文档详情

一种图形化外延生长的设备结构.pdf

发布：2023-02-10约6.06千字共7页下载文档

文本预览下载声明

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212476874 U (45)授权公告日 2021.02.05 (21)申请号 202020541308.8 B82Y 30/00 (2011.01)

显示全部

相似文档

图形化衬底的制备方法及具有空气隙的LED外延结构.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114864774 A (43)申请公布日 2022.08.05 (21)申请号 202210636079.1 (22)申请日 2022.06.07 (71)申请人淮安澳洋顺昌光电技术有限公司地址
2023-05-14 约1.41万字 19页立即下载
一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112993105 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 20191
2023-06-07 约1.75万字 15页立即下载
一种在衬底上生长外延结构的方法及外延结构.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363362 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110614947.1 (22)申请日 2021.06.02 (71)申请人福建兆元光电有限公司
2023-06-18 约8.62千字 8页立即下载
Si基图形化衬底Ge外延生长及Si基Ge波导型探测器研究的开题报告.docx Si基图形化衬底Ge外延生长及Si基Ge波导型探测器研究的开题报告开题报告题目：Si基图形化衬底Ge外延生长及Si基Ge波导型探测器研究申报人：XXX 指导教师：XXX 研究背景和意义：随着信息技术的不断发展，高速、大容量、低功耗通信设备的需求日益增加。其中，高速光通信是实现高速通信的重要手段之一。目前，Ge探测器作为高速光通信领域的重要器件之一，在高速通信、光学成像等方面得到了广泛应用。然而，在Si材料中直接生长Ge晶体具有较大的技术难度，Si基Ge探测器的研究受到了较大的制约。因此，精确的Si基图形化衬底Ge外延生长工艺和Si基Ge波导型探测器的研究具有较高的研究价值和实际应用价值
2024-05-05 约小于1千字 2页立即下载
一种外延膜生长设备及分离方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112967958 A (43)申请公布日 2021.06.15 (21)申请号 202110362396.4 (22)申请日 2021.04.02 (71)申请人盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司
2023-06-10 约8.41千字 8页立即下载
一种半导体外延片生长设备.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112981526 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202110408846.9 (22)申请日 2021.04.16 (71)申请人上海衍梓智能科技有限公司
2023-06-10 约6.5千字 7页立即下载
外延生长方法和设备.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363138 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110607902.1 (22)申请日 2021.06.01 (71)申请人上海晶盟硅材料有限公司
2023-06-17 约6.14千字 8页立即下载
一种用于外延生长设备用滤芯的MO源回收处理装置.pdf (19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 218589954 U (45)授权公告日 2023.03.10 (21)申请号 202222809760.X (22)申请日 2022.10.25 (73)专利权人苏州普耀光电材料有限公司地址
2023-03-08 约9.21千字 10页立即下载
外延结构及其生长方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883458 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210461976.3 C23C 14/58 (2006.01)
2023-05-15 约1.5万字 10页立即下载
一种在集成电路芯片上直接生长图形化石墨烯的工艺方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114566424 A (43)申请公布日 2022.05.31 (21)申请号 202210173104.7 C23F 1/02 (2006.01) (22)申请日 2022.02.2
2023-05-08 约9.56千字 9页立即下载
一种图形化云开发平台.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112966457 A (43)申请公布日 2021.06.15 (21)申请号 202110223849.5 (22)申请日 2021.02.26 (71)申请人严伟豪地址 400
2023-06-08 约1.51万字 14页立即下载
SiC材料外延生长设备.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213835528 U (45)授权公告日 2021.07.30 (21)申请号 202022618985.8 (22)申请日 2020.11.13 (73)专利权人宁波沁圆科技有限公司
2023-03-20 约1.08万字 9页立即下载
一种采用卤化物气相外延法生长氧化镓外延层的方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394079 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110676534.6 (22)申请日 2021.06.18 (71)申请人中国电子科技集团公司第四十
2023-06-18 约9.73千字 8页立即下载
一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114551666 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210098692.2 H01L 33/00 (2010.01)
2023-05-07 约1.49万字 10页立即下载
一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114551664 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210092576.X H01L 33/14 (2010.01) (22)申请日 2022.01.
2023-05-06 约1.25万字 9页立即下载