存储系统、信息记录方法及三维存储器.pdf
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117423359A
(43)申请公布日2024.01.19
(21)申请号202311424297.XG06V10/82(2022.01)
(22)申请日2023.10.
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2.动态RAM动态RAM的存储单元(单管动态存储电路)Intel2164A每一片的容量为64K×1位，每个地址单元仅一位数据，用片Intel2164A就可以构成64K字节的存储器；地址线分为两部分：行地址线和列地址线。芯片的地址引线只需8条，内部设有地址锁存器，利用多路开关，由行地址线通信，将地址送到列地址锁存器。这8条地址线也用于刷新(刷新时地址计数，实现一行一行的刷新)。Intel2164A地址译码单译码结构n根地址线为一组，生成2n片选信号每个片选信号选择一个存储单元。双译码（复合译码）结构n根地址线为两组，X方向n1根，Y方向n2根（n1+n2=n)，分别生成2n1和2n2个片选信号。
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