宽禁带半导体（SiC）动态可靠性测试的挑战.pdf

宽禁带半导体（SiC）动态可靠性测试的挑战.docx 宽禁带半导体（SiC）动态可靠性测试的挑战 NI大客户经理杨堃议程 ?功率半导体的趋势 ?SiC可靠性 ?动态栅极应力测试 ?动态高温高湿反偏测试 ?NI动态可靠性测试方案功率半导体的趋势功率半导体和绿色能源 ?交通出行，电梯，空调离不开功率半导体 ?使用清洁能源，同时减少能源损耗 ?电动汽车产业重新定义了功率半导体行业寻求更高的能源使用效率在过去的40年里，硅基晶体管和IGBT得到广泛的应用——今天的应用，如热泵、光伏、电动汽车，甚至电动飞行器，智能电网，都需要用到这些硅基器件 ?更高的电压 ?更高的电流 ?更

2025-04-03 约4.97千字 77页立即下载

半导体测试与可靠性深入了解半导体测试和可靠性方面的挑战和解决.pdf 半导体测试与可靠性深入了解半导体测试和可靠性方面的挑战和解决--第1页 半导体测试与可靠性深入了解半导体测试和 可靠性方面的挑战和解决方案 半导体技术在现代电子行业中起着至关重要的作用。无论是我们日常生活中使用的各种电子设备，还是工业生产过程中所需的高性能芯片，都离不开半导体的应用。而半导体的可靠性和测试是保证其正常运行的关键因素。本文将深入探讨半导体测试和可靠性方面的挑战和解决方案。一、半导体测试的挑战 1.1复杂多样的半导体器件 半导体器件的种类繁多，每一种器件都有不同的测试需求。例如，存储器、处理器、模拟器件等，它们的内部结构和功能不尽相同，需要不同的测试方法和设备来进行验

2025-03-19 约1.89千字 3页立即下载

半导体照明器件可靠性测试考核试卷 .pdf 半导体照明器件可靠性测试考核试卷--第1页 半导体照明器件可靠性测试考核试卷考生姓名：__________答题日期：__________得分：__________判卷人：__________ 一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的） 1.半导体照明器件中，哪种材料的发光效率最高？() A.硅 B.砷化镓 C.硅碳化物 D.硅氮化物 2.下列哪种因素不会影响LED的寿命？() A.电流大小 B.温度 C.光照强度 D.材料纯度 3.在LED可靠性测试中，哪个参数用于评估光衰？() A.L70 B.B10 C.T50 D.M20

2025-03-17 约8.84千字 8页立即下载

2025-05-07 约5.33万字 96页立即下载

宽禁带半导体材料.pptx 10.2GaN,AlN的晶体结构与能带;作业： 1.自我复习： a.金刚石型结构； b.共有化运动,允带，禁带； c.自由电子能谱，简约的布里渊区，波矢为简约波矢； d.金刚石第一布里渊区； e.导体，半导体、绝缘体的能带； f.有效质量与能带－－势场，外力--电子的加速度； g.本征半导体的导电机构； h.空穴回旋共振与有效质量； i.硅和锗的导带价带结构； j.间接带隙半导体，半金属或零带隙，窄带半导体,宽禁带半导体。 ;

2020-02-24 约小于1千字 4页立即下载

半导体IC可靠性设计.pdf 可靠性技术资料—半导体集成电路的可靠性设计 6.2 半导体集成电路的可靠性设计军用半导体集成电路的可靠性设计是在产品研制的全过程中，以预防为主、加强系统管理的思想为指导，从线路设计、版图设计、工艺设计、封装结构设计、评价试验设计、原材料选用、软件设计等方面，采取各种有效措施，力争消除或控制半导体集成电路在规定的条件下和规定时间内可能出现的各种失效模式，从而在性能、费用、时间（研制、生产周期）因素综合平衡的基础上，实现半导体集成电路产品规定的可靠性指标。根据内建可靠性的指导思想，为保证产品的可靠性，应以预防为主

2017-09-16 约2.98万字 21页立即下载

半导体可靠性讲述.ppt IC元件與製程之可靠度分析一、可靠度分析 (Reliability Analysis) 二、影響元件之可靠度的主要因素 1. 熱載子效應 (Hot-Carrier Effect) 2.電子遷移效應 (Electromigration) 3. 氧化矽膜之可靠度量測 (Silicon-Oxide Film) 4. 元件縮小時之可靠度問題 (Device Scaling) 5. CMOS門閂閉鎖現象 (COMS Latch-up) 6. 封裝技術之可靠度 (Package Technology) 三、故障之機率分析函數四、可靠度測試方法五、加速測試因子與取樣數可

2017-03-24 约6.08千字 15页立即下载

半导体可靠性分析.ppt IC元件與製程之可靠度分析一、可靠度分析 (Reliability Analysis) 二、影響元件之可靠度的主要因素 1. 熱載子效應 (Hot-Carrier Effect) 2.電子遷移效應 (Electromigration) 3. 氧化矽膜之可靠度量測 (Silicon-Oxide Film) 4. 元件縮小時之可靠度問題 (Device Scaling) 5. CMOS門閂閉鎖現象 (COMS Latch-up) 6. 封裝技術之可靠度 (Package Technology) 三、故障之機率分析函數四、可靠度測試方法五、加速測試因子與取樣數可

2017-05-28 约6.08千字 15页立即下载

半导体可靠性的数学基础.pptx 第二章可靠性的数学基础介绍可靠性的定量表征，常用概率分布及可靠性系统壹可靠性：是指产品在规定的条件下，在规定的时间内完成规定功能的概率。贰三个规定来描述可靠性——定性的叁准确地描述产品可靠性——定量的肆产品的寿命是随机的变量——数理统计来讨论伍可靠性的数学描述：可靠度、失效概率、失效概率密度、瞬时失效率、平均寿命、可靠寿命2.1可靠性的定量表征产品在规定的条件下，在规定的时间内，完成规定功能的概率。常记作R(t)用数学方式表示为：ξ为随机变量，指产品寿命，N为进行试验的产品总数，n(t)为试验到t时刻失效的总个数。N(t)为工作到t时刻仍在正常工作的产品数可靠度R(t) 失效率也叫累积失效

2025-05-20 约3.11千字 10页立即下载

宽禁带半导体SiC和ZnO的外延生长及其掺杂的研究的中期报告.docx 宽禁带半导体SiC和ZnO的外延生长及其掺杂的研究的中期报告该研究旨在研究宽禁带半导体SiC和ZnO的外延生长及其掺杂，为开发实现高性能半导体器件提供基础工艺研究。本报告为中期报告，主要介绍了实验设计和初步结果。实验设计： 1.SiC外延生长实验：采用低压化学气相沉积法，在唯一的衬底SiC上生长单晶SiC外延层。在生长过程中掺杂不同浓度的N、P、B等杂质。 2.ZnO外延生长实验：采用热沉积法，在ZnO单晶上生长ZnO外延层。在生长过程中采用NH3、Ga2O3等掺杂源进行掺杂。初步结果： 1.SiC外延生长实验：成功生长出了单氧化硅衬底上的SiC外延层，初步观察到了掺杂后SiC的p

2024-02-10 约小于1千字 2页立即下载

宽禁带半导体SiC和ZnO的外延生长及其掺杂的研究的任务书.docx 宽禁带半导体SiC和ZnO的外延生长及其掺杂的研究的任务书任务名称：宽禁带半导体SiC和ZnO的外延生长及其掺杂的研究任务背景：宽禁带半导体材料是具有广阔应用前景的材料，其可以用于高功率电子器件、蓝色光电子器件等领域。本研究旨在探索宽禁带半导体材料SiC和ZnO的外延生长及其掺杂的研究，以满足高科技行业对宽禁带半导体材料的需求。任务目标： 1.建立SiC和ZnO的外延生长技术，探究其生长机理及影响因素； 2.研究SiC和ZnO材料的掺杂方式和机制，以提高其电学、光学性能； 3.系统研究掺杂后的SiC和ZnO材料的电学、光学性能，分析其在电子器件及光电子器件方面的应用潜力。任务步骤： 1

2024-02-19 约小于1千字 2页立即下载

宽禁带半导体行业报告.pptx 宽禁带半导体行业报告行业概述与发展背景产业链结构与主要环节国内外市场竞争格局分析技术创新与发展趋势探讨政策环境及产业支持措施解读投资机会、风险与挑战剖析 01行业概述与发展背景 宽禁带半导体定义及特点宽禁带半导体（WideBandgapSemiconductors）是指具有较大禁带宽度的半导体材料，如氮化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等。相较于传统硅基半导体，宽禁带半导体具有更高的击穿电场、更高的热导率和更高的电子饱和速度等特点，使得它们能够在高温、高压和高频等极端环境下工作。自20世纪90年代以来，随着材料科学和制造工艺的不断进步，宽禁带半导体逐渐受到关注并开始应用于电力电子、微波射频等

2024-12-12 约3.09千字 27页立即下载

宽禁带半导体功率器件_刘海涛.pdf 刘海涛陈启秀 (浙江大学信电系功率器件研究所,杭州310027) 、 SiC ,。 WideBandgapSemiconductorPowerDevices LiuHaitao,ChenQixiu (InstituteofPowerDevices,ZhejiangUniversity,Hangzhou310027) AbstractThepaperpresentsthemaincharacteristicsofwideandgapsemiconduc- tors,andelaoratesthelatestdevelopmentofSiCanddiamondpowerdevices.Atthe

2025-05-11 约1.51万字 5页立即下载

2025-03-18 约4.77千字 92页立即下载

2025-04-03 约3.98千字 9页立即下载