和OE等控制信号的正确状态； 2、用监控程序的D、E命令对存储器进行读写，比较RAM（6116）、EEPROM（8系列）存储特性的区别以及在读写上的差异； 3、用监控程序的A命令编写一段程序，对RAM（6116）进行读写，用D命令查看结果是否正确。四、实验步骤 1、RAM实验 RAM（6116）支持随机读写操作，可直接用A、E命令向存储器输入程序或改变存储单元的值。RAM中的内容在断电后会消失，重新启动教学机后会发现存储单元的值发生了改变。 1）用E命令改变内存单元的值并用D命令观察结果。 ⑴ 在命令行提示符状态下输入： E 2020↙ 屏幕显示2020 内存单元原值。按如下形式键入： 2222（空格）3333（空格）4444（空格）5555 ⑵ 在命令行提示符状态下输入： D 2020↙ 观察屏幕显示的从2020内存单元开始的值。 ⑶ 断电后重新启动教学实验机，用D命令观察内存单元2020-2023的值。 2）用A命令输入一段程序，执行并观察结果。 ⑴ 在命令行提示符状态下输入： A 2000↙ 键入如下汇编程序： 2000：MVRD R0, AAAA 2002：MVRD R1, 5555 2004：AND R0, R1 2005：RET 2006T 2000↙ 观察寄存器R0、R1的值。 T↙ 观察寄存器R0、R1的值。 T↙ 观察寄存器R0、R1的值。 ⑷ 在命令行提示符状态下输入： G 2000↙ ⑸ 运行输入程序。在命令行提示符状态下输入： R↙ 观察寄存器R0、R1的值。 ⑹ 断电后重新启动教学实验机，用U命令观察内存单元2000开始的内容。 2、扩展EPROM实验 将扩展EPROM芯片（HN 58C65）插入标有“EXTROMH”和“EXTROML”的插座（注意芯片与插座的半圆形缺口方向相同）；将2个插座右下方标有“/CS”的2个圆孔中的一个（内部已相连），与标有“MEM/CS”的一排圆孔中（存储器译码输出端）地址为“4000－5FFF”的圆孔用导线相连，表示扩展的EPROM的内存地址从4000H开始，可用空间是4000H-5FFFH，用户可在这个范围内输入程序或改变内存单元的值。 每个ROM插座的两边有4组插针，需根据选用的存储器芯片类型正确连接： ⑴ 将有“VCC∕MWR”的3个插针的上面2个短接； ⑵ 将标有“A11∕MWR”的3个插针的上面2个短接； ⑶ 将标有“2764”的2个插针断开； ⑷ 将标有“/MRD GND”的3个插针的上面2个短接。 1）用D命令观察地址从4000开始的内存单元的值。 2）用E命令改变地址从4000开始的4个内存单元的值，并用D命令观察结果。 3）断电后重新启动教学实验机，用D命令观察地址从4000开始的4个内存单元的值。 3、扩展EEPROM实验 HN 58C65的读操作和普通的RAM相同，但其写操作的完成需要较长的时间，大约为1毫秒。因此，需要编写一延迟子程序，在对EEPROM进行写操作时，调用该子程序，以完成正确的读写。 1）将有“VCC∕MWR”的3个插针的下面2个短接。 2）用D命令观察地址从4000开始的内存单元的值。 3）用E命令改变地址从4000开始的4个内存单元的值，并用D命令观察结果。 4）断电后重新启动教学实验机，用D命令观察地址从4000开始的4个内存单元的值。 5）HN58C65存储器不能直接用A命令输入程序，单字的指令可能会写进去，双字指令的低位会出错（建议试一试），可将编写好的程序放到RAM（6116）中，访问HN58C65的内存单元时调用延时子程序。 下面的程序，在5000H-500FH单元中依次写入数据0000H、0001H、…000FH。 从2000H单元开始输入主程序： （2000）MVRD R0，0010 MVRD R2，0010 ；R2记录循环次数 MVRD R3，5000 ；R3的内容位16位内存 ；地址 （