用于电荷钝化测试单晶硅片少子寿命的前处理系统和方法.pdf

太阳能级单晶硅少子寿命的测量.pdf 太阳能级单晶硅少子寿命的测量（广州市昆德科技有限公司王进世王昕）我国半导体单晶硅、锗的少子寿命测量，从研究测试方法及设备到生产寿命测试仪器，已有近50 年的历史。80 年代初我国开始生产硅单晶少子寿命测试仪，其中上海电动工具研究所、浙江大学、广州半导体材料研究所都小批量生产过高频光电导衰退寿命测试仪，解决了我国区熔单晶、集成电路级硅单晶的少子寿命 测试问题。在中国有色金属工业标准所的组织下，高频光电导衰退法的寿命测量精

2018-03-26 约14.01万字 47页立即下载

直拉单晶棒少子寿命的检测.ppt 籽晶晶体定向的检测 Detectionofseedcrystalorientation检测依据及设备、原理检测作业指导书检测数据分析234采样及其样品处理1检测报告书5采样及其样品处理单晶棒单晶片：取头部、中部、尾部各三片，要具有代表性一、采样试样待测面用28~42μm或20~28μm金刚砂研磨或喷砂。对圆片试样，用5~14μm氧化铝或金刚砂研磨上下表面。二、样品处理检测依据检测设备如果波长为λ的单色X射线入射到晶体上，要使其能在某晶面产生衍射，使得该晶面的放置位置相对于入射X射线来说满足布喇格方程2dsinθ=nλ，对不同结构的晶体和不同的晶面其衍射线出现的方位不同，在与入射线的角度为2θ的

2025-02-24 约1.03千字 10页立即下载

直拉单晶棒少子寿命的检测.ppt 关于直拉单晶棒少子寿命的检测第1页，共12页，星期日，2025年，2月5日检测依据及设备、原理检测作业指导书检测数据分析234采样及其样品处理1检测报告书5第2页，共12页，星期日，2025年，2月5日采样及其样品处理一、采样1、单晶棒2、单晶片：取头部、中部、尾部各三片，要具有代表性二、样品处理1、试样待测面用28~42μm或20~28μm金刚砂研磨或喷砂。2、对圆片试样，用5~14μm氧化铝或金刚砂研磨上下表面。第3页，共12页，星期日，2025年，2月5日检测依据第4页，共12页，星期日，2025年，2月5日检测设备Ｘ射线晶体定向仪原理：如果波长为λ的单色X射线入射到晶体上，要使其能

2025-03-06 约1.11千字 12页立即下载

少子寿命测试原理.ppt 体少子寿命越大，表面复合速率越大，偏差越大。厚度越薄，偏差越大当表面状态一定时，体少子寿命降低，有效少子寿命也降低。铸造多晶硅锭中，从底部到头部，从边缘到中心，氧浓度逐渐降低。虽然低于溶解度的间隙氧并不显电学活性，但是当间隙氧的浓度高于其溶解度时，就会有热施主、新施主和氧沉淀生成，进一步产生位错、层错，从而成为少数载流子的复合中心杂质铁由于具有较大的固相扩散系数和扩散速度另一方面铁的分凝系数较小，在结晶的过程中，铁原子不断地向硅锭顶部聚集，从而也导致顶部铁浓度较高，铁的分布呈现两端浓度较大，中间部分浓度较小且分布均匀的特点。所以铸造多晶硅硅锭两端分别存在着一个低寿命区域。

2017-11-07 约2.64千字 36页立即下载

8英寸直拉单晶棒少子寿命检测.ppt 八英寸直拉单晶棒少子寿命检测 Eight inch czochralski single crystal rods ShaoZi life test ;目录：;一、采样及样品处理;二、检测依据及设备;2、检测设备:;三、检测原理及作业指导书;1、直流光电导衰退法 ;2、高频光电导衰退法;2、作业指导书;四、检测环境及影响因素;五、检测数据分析;六、检测报告书;

2017-04-18 约小于1千字 13页立即下载

一种测试重掺硅单晶寿命的测试系统及快速检测方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114563332 A (43)申请公布日 2022.05.31 (21)申请号 202210078584.9 (22)申请日 2022.01.24 (71)申请人杭州中欣晶圆半导体股份有限公司地址

2023-05-10 约1.46万字 18页立即下载

一种用于改善单晶硅生产过程中坩埚鼓包的方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号CN117418304A (43)申请公布日2024.01.19 (21)申请号202311505242.1 (22)申请日2023.11.13 (71)申请人云南美科新能源发

2024-01-18 约8.7千字 8页立即下载

单晶硅锭的制造方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113005509 A (43)申请公布日 2021.06.22 (21)申请号 202011111507.6 (22)申请日 2020.10.16 (30)优先权数据 2019-2304

2023-06-09 约1.6万字 15页立即下载

—种用于单晶硅棒的倒角装置.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213470606 U (45)授权公告日 2021.06.18 (21)申请号 202021990377.3 (22)申请日 2020.09.11 (73)专利权人天津锋铠途科技有限公司

2023-03-12 约7.58千字 7页立即下载

少子寿命d.doc 高频光电导衰减法测量Si中少子寿命 一、概述半导体中的非平衡少数载流子寿命是与半导体中重金属含量、晶体结构完整性直接有关的物理量。它对半导体太阳电池的换能效率、半导体探测器的探测率和发光二极管的发光效率等都有影响。因此，掌握半导体中少数载流子寿命的测量方法是十分必要的。测量非平衡少数载流子寿命的方法有许多种，分别属于瞬态法和稳态法两大类。瞬态法是利用脉冲电或闪光在半导体中激发出非平衡载流子，改变半导体的体电阻，通过测量体电阻或两端电压的变化规律直接获得半导体材料的寿命。这类方法包括光电导衰减法和双脉冲法。稳态法是利用稳定的光照，使半导体中非平衡少子的分布达到稳定的状态，由测量半导体样品

2016-12-15 约2.45千字 5页立即下载

单晶硅棒主要参数和测试方法.doc 单晶硅棒主要参数和测试方法 单晶硅棒的主要技术参数型号 P型或N型电阻率 0.0001ohm.cm-100ohm.cm 晶向电阻率均匀性 25% 位错密度无位错碳含量 1ppma OISF密度 500cm２氧含量根据客户要求其中电阻率、OISF密度、以及碳含量是衡量单晶硅棒等级的关键参数。这些参数在单晶成型后即定型，无法在此后的加工中进行改变。测试项目 测试方法 电阻率用四探针法碳含量利用红外分光光度计进行检测 OISF密度利用氧化诱生法在高温、高洁净的炉管中氧化，再经过腐蚀后观察其密度进行报数。

2018-03-25 约小于1千字 1页立即下载

一种籽晶铺设方法、单晶硅锭的制备方法和单晶硅锭.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113373503 A (43)申请公布日 2021.09.10 (21)申请号 20201

2023-06-19 约1.38万字 12页立即下载

少子寿命测试仪器中文说明.pdf WT-2000 中文说明 WT-2000 中文说明一．简介: 可选功能： UPCD 无接触测量少子寿命 LBIC 光诱导电流，反射率，计算电池内外量子效率 SHR 无接触测试方块电阻 RES 涡流法无接触测试电阻率 P/N 无接触型号测试 THCKNESS 电容法测试晶片厚度设备概述： 1．两台工控电脑,其中一台是 DOS 操作系统，主要负责测量数据的处理，机器动作的控制与监控，并与另一台电脑通讯。另一台电脑是 WINDOWS

2018-05-23 约1.51万字 11页立即下载

单晶硅片的制备方法和应用.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113382835 B (45)授权公告日 2022.08.02 (21)申请号 202080010693.6 (73)专利权人常州时创能源股份有限公司

2023-06-21 约1.1万字 8页立即下载

一种区熔单晶硅的制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114540942 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210222706.7 (22)申请日 2022.03.07 (71)申请人陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任

2023-05-11 约1.46万字 13页立即下载