【2017年整理】1-2半导体二极管.doc

广东省机械高级技工学校 文化理论课教案首页 7.5.1-10-j-01 科目 电子技术 授课日期 11中级汽车维修（3）班：2012-2-14 课时 2 课题 第一章 半导体二极管 1-2 半导体二极管 二、二极管的伏安特性 三、二极管的主要参数 四、二极管的识别与检测 班级 11中级汽车维修（3）、（4）班 教 学 目 的 1.半导体二极管的结构、符号、类型及命名； 2.掌握二极管的单向导电性和伏安特性； 3.掌握二极管的主要参数； 4.学会识别二极管的极性； 5.掌握二极管的检测方法。 选 用 教 具 挂 图 重 点 二极管的单向导电性和伏安特性 难 点 正确理解二极管的伏安特性曲线 教 学 回 顾 通过本次课的学习，学生基本掌握了二极管的伏安特性、主要参数以及检测原理。 说 明 审阅签名： 【组织教学】 师生相互问好，清查学生到课率，营造良好教学氛围。 【导入新课】 将PN结加上相应的电极引线和管壳，就形成了二极管，本次课我们来学习二极管的单向导电性和伏安特性。 【讲授新课】 二、二极管的伏安特性 晶体二极管的伏安特性是指加在二极管两端的电压U与流过二极管的电流I之间的关系曲线。如图1―5。 从特性曲线图可以看出，晶体二极管是非线性元件，其的伏安特性有如下特点： 1. 正向特性 ①有不导区（死区），二极管虽加正向电压但不导通的电压区域叫死区，硅管的不导区约为 0.5V，通常把0.5V叫做硅管的死区电压，锗管死区电压为0.2V。也即硅管正向电压＜0.5V，锗管 正向电压＜0.2V时，二极管不导通。 ②有缓流区，硅管正向电压为0.5V~0.7V，锗管正向电压为0.2V~0.3V时，二极管中电压增加时电流增加缓慢，这个区域叫做缓流区。 ③有急流区（导通区，开启区），硅管正向电压达0.7V，锗管正向电压达0.3V后，电压稍有增加，二极管中的电流就急剧增加。这个区域叫做导通区（开启区、急流区）。通常把0.7V叫做硅管的开启电压，0.3V为锗管的开启电压。 2. 反向特性 ①有饱和电流区（能够反向导通但不击穿的电压区域）：当反向电压为小于某值时，反向电流很小且几乎不随反向电压的增加而增大，这个区域就是饱和电流区。锗管的饱和电流较大，一般达数百，硅管的饱和电流较小，一般为1至几十。 ②有反向击穿区：反向电压达到反向击穿电压时，反向电流突然猛增，二极管被反向击穿。此时对应的电压叫反向击穿电压。反向击穿破坏了二极管的单向导电性，如果没有限流措施，二极管可能损坏。 三、二极管的主要参数 1．最大整流电流IF 长期工作，允许通过的最大正向平均电流的最大值。一般硅管的IF达数百安以上，锗管的IF为几十毫安以下。通过二极管的电流应小于IF，否则二极管可能过损坏。 2．最大反向工作电压URM 允许加到二极管两端的反向电压的最大值（一般），加在二极管两端的电压应小于，否则二极管会反向击穿而损坏。 3．反向电流Is 二极管未击穿时的反向电流。Is越小，则管子的单向导电性越好。硅管的反向电流较小，一般为几毫安以下；锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。Is对环境温度很敏感，使用时应注意环境温度不宜过高。 【例1—1】 判断下列各电路中二极管的工作状态和求二极管分别为硅管、锗管、理想管时的。 解 （1）判断工作状态 电路中，电路正向电动势为,导通； 电路中，反偏，不导通； 电路中，电路正向电动势为，大于死区电压,导通。 （2）求 电路中，若为硅管，则其压降为,； 若为锗管，则其压降为,； 若为理想管，则其压降为,。 电路中，电路中电流为,；二极管承受6V的反向电压。 电路中，若为硅管，则其压降为,； 若为锗管，则其压降为,； 若为理想管，则其压降为, 四、二极管的识别与检测 1. 二极管管脚极性确定 ①外部有标志时看标志 ②外部没标志时靠检测 因为正向电阻为几百至几千欧，而反向电阻极大。故据此用万用表电阻挡检测二极管的正、反向电阻可确定二极管的极性：如测得电阻为几百至几千欧，则黑表笔所接的电极是正极，红表笔所接的电极是负极。要注意的是：测小功率管时，要用挡或挡，不能用挡或挡（挡万用表输出电压高，挡万用表输出电流大）。 2. 好坏判断 硅、锗管区分 硅管的正向电阻较大，锗管的正向电阻较小，据此测正向电阻值可判断硅管或锗管。 【课堂总结】 二极管的结构、分类； 二极管的伏安特性曲线； 二极管的主要参数； 二极管的识别和检测。 【布置作业】 习题册 第三大题、第四大题第2、3小题 教学过程