教学大纲-中英文..doc

《固体电子器件原理》 教学大纲 傅兴华 编写 贵州大学电子科学系 2008年5月修订 （第一版：2001年4月）《固体电子器件原理》教学大纲 一、教学对象 《固体电子器件原理》是微电子技术本科专业的专业课。学习本课程之前，要求学生已经具有量子力学、热力学与统计物理、固体物理和半导体物理方面的知识。本课程也可以作为计算机科学与技术、电子信息类和电气信息类本科专业的选修课。 二、教学目的 本课程论述基于电子的微观运动规律为基础的各种电子器件的工作原理。其核心内容是硅微电子器件的工作原理和设计方法。本课程的目的是让学生了解和掌握微电子器件相关的物理知识，熟练掌握各种常见微电子器件参数与器件的结构参数和材料参数之间的关系。能够进行典型的微电子器件设计。初步具备新型器件的跟踪研究能力和自主开发能力。为后续课程《微电子系统设计》打下一定的基础。 三、教学要求 教学内容贯彻少而精的原则,突出重点,突出基础训练.因本学科属于快速发展的工程技术学科,在教学中还应突出学科的前沿性.本课程的总要求是,学生学完本课程后,能够比较自觉地应用固体与半导体物理的知识,分析电子器件的参数与微电子器件的结构参数和工艺参数之间的关系,具有一定的电子器件的研究开发能力. 四、教学内容与安排 本课程的主要内容可分为6章。下面分别叙述其主要内容和教学要求。 第一章 微电子器件物理基础 已经单独开设半导体物理课程的微电子技术专业可跳过这一章。非器件专业的学生则必须讲授这一章。主要内容是固体材料的晶体结构和能带结构，固体和半导体中载流子的统计分布，载流子的输运过程，低维输运，固体和半导体的热、光、电行为。 要求器件专业的学生从定性和定量两方面掌握和应用本章的知识，而对非器件专业的学生，则要求定性理解本章的内容，并熟悉简单的定量关系。 第二章 pn结 本章是器件原理中十分重要的一章，务必要求学生熟练掌握和应用本章的知识。主要内容包括，pn结特性的定性描述和定量描述，pn结的直流特性，pn结的寄生效应，pn结的交流小信号特性及其等效电路，pn结的开关过程及其物理实质，pn结的击穿模型及其定量描述。金属-半导体接触放在本章介绍。各种结构的能带图，用泊松方程求解pn结问题和载流子在pn结内的输运原理是本章的两个重点。 具体要求是： 深刻理解和画出各种偏置条件下pn 结、金属-半导体接触的能带图； 理解和掌握准费米能级的概念和应用； 熟练计算pn结的接触电势差； 深刻理解和掌握pn结直流特性的有关概念和计算问题； 熟练计算pn结的空间电荷区宽度和势垒电容； 熟练计算pn结的开关过程参数； 掌握和计算pn结击穿的有关理论和计算问题。 要求学生课外完成30道左右有一定难度的习题。 第三章 双极型晶体管 本章包括了传统晶体管原理的主要内容，是学生必须熟练掌握的内容。通过本章的学习，学生对于微电子器件原理的分析和应用能力将得到进一步的提高。本章内容主要包括双极型晶体管内载流子的输运过程，双极型晶体管的直流特性、频率特性、功率特性和开关特性。要求重点掌握和理解双极型晶体管的能带图，载流子的输运过程、直流特性和频率特性几方面的内容。 具体要求是： 根据给定结构参数和材料参数，计算双极型晶体管的发射结注入效率、基区输运系数、α、β、基极电阻等直流参数；渡越时间、截止频率等交流参数；解释和计算发射极电流集边效应和基区宽度扩展效应等功率晶体管的有关问题；解释和计算晶体管的极限参数如击穿电压、最大耗散功率等；计算晶体管的开关参数。 要求学生课外完成30道左右有一定难度的习题。了解双极型晶体管技术和工艺的新进展。 第四章 场效应晶体管 由于现代集成电路中的器件绝大多数都是场效应晶体管，因此本章的学习显得尤为重要。本章分为结型场效应晶体管（JFET）和绝缘栅场效应晶体管（IGFET或MOSFET）两部分。结型场效应晶体管部分可以略讲，重点放在绝缘栅场效应晶体管部分。 具体要求是： 掌握涉及JFET的电流电压方程的有关问题；掌握JFET的短沟道效应的有关概念和物理模型，了解JFET交流特性和参数。 掌握MOS二极管的实验原理和方法，MOS二极管C-V特性的重要意义和应用范围；深刻理解阈电压各项的物理意义，熟练掌握MOSFET阈电压的计算；掌握MOSFET电流电压方程、直流参数和交流参数的有关计算问题。理解亚阈区导电原理、物理模型和计算方法。深刻理解和掌握各种短沟道效应的物理模型、分析方法。了解MOSFET的按比例缩小理论和重要意义。了结亚微米、深亚微米MOSFET 发展的最新动向。 要求学生课外完成30道左右有一定难度的习题，阅读有关MOSFET最新进展的文献5万字以上。了解MOSFET晶体管技术和工艺的新进展。 第五章 光电子器件 半导体激光