半导体及二极管.ppt

第三十一页，共四十九页，2022年，8月28日 2. 基本放大电路 晶体管工作在放大状态必须： ? 发射结为正向偏置 ? 集电结为反向偏置 第三十二页，共四十九页，2022年，8月28日 共射极基本放大电路 第三十三页，共四十九页，2022年，8月28日 第三十四页，共四十九页，2022年，8月28日 共射极基本放大电路的简化及习惯画法 第三十五页，共四十九页，2022年，8月28日 关于半导体及二极管 第一页，共四十九页，2022年，8月28日 1. 半导体的导电特性 本征半导体 硅 锗 第二页，共四十九页，2022年，8月28日 两种载流子： 空穴 自由电子 第三页，共四十九页，2022年，8月28日 N 型半导体 第四页，共四十九页，2022年，8月28日 P 型半导体 第五页，共四十九页，2022年，8月28日 PN 结的形成 多数载流子的扩散运动 第六页，共四十九页，2022年，8月28日 形成 PN 结 第七页，共四十九页，2022年，8月28日 扩散运动与漂移运动 第八页，共四十九页，2022年，8月28日 PN 结的单向导电性 第九页，共四十九页，2022年，8月28日 结加正向电压 PN （导通） 第十页，共四十九页，2022年，8月28日 结加反向电压 PN （截止） 第十一页，共四十九页，2022年，8月28日 2. 半导体二极管 第十二页，共四十九页，2022年，8月28日 二极管的 伏安特性 第十三页，共四十九页，2022年，8月28日 二极管的主要参数 （1）最大整流电流 IF （2）反向击穿电压 VBR （3）反向电流 IR 第十四页，共四十九页，2022年，8月28日 二极管基本电路及其分析方法 （1）二极管正向V-I特性的建模 理想化模型 恒压降模型 第十五页，共四十九页，2022年，8月28日 （2）模型分析法应用举例 1）静态工作情况分析 2）限幅电路 3）开关电路 4）低电压稳压电路 第十六页，共四十九页，2022年，8月28日 齐纳二极管 （稳压管） 第十七页，共四十九页，2022年，8月28日 简单的稳压电路 第十八页，共四十九页，2022年，8月28日 半导体三极管 及 放大电路基础 第十九页，共四十九页，2022年，8月28日 1. 半导体三极管（晶体管） 第二十页，共四十九页，2022年，8月28日 NPN 型三极管结构及符号 第二十一页，共四十九页，2022年，8月28日 PNP 型三极管结构及符号 第二十二页，共四十九页，2022年，8月28日 晶体管中的载流子运动和电流分配 第二十三页，共四十九页，2022年，8月28日 晶体管的电流方向、 发射结和集电结的极性 第二十四页，共四十九页，2022年，8月28日 晶体管的输入特性曲线 第二十五页，共四十九页，2022年，8月28日 晶体管的输出特性曲线 第二十六页，共四十九页，2022年，8月28日 晶体管的主要参数 (1)电流放大系数 (2)集-基极反向电流 ICBO (3)集-射极反向电流 ICEO 第二十七页，共四十九页，2022年，8月28日 集-基极反向电流 ICBO 第二十八页，共四十九页，2022年，8月28日 集-射极反向电流 ICEO （穿透电流） 第二十九页，共四十九页，2022年，8月28日 (4)集电极最大允许电流 ICM (5)集电极最大允许耗散功率 PCM 第三十页，共四十九页，2022年，8月28日