[2017年整理]半导体二极管实物图.ppt

半导体二极管实物.pptx 2CZ56(ZP)二极管(整流) 二极管 二极管 二极管的分类发光二极管薄金属片为正极厚金属片为负极发光二极管 老式二极管,三极管发光二极管硅粒—高频高压快恢复-硅粒-黑白电视整流和阻尼-玻璃钝化--高速或高频二极管 二极管三极管检波二极管说明1通信上:2从输入信号3中取出4调制信号是5检波6常规上:整流电流的大小（100mA）作为界线,输出电流小于100mA的叫检波7 开关二极管 开关 二极管 整流二极管 蓝紫光 二极管 二极管 双异质结砷化镓二极管激光器贴片 二极管 贴片 二极管 电路贴片二极管 原理图 二极管封装详解

2025-05-21 约小于1千字 10页立即下载

【2017年整理】1半导体及二极管111.ppt 第一章 半导体器件 半导体的基本知识 PN结及其单向导电性 半导体二极管 稳压管 ★二极管基本电路分析 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 半导体的基本知识本征半导体、空穴及其导电作用杂质半导体 根据物体导电能力(电阻率)的不同，划分为导体、绝缘体和半导体。 半导体的电阻率为10-3～109 ??cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 半导体的特点：1）导电能

2017-06-08 约6.22千字 31页立即下载

【2017年整理】2-2半导体二极管.ppt

2018-11-22 约字 19页立即下载

【2017年整理】1半导体二极管.doc 模拟电子技术网络课程教学大纲及教学安排 ? 一、教学基本要求《电子技术》课程教学基本要求是教育部以高教司[1995]82号文件的形式颁发的，这是一份规范高校教学内容的重要文件。要注意它所规定的内容是基本的教学内容，这是一个最低的要求，各校可以根据具体情况和不同的专业需要，在一些内容上有所延伸和增加。以下是文件中有关《电子技术》模拟部分的内容，转载于此供参考。模拟电子技术（1）了解半导体二极管、稳压管、晶体管和MOS场效应管的工作原理和主要参数。（2）理解共射极单管放大电路的工作原理和性能特点，掌握静态工作点的估算和简化微变等效电路的分析方法。了解输入电阻和输出电阻的概念

2017-06-09 约字 83页立即下载

【2017年整理】1-2半导体二极管.doc 广东省机械高级技工学校文化理论课教案首页 7.5.1-10-j-01 科目电子技术授课日期 11中级汽车维修（3）班：2012-2-14 课时 2 课题第一章 半导体二极管 1-2 半导体二极管 二、二极管的伏安特性三、二极管的主要参数四、二极管的识别与检测班级 11中级汽车维修（3）、（4）班教学目的 1.半导体二极管的结构、符号、类型及命名； 2.掌握二极管的单向导电性和伏安特性； 3.掌握二极管的主要参数； 4.学会识别二极管的极性； 5.掌握二极管的检测方法。选用教具挂图重点 二极管的单向导电性和伏安特性难点正确理解二极管的伏安特性曲

2017-06-07 约2千字 3页立即下载

【2017年整理】半导体二极管及其基本电路.ppt 第二章 半导体二极管及其基本电路;本章主要内容;2.1 半导体的基本知识;半导体：;一. 半导体的共价键结构;半导体的共价键结构图;二. 本征半导体;+4;+4;+4;温度升高后，本征半导体结构图;E;自由电子——带负电荷，形成电子流;三. 杂质半导体;+4;+4; 多数载流子（多子）—自由电子；少数载流子（少子）—空穴。; 多数载流子（多子）—自由电子；少数载流子（少子）—空穴。;杂质半导体的示意表示方法;－;【半导体知识】小结;2.2 PN结的形成及特性;;;PN结中进行着两种载流子的运动：;空间电荷的变化趋势：;外加正向电压;PN结加正向电压时导通;－;－;－;动画演示;外

2017-06-08 约小于1千字 84页立即下载

半导体二极管 (2).ppt 半导体二极管图片第三十一页，共50页 半导体二极管图片第三十二页，共50页 半导体二极管图片第三十三页，共50页二. 二极管的模型及近似分析计算例： I R 10V E 1kΩ D—非线性器件 i u RLC—线性器件第三十四页，共50页 二极管的模型 D U 串联电压源模型 U D 二极管的导通压降。硅管 0.7V；锗管 0.3V。理想二极管模型正偏反偏导通压降 二极管的V—A特性第三十五页，共50页第一页，共50页 1.1 半导体的基本知识在物理学中。根据材料的导电能力，可以将他们划分导体、绝缘体和半导体。典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是

2021-11-23 约4.55千字 50页立即下载

半导体二极管.ppt 关于关于半导体二极管;分类：按结构分为点接触型、面接触型和平面型三类。 1.点接触型二极管，通过的电流小，结电容小，适用于高频电路和开关电路。　　 2.面接触型二极管，结面积大，电流大，结电容大，适用于低频整流电路。　　 3.平面型二极管，结面积较大时可以通过较大电流，适用于大功率整流，结面积较小时，可作为数字电路中的开关管。　;;半导体二极管符号、特性、参数;2.二极管的伏安特性 ; (1) 正向特性。OA段：常称“死区”，表示由于起始部分正向电压较小，正向电流??非常小，几乎为零，OA段的电压称死区电压或门槛电压UT ，其大小随管子的材料和温度的不同而改变，一般取硅管为0.5V，锗

2022-11-07 约小于1千字 19页立即下载

§2-2半导体二极管.ppt * §2-2 半导体二极管 学习要点： 二极管导通条件及参数稳压二极管及其特性 半导体二极管 2-2-1 二极管伏安特性及主要参数 2-2-2 二极管的分类及命名方法 2-2-3 二极管的等效电路 2-2-4 稳压二极管 退出 2-2-1 二极管伏安特性及主要参数 1.二极管的伏安特性曲线结构与符号伏安特性曲线讨论：（a）正向特性——VD的阳极接+、阴极接- Uth——“开启电压”或“死区电压

2017-11-04 约3.17千字 11页立即下载

半导体与二极管.ppt 2.2.4 PN结的电容效应 (1) 势垒电容CB 势垒电容示意图 2.2.4 PN结的电容效应 (2) 扩散电容CD 扩散电容示意图 ??????????????????? 由于PN结结电容（CB和CD）的存在，使其在高频运用时，必须考虑结电容的影响，PN结高频等产电路如图所示，图中r表示电阻，C表示结电容，包括势垒电容和扩散电容的总效果。当PN结处于正向偏置时，r为正向电阻，其数值很小，结电容较大（主要决定于扩散电容CD）。当PN结处于反向偏置时，r为正向电阻，其数值很小，结电容较大（主要决定于扩散电容CD）。当PN结处于的向偏置时，r为反向电阻，其数值较大。结电容较小（主要

2017-06-13 约4.42千字 52页立即下载

.2半导体二极管.ppt 1.2 半导体二极管 * 1.2 半导体二极管 将PN结用外壳封装起来，并加上电极引线就构成了半导体二极管。由P区引出的电极为阳极（A），由N区引出的电极为阴极（ K ）。 二极管的符号： P N 阳极阴极一、伏安特性 U I 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。反向击穿电压UBR 死区电压硅管0.6V,锗管0.2V。环境温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线下移。在室温附近,温度每升高1°C,正向压降减小2~2.5mV;温度每升高10°C，反向电流约增大1倍。二极管的特性对温度很敏感。二、 二极管的主要

2018-05-24 约1.66千字 22页立即下载

半导体及二极管.ppt 第三十一页，共四十九页，2022年，8月28日 2. 基本放大电路晶体管工作在放大状态必须： ? 发射结为正向偏置 ? 集电结为反向偏置第三十二页，共四十九页，2022年，8月28日共射极基本放大电路第三十三页，共四十九页，2022年，8月28日第三十四页，共四十九页，2022年，8月28日共射极基本放大电路的简化及习惯画法第三十五页，共四十九页，2022年，8月28日关于半导体及二极管 第一页，共四十九页，2022年，8月28日 1. 半导体的导电特性本征半导体 硅锗第二页，共四十九页，2022年，8月28日两种载流子：空穴自由电子第三

2022-11-04 约1.51千字 49页立即下载

2半导体及二极管.ppt + — + — + — D1为正向偏置，vo= 0V，此时D2的阴极电位为5V，阳极为0V，处于反向偏置，故D2截止。解： D1为正向偏置，vo= 0V，（1）当时， vI1 二极管工作状态导通导通导通导通截至截至截至截至 vI2 vo D1 D2 0V 0V 0V 0V 0V 0V 0V 5V 5V 5V 5V 5V （2）如下表所示输入电压只要有一个为0V，则输出为0V；只有当输入电压均为5V时，输出才为5V。这种关系在数字电路中称为与逻辑。 + — + — + — （5）低电压稳压电路稳压电

2017-06-17 约1.25万字 90页立即下载

1-半导体二极管.ppt * 半导体二极管 第 1 章 1.1　半导体的基础知识 1.1.1　本征半导体 1.1.2　杂质半导体 1.1.3　PN 结 (Semiconductor Diode) 1.1.1 本征半导体 半导体 — 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。本征半导体 — 纯净的半导体。如硅、锗单晶体。载流子 — 自由运动的带电粒子。共价键 — 相邻原子共有价电子所形成的束缚。 +4 +4 +4 +4 硅(锗)的原子结构 Si 2 8 4 Ge 2 8 18 4 简化模型 +4 惯性核硅(锗)的共价键结构价电子自由电子 (束缚电子) 空穴空穴空穴可在共价键内移动第 1 章　半

2017-02-02 约2.5千字 18页立即下载

半导体二极管(2).pdf

2020-09-12 约小于1千字 49页立即下载