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氧化物忆阻器：从阻变存储到神经突触模拟的深度探索
一、引言
1.1研究背景与意义
在信息技术飞速发展的当下，数据量呈爆炸式增长，对存储和计算能力提出了前所未有的挑战。传统计算机基于冯?诺依曼架构，其存储和计算分离的模式，导致处理器与内存之间的数据传输成为瓶颈，即“存储墙”问题，严重限制了计算效率的提升，同时也带来了高能耗等问题。此外，随着半导体器件尺寸不断缩小，逐渐逼近物理极限，摩尔定律面临失效，亟需寻找新的技术和器件来推动信息技术的持续发展。
忆阻器作为一种具有独特记忆特性的非线性电阻元件，自1971年被蔡少棠教授从理论上提出，到2008年惠普实验室成功制造出首个忆阻器器件，引
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