8英寸直拉单晶棒少子寿命检测.ppt

直拉单晶棒少子寿命的检测.ppt 籽晶晶体定向的检测 Detectionofseedcrystalorientation检测依据及设备、原理检测作业指导书检测数据分析234采样及其样品处理1检测报告书5采样及其样品处理单晶棒单晶片：取头部、中部、尾部各三片，要具有代表性一、采样试样待测面用28~42μm或20~28μm金刚砂研磨或喷砂。对圆片试样，用5~14μm氧化铝或金刚砂研磨上下表面。二、样品处理检测依据检测设备如果波长为λ的单色X射线入射到晶体上，要使其能在某晶面产生衍射，使得该晶面的放置位置相对于入射X射线来说满足布喇格方程2dsinθ=nλ，对不同结构的晶体和不同的晶面其衍射线出现的方位不同，在与入射线的角度为2θ的

2025-02-24 约1.03千字 10页立即下载

直拉单晶棒少子寿命的检测.ppt 关于直拉单晶棒少子寿命的检测第1页，共12页，星期日，2025年，2月5日检测依据及设备、原理检测作业指导书检测数据分析234采样及其样品处理1检测报告书5第2页，共12页，星期日，2025年，2月5日采样及其样品处理一、采样1、单晶棒2、单晶片：取头部、中部、尾部各三片，要具有代表性二、样品处理1、试样待测面用28~42μm或20~28μm金刚砂研磨或喷砂。2、对圆片试样，用5~14μm氧化铝或金刚砂研磨上下表面。第3页，共12页，星期日，2025年，2月5日检测依据第4页，共12页，星期日，2025年，2月5日检测设备Ｘ射线晶体定向仪原理：如果波长为λ的单色X射线入射到晶体上，要使其能

2025-03-06 约1.11千字 12页立即下载

太阳能级单晶硅少子寿命的测量.pdf 太阳能级单晶硅少子寿命的测量（广州市昆德科技有限公司王进世王昕）我国半导体单晶硅、锗的少子寿命测量，从研究测试方法及设备到生产寿命测试仪器，已有近50 年的历史。80 年代初我国开始生产硅单晶少子寿命测试仪，其中上海电动工具研究所、浙江大学、广州半导体材料研究所都小批量生产过高频光电导衰退寿命测试仪，解决了我国区熔单晶、集成电路级硅单晶的少子寿命 测试问题。在中国有色金属工业标准所的组织下，高频光电导衰退法的寿命测量精

2018-03-26 约14.01万字 47页立即下载

少子寿命d.doc 高频光电导衰减法测量Si中少子寿命 一、概述半导体中的非平衡少数载流子寿命是与半导体中重金属含量、晶体结构完整性直接有关的物理量。它对半导体太阳电池的换能效率、半导体探测器的探测率和发光二极管的发光效率等都有影响。因此，掌握半导体中少数载流子寿命的测量方法是十分必要的。测量非平衡少数载流子寿命的方法有许多种，分别属于瞬态法和稳态法两大类。瞬态法是利用脉冲电或闪光在半导体中激发出非平衡载流子，改变半导体的体电阻，通过测量体电阻或两端电压的变化规律直接获得半导体材料的寿命。这类方法包括光电导衰减法和双脉冲法。稳态法是利用稳定的光照，使半导体中非平衡少子的分布达到稳定的状态，由测量半导体样品

2016-12-15 约2.45千字 5页立即下载

一种直拉法单晶炉.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 214142606 U (45)授权公告日 2021.09.07 (21)申请号 202022210974.6 (22)申请日 2020.09.30 (73)专利权人刘博旸地址 31

2023-04-04 约1.05万字 11页立即下载

用于电荷钝化测试单晶硅片少子寿命的前处理系统和方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112802782 B (45)授权公告日 2022.04.05 (21)申请号 202110330098.7 (56)对比文件

2023-06-05 约1.3万字 12页立即下载

电池少子寿命分析.ppt 少子寿命原理及应用黎晓丰 1. 半导体简介 2. 非平衡载流子及少子寿命 3. 少子寿命影响因素 4. 少子寿命的测试方法简介 5. WT-2000的运用 1. 半导体 (Semiconductor) 硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等导电性介于导体和绝缘体之间(10-4 ~ 1010 Ω?cm) 电导率和导电型号对杂质和外界因素高度敏感硅(Silicon) 金刚石结构，每个硅原子与四个硅原子相邻，形成正四面体结构能带(energy band) 导带、价带、禁带宽度载流子：电子(自由电子、electron)、空穴(hole) 掺杂为得到一定的载流子浓度而掺

2018-05-13 约2.79千字 45页立即下载

少子寿命测试原理.ppt 体少子寿命越大，表面复合速率越大，偏差越大。厚度越薄，偏差越大当表面状态一定时，体少子寿命降低，有效少子寿命也降低。铸造多晶硅锭中，从底部到头部，从边缘到中心，氧浓度逐渐降低。虽然低于溶解度的间隙氧并不显电学活性，但是当间隙氧的浓度高于其溶解度时，就会有热施主、新施主和氧沉淀生成，进一步产生位错、层错，从而成为少数载流子的复合中心杂质铁由于具有较大的固相扩散系数和扩散速度另一方面铁的分凝系数较小，在结晶的过程中，铁原子不断地向硅锭顶部聚集，从而也导致顶部铁浓度较高，铁的分布呈现两端浓度较大，中间部分浓度较小且分布均匀的特点。所以铸造多晶硅硅锭两端分别存在着一个低寿命区域。

2017-11-07 约2.64千字 36页立即下载

少子寿命介绍.ppt 有效少子寿命与体少子寿命由于有表面复合产生偏差。 W为硅片厚度Dn为电子的扩散系数。因此硅片厚度和表面复合速率是影响有效寿命的重要因素。体少子寿命越大，表面复合速率越大，偏差越大。厚度越薄，偏差越大当体少子寿命小于1μs，无论S多大，偏差小于10%。当表面状态一定时，体少子寿命降低，有效少子寿命也降低。 4. 少子寿命测试方法 1. μ-PCD (Microwave Photoconductivity Decay)√ 微波光电导衰减 WT-2000 2. QSSPC 3. SPV 红外脉冲激光源(905nm) 微波源和信号接收(10 ± 0.5 GHz) 原理脉冲激光

2017-06-16 约2.78千字 45页立即下载

第1讲直拉单晶硅绪论讲义.ppt 晶硅生长技术; 课程名：晶硅生长技术学分：4 时间：2015.9-2016.1 先修课程：材料化学基础半导体硅材料基础多晶硅生产技术;一、学习目标;二、成绩考核;三、课程内容 ;第一部分单晶硅的基本知识;第二部分半导体基本知识;第三部分单晶炉结构及其直拉技术-1;第三部分单晶炉结构及其直拉技术-2;第四部分多晶炉结构及其铸锭技术;四、相关要求;光伏产业发展前景;;光伏产业发展前景;;;;;多晶硅产业;;单晶硅与多晶硅之争;谢谢！

2017-04-23 约小于1千字 22页立即下载

基于多模态数据融合的直拉硅单晶位错检测方法研究.docx 基于多模态数据融合的直拉硅单晶位错检测方法研究一、引言在半导体制造领域，直拉硅单晶是制造集成电路、微电子器件等的重要材料。然而，直拉硅单晶中存在的位错问题，是影响其性能和可靠性的关键因素之一。因此，对直拉硅单晶的位错检测显得尤为重要。随着多模态数据融合技术的发展，基于多模态数据融合的直拉硅单晶位错检测方法逐渐成为研究的热点。本文旨在研究基于多模态数据融合的直拉硅单晶位错检测方法，以提高位错检测的准确性和效率。二、直拉硅单晶位错概述直拉硅单晶中的位错是指晶体内部原子排列的缺陷，其存在会导致材料性能的降低和器件的失效。位错类型多样，包括线状、面状等，其产生原因主要与晶体生长过程中的温度、压

2025-05-03 约4.16千字 9页立即下载

多晶硅和和少子寿命分布.ppt ;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;

2020-12-23 约小于1千字 32页立即下载

直拉单晶硅设备与工艺研究.doc 目录摘要 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Ⅰ Abstract .......................................................... Ⅱ 第一章 1 1.1单晶硅的制备方法 ...............................................1 1.1.1区熔法 ...............

2017-06-28 约1.09万字 26页立即下载

第九章-单晶硅制备-直拉法.ppt 2）晶棒晃动晶棒晃动：晶棒的中心没有在熔液的中心，显示出在熔液中摆动。可能原因： 1埚位太高； 2上下对中或水平有问题； 3提拉头动平衡有问题如何处理：根据实际情况，报告主管或工程师，适当降低晶转和埚转，停炉之后检查对中、水平情况和提拉头动平衡。 3）晶棒扭曲晶棒扭曲：晶棒不直，出现S形。原因：1 熔液径向温度低； 2 上下对中和水平有问题； 3 埚位太低； 4 氩气流不均匀； 5 籽晶阻尼套问题。出现扭曲一般如何处理：

2018-10-12 约7.04千字 82页立即下载

直拉单晶硅的工艺流程.pptx 直拉单晶硅的工艺流程演讲人：日期: 目录 CONTENTS 01 原材料准备 02 装料与加热系统 03 晶体生长阶段 04 冷却与脱模流程 05 加工与表面处理 06 质量检测与包装 01 原材料准备原料选择采用化学或物理方法清洗多晶硅原料，去除表面杂质和油污。原料清洗原料粉碎将多晶硅原料进行粉碎，以便更好地进行后续加工和熔化。选用高纯度的多晶硅作为原料，确保单晶硅的纯度。多晶硅原料纯化坩埚选择选用高纯度、耐高温的石英坩埚，确保熔化和拉晶过程中不受污染。石英坩埚预处理坩埚清洗采用高纯度的清洗剂和超声波清洗技术，彻底清洗石英坩埚，去除杂质和油污。坩埚预热将清洗好

2025-05-15 约2.35千字 27页立即下载