基于ZnO和黑磷的忆阻器的突触模拟研究.pdf
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摘要
摘要
忆阻器作为新一代人工神经网络中的基本单元,具有结构简单、集成度
高以及能够实现存算一体的特点，为人工神经网络在模式识别、智能机器人、
自动控制、预测估计等领域的应用带来了新的解决方案。而受到阻变层材料、
电极材料和能耗等因素的影响，制备稳定、能耗低、性能良好的忆阻器单元
依然是当前亟待解决的难题。采用低维结构的纳米材料和掺杂改性等策略使
忆阻器在能耗和集成方面展现出更大的发展潜力。因此，本文以《基于ZnO
和黑
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