基于异质结的高效光电探测器及其异质结的制备方法.pdf

光电探测器及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114464694 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202210023552.9 (22)申请日 2022.01.10 (71)申请人华南师范大学地址 510006

2023-05-07 约1.33万字 12页立即下载

基于PdSe2的混维异质结光电探测器制备及其性能研究.docx 基于PdSe2的混维异质结光电探测器制备及其性能研究一、引言随着科技的飞速发展，光电探测器在光通信、生物成像、光子计数等领域的应用日益广泛。近年来，二维材料因其独特的物理和化学性质，在光电探测器领域展现出巨大的应用潜力。其中，PdSe2作为一种新型的二维材料，具有优异的电学和光学性能，被广泛应用于光电探测器的制备。本文以基于PdSe2的混维异质结光电探测器为研究对象，对其制备工艺及性能进行了深入研究。二、混维异质结光电探测器的制备 1.材料选择与准备本实验选用高质量的PdSe2纳米片作为主要材料，同时选用其他二维材料（如石墨烯、MoS2等）作为异质结的组成部分。所有材料均经过严格的筛选

2025-06-02 约4.77千字 10页立即下载

光电探测单元、光电探测结构和光电探测器及其制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112825339 A (43)申请公布日 2021.05.21 (21)申请号 20191

2023-06-03 约2.31万字 26页立即下载

一种宽光谱响应光电探测器及其制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113410320 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202110568736.9 B82Y 40/00 (2011.01) (22)申请日

2023-06-17 约1.44万字 11页立即下载

一种氮化铝日盲光电探测器及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114566566 A (43)申请公布日 2022.05.31 (21)申请号 202210185150.9 (22)申请日 2022.02.28 (71)申请人吉林大学

2023-05-07 约6.94千字 7页立即下载

一种光电探测器及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 114551621 B (45)授权公告日 2022.07.22 (21)申请号 202210438129.5 H01L 31/09 (2006.01)

2023-05-10 约2.06万字 19页立即下载

一种基于透明薄膜晶体管的光电探测器阵列及其制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363278 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110617238.9 (22)申请日 2021.06.03 (71)申请人吉林大学地址 13

2023-06-20 约1.91万字 18页立即下载

基于直立式二维薄膜材料的光电探测器及其制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112820787 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202110112005.3 (22)申请日 2021.01.27 (71)申请人深圳

2023-06-06 约8.95千字 7页立即下载

基于氧化锌_氧化亚铜异质结光电探测器的制备与研究.pdf 摘要 异质结在光探测、光催化、太阳能电池等领域有着广泛的研究和应用前景。作为将两种不同种类半导体结合而形成的异质结光电探测器，具有光响应能力强，响应速度块，响应范围广等优点。氧化锌（ZnO）作为直接宽带隙n型半导体，生产工艺简单，是目前常用于异质结中的n型材料。氧化亚铜（CuO）作为直接窄带隙p型半导 2 体，易于工业生产且常用来与n型半导体结合形成p-n异质结。而将

2025-05-06 约11.42万字 79页立即下载

ws2xse21xsi异质结光电探测器及其性能研究.docx WS2xSe2（1-x）/Si异质结光电探测器及其性能研究摘要：二维材料WS2xSe2（1-x）薄膜具有独特的结构和出色的物理特性，在光电探测领域拥有广阔的应用前景，是下一代光电子器件的理想构筑材料。本文主要讨论的问题为：介绍磁控溅射仪和化学气相沉积法（CVD），以SiO2/Si为衬底制作WSSe薄膜。使用电子扫描显微镜等仪器对其表面形态和微观结构进行观察，确定二维WSSe薄膜的品质。然后以此为基础构筑WSSe器件，研究该器件的光电性能，对其在光电探测器上的应用做出一定的指导。关键词：WSSe；二维材料；磁控溅射；化学气相沉积法（CVD）；光电性能 1绪论 1.1石墨烯

2024-11-06 约1.61万字 16页立即下载

ws2xse21xsi异质结光电探测器及其性能研究.docx PAGE2 摘要：二维材料WS2xSe2（1-x）薄膜具有独特的结构和出色的物理特性，在光电探测领域拥有广阔的应用前景，是下一代光电子器件的理想构筑材料。本文主要讨论的问题为：介绍磁控溅射仪和化学气相沉积法（CVD），以SiO2/Si为衬底制作WSSe薄膜。使用电子扫描显微镜等仪器对其表面形态和微观结构进行观察，确定二维WSSe薄膜的品质。然后以此为基础构筑WSSe器件，研究该器件的光电性能，对其在光电探测器上的应用做出一定的指导。关键词：WSSe；二维材料；磁控溅射；化学气相沉积法（CVD）；光电性能 1绪论 1.1石墨烯 2004年英国两位物理学家Geim和Nov

2024-12-30 约2.02万字 24页立即下载

光电探测器及其形成方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号CN117894868A (43)申请公布日2024.04.16 (21)申请号202211221103.1H01L21/20(2006.01)

2024-04-13 约1.11万字 10页立即下载

基于SnO2-Sb2Se3异质结光电探测器的性能研究.docx 基于SnO2-Sb2Se3异质结光电探测器的性能研究基于SnO2-Sb2Se3异质结光电探测器的性能研究一、引言随着科技的飞速发展，光电探测器在各个领域的应用越来越广泛。SnO2/Sb2Se3异质结光电探测器作为一种新型的光电器件，因其具有高灵敏度、快速响应和良好的稳定性等优点，备受关注。本文旨在研究基于SnO2/Sb2Se3异质结光电探测器的性能，探究其在实际应用中的潜力和价值。二、SnO2/Sb2Se3异质结光电探测器概述 SnO2/Sb2Se3异质结光电探测器是一种基于半导体材料的光电器件，其核心部分是SnO2和Sb2Se3两种材料形成的异质结。这种异质结具有独特的电子结构和能带结

2025-01-31 约4.58千字 9页立即下载

基于SnO2-Sb2Se3异质结光电探测器的性能研究.docx 基于SnO2-Sb2Se3异质结光电探测器的性能研究基于SnO2-Sb2Se3异质结光电探测器的性能研究一、引言随着科技的发展，光电探测器在各个领域的应用越来越广泛，包括光通信、光谱分析、夜视设备等。为了提高光电探测器的性能，许多科研人员正在积极探索不同材料体系的光电探测器。本文针对基于SnO2/Sb2Se3异质结的光电探测器进行研究，探讨了其性能表现及其潜在的应用前景。二、SnO2/Sb2Se3异质结光电探测器的基本原理 SnO2和Sb2Se3均为具有良好光电性能的材料，二者形成的异质结光电探测器在光电转换、光响应等方面具有独特的优势。SnO2具有高透明度、高电子迁移率等特点，而Sb2

2025-04-12 约4.37千字 8页立即下载

基于石墨烯-钙钛矿异质结的太赫兹光电探测器研究.docx 基于石墨烯-钙钛矿异质结的太赫兹光电探测器研究基于石墨烯-钙钛矿异质结的太赫兹光电探测器研究一、引言太赫兹（THz）波作为电磁波谱中的一部分，因其独特的光电特性和广泛的应用前景，一直备受科研人员的关注。然而，由于传统光电探测器材料在响应速度和检测效率等方面的局限性，其发展速度尚不能完全满足实际应用需求。因此，研发高效、高灵敏度且具备良好稳定性的太赫兹光电探测器成为当前研究的热点。近年来，石墨烯和钙钛矿材料因其独特的物理和化学性质，在光电探测器领域展现出巨大的应用潜力。本文将重点探讨基于石墨烯/钙钛矿异质结的太赫兹光电探测器的研究进展。二、石墨烯与钙钛矿材料概述 1.石墨烯石墨烯是一种由

2025-04-13 约4.06千字 8页立即下载