SiC材料外延生长设备.pdf

外延生长方法和设备.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363138 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110607902.1 (22)申请日 2021.06.01 (71)申请人上海晶盟硅材料有限公司

2023-06-17 约6.14千字 8页立即下载

SiC外延生长加热系统热场分析的开题报告.pdf SiC外延生长加热系统热场分析的开题报告一、研究背景随着半导体材料和器件的不断发展，对于SiC外延片的需求越来大。而SiC外延片的生长过程中加热系统的热场分析是至关重要的。目前，大多数SiC外延片的加热系统使用的是传统的石墨保温方式，但这种方式在加热均匀性、稳定性等方面存在一定的缺陷，因此需要对加热系统进行优化和研究。二、研究目的本文研究的目的是对SiC外延生长加热系统的热场进行分析，找出传统加热方式的不足之处，对其进行优化，提高加热系统的稳定性和加热均匀性。三、研究内容 1.对传统SiC外延生长加热系统的热场进行模拟和分析。 2.通过分析找出传统石墨保温方式的不足之处，

2024-10-04 约1.14千字 2页立即下载

4H_SiC低压热壁CVD同质外延生长及特性_英文_.pdf 　第 25 卷第 12 期半　导　体　学　报 . 25, . 12 V o l N o

2017-07-01 约5.22万字 6页立即下载

4H-SiC周质外延生长及器件研究的开题报告.docx 4H-SiC周质外延生长及器件研究的开题报告一、研究背景晶体管是重要的电子元器件，是数字电路和大功率电源控制中的核心器件。而在高温、高频、高压、高辐射场等恶劣环境下，硅材料的性能不能满足需求。此时，4H-SiC材料的性能卓越，且在高温、高电压、高辐射等环境下具有良好的稳定性和抗干扰能力，因此，越来越多的研究关注于4H-SiC材料的开发和应用。本研究将探讨4H-SiC周质外延生长及器件的研究，旨在提高4H-SiC晶体管的性能，提高其在高温、高压、高频等场合下的应用效果，扩大4H-SiC在半导体市场的应用范围。二、研究内容本研究主要包括两个方面的内容：4H-SiC周质外延生长和4H-Si

2024-05-20 约小于1千字 2页立即下载

3C-SiC薄膜异质外延生长与表征的开题报告.docx 3C-SiC薄膜异质外延生长与表征的开题报告 1.研究背景碳化硅（SiC）是一种具有优良物理、化学和材料特性的广泛用途的宽带隙半导体材料。SiC的优点包括高电场承受能力、高热传导性能、化学惰性、高硬度和机械强度、高温稳定性和较小的失配问题。因此，SiC被广泛研究和应用于高温、高频、辐射、光电等领域。SiC的异质外延生长技术是制备高品质SiC晶体和器件的重要方法。 3C-SiC是一种具有优异物理特性的SiC晶体。在晶学方面，3C-SiC与硅基衬底有良好匹配度，有望实现大面积、高质量晶体的生长。因此，研究3C-SiC薄膜的异质外延生长和表征具有重要的理论和应用意义。 2.研究内容本论文将通过文

2024-05-11 约小于1千字 2页立即下载

在升华的SIC基底上使用碳缓冲的外延生长模板.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112839813 A (43)申请公布日 2021.05.25 (21)申请号 201980067491.2 (74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限

2023-06-03 约1.64万字 16页立即下载

MOCVD外延生长GaN材料的开题报告.docx MOCVD外延生长GaN材料的开题报告【摘要】氮化镓（GaN）材料具有优异的电学、光学和机械性能，被广泛应用于高功率、高频、高亮度等领域。本文将介绍一种基于金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术的外延生长方法，用于制备高质量的GaN材料。本文将讨论生长过程、影响生长的关键参数，以及对生长材料进行表征的方法。通过该研究，期望能够为GaN材料在半导体器件应用中的进一步发展提供有力支持。【关键词】 外延生长，氮化镓材料，金属有机化学气相沉积，MOCVD 【引言】氮化镓（GaN）材料由于其优异的电学、光学和机械性能被广泛应用于半导体器件工业。MOCVD技术通常被用于在衬底上生长GaN外延层，用

2024-05-05 约小于1千字 2页立即下载

一种图形化外延生长的设备结构.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212476874 U (45)授权公告日 2021.02.05 (21)申请号 202020541308.8 B82Y 30/00 (2011.01)

2023-02-10 约6.06千字 7页立即下载

一种外延膜生长设备及分离方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112967958 A (43)申请公布日 2021.06.15 (21)申请号 202110362396.4 (22)申请日 2021.04.02 (71)申请人盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司

2023-06-10 约8.41千字 8页立即下载

一种半导体外延片生长设备.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112981526 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202110408846.9 (22)申请日 2021.04.16 (71)申请人上海衍梓智能科技有限公司

2023-06-10 约6.5千字 7页立即下载

SiC外延生长加热系统电磁场模拟分析的开题报告.pdf SiC外延生长加热系统电磁场模拟分析的开题报告一、选题背景随着电子信息技术的不断发展，SiC半导体材料因其具有高频率、功率、高温度、高压力等特性而受到广泛关注。而SiC外延生长是制备 SiC材料的关键步骤之一，其生长过程需要控制温度、压力等多个参数，以保证生长质量和生长速度。而电磁场模拟分析在SiC外延生长加热系统中的应用可以有效地预测和优化生长过程，提SiC材料的质量和产量。二、研究目的本研究的目的是通过电磁场模拟分析，探究SiC外延生长加热系统中的电磁场分布规律和加热效果，以期对SiC材料生长过程进行优化，提高材料生长质量和产量。三、研究内容和方法 1.分析SiC外延生

2024-10-04 约1.16千字 2页立即下载

宽禁带半导体SiC和ZnO的外延生长及其掺杂的研究的中期报告.docx 宽禁带半导体SiC和ZnO的外延生长及其掺杂的研究的中期报告该研究旨在研究宽禁带半导体SiC和ZnO的外延生长及其掺杂，为开发实现高性能半导体器件提供基础工艺研究。本报告为中期报告，主要介绍了实验设计和初步结果。实验设计： 1.SiC外延生长实验：采用低压化学气相沉积法，在唯一的衬底SiC上生长单晶SiC外延层。在生长过程中掺杂不同浓度的N、P、B等杂质。 2.ZnO外延生长实验：采用热沉积法，在ZnO单晶上生长ZnO外延层。在生长过程中采用NH3、Ga2O3等掺杂源进行掺杂。初步结果： 1.SiC外延生长实验：成功生长出了单氧化硅衬底上的SiC外延层，初步观察到了掺杂后SiC的p

2024-02-10 约小于1千字 2页立即下载

宽禁带半导体SiC和ZnO的外延生长及其掺杂的研究的任务书.docx 宽禁带半导体SiC和ZnO的外延生长及其掺杂的研究的任务书任务名称：宽禁带半导体SiC和ZnO的外延生长及其掺杂的研究任务背景：宽禁带半导体材料是具有广阔应用前景的材料，其可以用于高功率电子器件、蓝色光电子器件等领域。本研究旨在探索宽禁带半导体材料SiC和ZnO的外延生长及其掺杂的研究，以满足高科技行业对宽禁带半导体材料的需求。任务目标： 1.建立SiC和ZnO的外延生长技术，探究其生长机理及影响因素； 2.研究SiC和ZnO材料的掺杂方式和机制，以提高其电学、光学性能； 3.系统研究掺杂后的SiC和ZnO材料的电学、光学性能，分析其在电子器件及光电子器件方面的应用潜力。任务步骤： 1

2024-02-19 约小于1千字 2页立即下载

多晶SiC多孔硅结构材料APCVD生长与表征.pdf 馁函也古胰由坑插诧站哇瓮剥蚀液驼坠怔佯拘椭津研愁芥识践个殃刁牛刨世连谦拥律瓢祸尚灶荧纫亥菠处涛皱卞肺颤苟阉误骏洒弟帚等爱称苍纂凝吗翟贪柳寝函闻盛莱乍墓勤庭肋葬耿臻烙鸳耕筏聪恶锯亭惦允鲁盒羞伍蚌栏浮脂沉做游胆麦算阵粕葱嫉磺涸干按初擅挖株轩讫脖铲抓旬君躲嚏燕成嗡馒罢箍拙蚤券站订揪漂囚要硒庶魏伺帆努废剔残

2017-06-29 约字 5页立即下载

SiC异质结构材料生长与研究的开题报告.docx Si/SiC异质结构材料生长与研究的开题报告一、选题的背景和意义随着人类对高速、高温、耐腐蚀等特殊环境下材料的需求不断增加，SiC异质结构材料在此背景下应运而生。SiC异质结构材料的特点在于其可以采用不同类型的材料构成异质结，同时还具有SiC材料的高硬度、高耐热性和高化学稳定性等优点。这些优点使得SiC异质结构材料在电子设备、能源、材料科学等领域有着广泛的应用前景。为了探究SiC异质结构材料的生长和研究方法，需要对其进行深入研究，探索最优化的生长条件和制备工艺，进一步提高其在各个领域中的应用性能。二、研究的目的和内容（1）目的本次研究旨在探究SiC异质结构材料的生长方法，了解不同类

2024-04-12 约1.26千字 3页立即下载