【2017年整理】2-2半导体二极管.ppt
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【2017年整理】1半导体及二极管111.ppt
第一章 半导体器件 半导体的基本知识 PN结及其单向导电性 半导体二极管 稳压管 ★二极管基本电路分析 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 半导体的基本知识 本征半导体、空穴及其导电作用 杂质半导体 根据物体导电能力(电阻率)的不同，划分为导体、绝缘体和半导体。 半导体的电阻率为10-3～109 ??cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 半导体的特点：1）导电能
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【2017年整理】1半导体二极管.doc
模拟电子技术网络课程教学大纲及教学安排
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一、教学基本要求
《电子技术》课程教学基本要求是教育部以高教司[1995]82号文件的形式颁发的，这是一份规范高校教学内容的重要文件。要注意它所规定的内容是基本的教学内容，这是一个最低的要求，各校可以根据具体情况和不同的专业需要，在一些内容上有所延伸和增加。以下是文件中有关《电子技术》模拟部分的内容，转载于此供参考。
模拟电子技术
（1）了解半导体二极管、稳压管、晶体管和MOS场效应管的工作原理和主要参数。
（2）理解共射极单管放大电路的工作原理和性能特点，掌握静态工作点的估算和简化微变等效电路的分析方法。了解输入电阻和输出电阻的概念
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【2017年整理】1-2半导体二极管.doc
广东省机械高级技工学校
文化理论课教案首页
7.5.1-10-j-01
科目 电子技术 授课日期 11中级汽车维修（3）班：2012-2-14 课时 2 课题 第一章 半导体二极管
1-2 半导体二极管
二、二极管的伏安特性
三、二极管的主要参数
四、二极管的识别与检测 班级 11中级汽车维修（3）、（4）班 教
学
目
的 1.半导体二极管的结构、符号、类型及命名；
2.掌握二极管的单向导电性和伏安特性；
3.掌握二极管的主要参数；
4.学会识别二极管的极性；
5.掌握二极管的检测方法。 选
用
教
具
挂
图 重
点 二极管的单向导电性和伏安特性 难
点 正确理解二极管的伏安特性曲
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[2017年整理]半导体二极管实物图.ppt
2CZ56(ZP)二极管(整流) 二极管 二 极 管 二极管的分类 发光二极管 薄金属片为 正极 厚金属片为 负极 发光二极管 老式二极管,三极管 发 光 二 极 管 硅粒—高频高压快恢复-硅粒-黑白电视整流和阻尼-玻璃钝化--高速或高频二极管 二极管 三极管 检波二极管 说明 通信上: 从输入信号 中取出 调制信号是 检波 常规上:整流电流的大小（100mA）作为界线,输出电流小于100mA的叫检波 开关二极管 开关 二极管 整流二极管 蓝紫光 二极管 二极管 双异质结砷化镓二极管激光器 贴片 二极管 贴片 二极管 电路 贴片二极管 原理图 二极管封装详解 * * Evaluation on
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【2017年整理】半导体二极管及其基本电路.ppt
第二章 半导体二极管及其基本电路;本章主要内容;2.1 半导体的基本知识;半导体：;一. 半导体的共价键结构;半导体的共价键结构图;二. 本征半导体;+4;+4;+4;温度升高后，本征半导体结构图;E;自由电子——带负电荷，形成电子流;三. 杂质半导体;+4;+4; 多数载流子（多子）—自由电子；
少数载流子（少子）—空穴。; 多数载流子（多子）—自由电子；
少数载流子（少子）—空穴。;杂质半导体的示意表示方法;－;【半导体知识】小结;2.2 PN结的形成及特性;;;PN结中进行着两种载流子的运动：;空间电荷的变化趋势：;外加正向电压;PN结加正向电压时导通;－;－;－;动画演示;外
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半导体二极管 (2).ppt
半导体二极管图片 第三十一页，共50页 半导体二极管图片 第三十二页，共50页 半导体二极管图片 第三十三页，共50页 二. 二极管的模型及近似分析计算 例： I R 10V E 1kΩ D—非线性器件 i u RLC—线性器件 第三十四页，共50页 二极管的模型 D U 串联电压源模型 U D 二极管的导通压降。硅管 0.7V；锗管 0.3V。 理想二极管模型 正偏 反偏 导通压降 二极管的V—A特性 第三十五页，共50页 第一页，共50页 1.1 半导体的基本知识 在物理学中。根据材料的导电能力，可以将他们划分导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是
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半导体二极管.ppt
关于关于半导体二极管;分类：
按结构分为点接触型、面接触型和平面型三类。
1.点接触型二极管，通过的电流小，结电容小，适用于高频电路和开关电路。
2.面接触型二极管，结面积大，电流大，结电容大，适用于低频整流电路。
3.平面型二极管，结面积较大时可以通过较大电流，适用于大功率整流，结面积较小时，可作为数字电路中的开关管。 ;;半导体二极管符号、特性、参数;2.二极管的伏安特性 ;
(1) 正向特性。OA段：常称“死区”，表示由于起始部分正向电压较小，正向电流??非常小，几乎为零，OA段的电压称死区电压或门槛电压UT ，其大小随管子的材料和温度的不同而改变，一般取硅管为0.5V，锗
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§2-2半导体二极管.ppt
* §2-2 半导体二极管 学习要点： 二极管导通条件及参数 稳压二极管及其特性 半导体二极管 2-2-1 二极管伏安特性及主要参数 2-2-2 二极管的分类及命名方法 2-2-3 二极管的等效电路 2-2-4 稳压二极管 退出 2-2-1 二极管伏安特性及主要参数 1.二极管的伏安特性曲线 结构与符号 伏安特性曲线 讨论：（a）正向特性——VD的阳极接+、阴极接- Uth——“开启电压”或“死区电压
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半导体与二极管.ppt
2.2.4 PN结的电容效应 (1) 势垒电容CB 势垒电容示意图 2.2.4 PN结的电容效应 (2) 扩散电容CD 扩散电容示意图 ??????????????????? 由于PN结结电容（CB和CD）的存在，使其在高频运用时，必须考虑结电容的影响，PN结高频等产电路如图所示，图中r表示电阻，C表示结电容，包括势垒电容和扩散电容的总效果。当PN结处于正向偏置时，r为正向电阻，其数值很小，结电容较大（主要决定于扩散电容CD）。当PN结处于反向偏置时，r为正向电阻，其数值很小，结电容较大（主要决定于扩散电容CD）。当PN结处于的向偏置时，r为反向电阻，其数值较大。结电容较小（主要
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.2半导体二极管.ppt
1.2 半导体二极管 * 1.2 半导体二极管 将PN结用外壳封装起来，并加上电极引线就构成了半导体二极管。由P区引出的电极为阳极（A） ，由N区引出的电极为阴极（ K ）。 二极管的符号： P N 阳极 阴极 一、伏安特性 U I 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压UBR 死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V。 环境温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线下移。在室温附近,温度每升高1°C,正向压降减小2~2.5mV;温度每升高10°C，反向电流约增大1倍。二极管的特性对温度很敏感。 二、 二极管的主要
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半导体及二极管.ppt
第三十一页，共四十九页，2022年，8月28日 2. 基本放大电路 晶体管工作在放大状态必须： ? 发射结为正向偏置 ? 集电结为反向偏置 第三十二页，共四十九页，2022年，8月28日 共射极基本放大电路 第三十三页，共四十九页，2022年，8月28日 第三十四页，共四十九页，2022年，8月28日 共射极基本放大电路的简化及习惯画法 第三十五页，共四十九页，2022年，8月28日 关于半导体及二极管 第一页，共四十九页，2022年，8月28日 1. 半导体的导电特性 本征半导体 硅 锗 第二页，共四十九页，2022年，8月28日 两种载流子： 空穴 自由电子 第三
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2半导体及二极管.ppt
+ — + — + — D1为正向偏置，vo= 0V，此时D2的阴极电位为5V，阳极为0V，处于反向偏置，故D2截止。 解： D1为正向偏置，vo= 0V， （1）当 时， vI1 二极管工作状态 导通 导通 导通 导通 截至 截至 截至 截至 vI2 vo D1 D2 0V 0V 0V 0V 0V 0V 0V 5V 5V 5V 5V 5V （2）如下表所示 输入电压只要有一个为0V，则输出为0V； 只有当输入电压均为5V时，输出才为5V。 这种关系在数字电路中称为与逻辑。 + — + — + — （5）低电压稳压电路 稳压电
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1-半导体二极管.ppt
* 半导体二极管 第 1 章 1.1 半导体的基础知识 1.1.1 本征半导体 1.1.2 杂质半导体 1.1.3 PN 结 (Semiconductor Diode) 1.1.1 本征半导体 半导体 — 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 本征半导体 — 纯净的半导体。如硅、锗单晶体。 载流子 — 自由运动的带电粒子。 共价键 — 相邻原子共有价电子所形成的束缚。 +4 +4 +4 +4 硅(锗)的原子结构 Si 2 8 4 Ge 2 8 18 4 简化 模型 +4 惯性核 硅(锗)的共价键结构 价电子 自 由 电 子 (束缚电子) 空 穴 空穴 空穴可在共 价键内移动 第 1 章 半
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半导体二极管(2).pdf
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半导体二极管及.pptx
第二章
半导体二极管及应用电路
2-1半导体基础知识01半导体022.1.1半导体材料03其导电能力介于导体和绝缘体之间。04半导体具有某些特殊性质：如压敏热敏及掺杂特性，05导电能力改变。06
本征半导体，空穴及其导电作用一、本征半导体的结构特点GeSi通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。
本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。硅和锗的晶体结构：在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子