宽禁带半导体SiC和ZnO的外延生长及其掺杂的研究的任务书.docx

宽禁带半导体SiC和ZnO的外延生长及其掺杂的研究的任务书

任务名称：宽禁带半导体SiC和ZnO的外延生长及其掺杂的研究

任务背景：宽禁带半导体材料是具有广阔应用前景的材料，其可以用于高功率电子器件、蓝色光电子器件等领域。本研究旨在探索宽禁带半导体材料SiC和ZnO的外延生长及其掺杂的研究，以满足高科技行业对宽禁带半导体材料的需求。

任务目标：

1.建立SiC和ZnO的外延生长技术，探究其生长机理及影响因素；

2.研究SiC和ZnO材料的掺杂方式和机制，以提高其电学、光学性能；

3.系统研究掺杂后的SiC和ZnO材料的电学、光学性能，分析其在电子器件及光电子器件方面的应用潜力。

任务步骤：

1.确定研究SiC和ZnO的外延生长技术的具体方案，并进行实验验证；

2.借助SEM、XRD等技术手段，研究SiC和ZnO材料的生长机理及影响因素；

3.选取合适的掺杂元素，确定其掺杂方式并进行实验验证；

4.利用电学和光学测试手段系统研究掺杂后的SiC和ZnO材料的性能，并进行性能分析及材料应用潜力评估。

任务进度：

本研究将于六个月内完成，具体实验进度安排如下：

第1-2个月：确定研究方案、建立生长技术并进行实验验证；

第3-4个月：进行生长机理和影响因素的研究；

第5个月：进行掺杂及性能测试实验；

第6个月：性能分析，撰写结题报告并进行相关论文发表。

预期成果：

1.确立SiC和ZnO的外延生长工艺，探究其生长机理及影响因素；

2.确定SiC和ZnO材料的掺杂方式和机制，提高其电学、光学性能；

3.研究掺杂后的SiC和ZnO材料的性能及其在电子器件及光电子器件领域的应用潜力，为材料应用提供理论基础和技术支持。

备注：任务负责人需要按照任务书规定的步骤进行实验，并及时记录实验数据和进行实验分析。任务结题后需要提交结题报告和完整的研究数据，并进行相应的学术论文发表。