模拟电子技术 第三章.ppt

1.图解法 图3 – 17 求自给偏压电路Q点的图解 2.计算法 IDSS为饱和漏极电流,UP为夹断电压, 可由手册查出。 【例1】 电路如图3 - 16所示, 场效应管为3DJG, 其输出特性曲线如图3 - 18所示。已知RD=2 kΩ, RS=1.2 kΩ,UDD=15V, 试用图解法确定该放大器的静态工作点。  解 写出输出回路的电压电流方程, 即直流负载线方程 设 在输出特性图上将上述两点相连得直流负载线。  图 3-18 图解法确定工作点(例1) 在转移特性曲线上, 作出UGS=-IDRS的曲线。由上式可看出它在uGS~iD坐标系中是一条直线, 找出两点即可。 令 连接该两点, 在uGS~iD坐标系中得一直线, 此线与转移特性曲线的交点, 即为Q点, 对应Q点的值为: * * 第四章 场效应管放大电路 第三章 场效应管放大电路 3.1 结型场效应管 3.2 绝缘栅场效应管 3.3 场效应管的主要参数 3.4 场效应管的特点 3.5 场效应管放大电路 3.1 结型场效应管 图3-1 结型场效应管的结构示意图和符号 3.1.2 工作原理 图 3-2 当UDS=0时UGS对导电沟道的影响示意 1. UGS对导电沟道的影响 2. ID与UDS、UGS之间的关系 图 3-3 UDS对导电沟道和ID的影响 3.1.3 特性曲线 1.输出特性曲线 图3--4N沟道结型场效应管的输出特性 根据工作情况, 输出特性可划分为4个区域, 即: 可变电阻区、 恒流区、击穿区和截止区。 2. 转移特性曲线 图3- 5 N沟道结型场效应管的转移特性曲线 图 3-6 由输出特性画转移特性 3.2 绝缘栅场效应管 3.2.1 N沟道增强型MOS场效应管 1. 结构 图 3-7 N沟道增强型MOS场效应管的结构示意 2. 工作原理 图3-8UGS＞UT时形成导电沟道 3. 特性曲线 图3 – 9 N沟道增强型MOS场效应管的特性曲线 3.2.2 N沟道耗尽型MOS场效应管 图 3-10 N沟道耗尽型MOS管的结构示意图 图 3-11 N沟道耗尽型MOS场效应管的特性曲线 图 3-12 MOS场效应管电路符号 表3-1 各种场效应管的符号和特性曲线 类型 符号和极性 转移特性 输出特性 u GS O I DSS i D U P u GS O I DSS i D U P － i － u DS O u G S ＝0 V ＋1 V D ＋2 V ＋3 V u G S ＝ U P ＝＋4 V u DS O u G S ＝0 V －1 V i D －2 V －3 V u G S ＝ U P ＝－4 V u DS O u G S ＝5 V i D 3 V u G S ＝ U T ＝＋2 V 4 V u GS i D O U T G S D + － i D － + G S D + － i D － + G S D + － i D － + B JFET P 沟道 JFET N 沟道 增强型 N MOS u GS O i D U P I DSS i D O U T u GS u GS O I DSS i D U P u DS O u G S ＝0 V i D －2 V u G S ＝ U P ＝－4 V ＋2 V －i D －5 V u G S ＝ U T ＝－3 V O － u DS －4 V u G S ＝ －6 V － i D －2 V u G S ＝ U P ＝＋4 V O － u DS ＋2 V u G S ＝ 0 V G S D + － i D B + － G S D + － i D － + B G S D + － i D B － + 耗尽型 N MOS 增强型 P MOS 耗尽型 P MOS 表3-1 续表 3.3 场效应管的主要参数 3.3.1 直流参数 1. 饱和漏极电流IDSS IDSS是耗尽型和结型场效应管的一个重要参数, 它的定义是当栅源之间的电压UGS等于零, 而漏、源之间的电压UDS大于夹断电压UP时对应的漏极电流。 2. 夹断电压UP  UP也是耗尽型和结型场效应管的重要参数, 其定义为当UDS一定时,使ID减小到某一个微小电流(如1μA, 50μA)时所需的UGS值。  3. 开启电压UT  UT是增强型场效应管的重要参数, 它的定义是当UDS一定时, 漏极电流ID达到某一数值(例如10μA)时所需加的UGS值。 ?